PBMB200E6 NIEC | Alldatasheet

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QMS7301-302M0709 (2/5) Full Bridge ＩＧＢＴ Module ２００Ａ／６００Ｖ ＰＢＭＢ２００Ｅ６ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （at T C=25°C unless otherwise specified） Ｉｔｅｍ Ｓｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ＶＣＥＳ ６００ Ｖ ゲート・エミッタ間電圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage ＶＧＥＳ ±２０ Ｖ ＤＣ ＩＣ ２００ コレクタ電流 Ｃollector Ｃurrent １ｍｓ ＩＣＰ ４００ Ａ コレクタ損失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation ＰＣ ７８０ Ｗ 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ －４０～＋１５０ ℃ 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃ 絶 縁 耐 圧 (Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage ＶＩＳＯ ２,５００ Ｖ (ＲＭＳ） Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink 締 め 付 け ト ル ク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal Ｆｔｏｒ ３ （３０.６） Ｎ・ｍ (kgf･cm) □ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （at Tj=25°C unless otherwise specified） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ コ レ ク タ 遮 断 電 流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ＩＣＥＳ Ｖ ＣＥ= 600V,ＶＧＥ= 0V － － １.０ ｍＡ ゲ ー ト 漏 れ 電 流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent ＩＧＥＳ Ｖ ＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.０ μＡ コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ(sat) Ｉ Ｃ= 200A,ＶＧＥ= 15V － ２.１ ２.６ Ｖ ゲ ー ト し き い 値 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ(th) Ｖ ＣＥ= 5V,ＩＣ= 200mA ４.０ － ８.０ Ｖ 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance Ｃｉｅｓ Ｖ ＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ － 10,000 － ｐＦ 上 昇 時 間 Ｒise Ｔime ｔｒ － ０ . １ ５ ０.３０ ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime ｔ ｏｎ － ０.２５ ０.４０ 下 降 時 間 Ｆall Ｔime ｔ ｆ － ０.１０ ０.３５ スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime ｔ ｏｆｆ ＶＣＣ= ＲＬ= ＲＧ= ＶＧＥ= 300V 1.5Ω 3.6Ω ±15V － ０.３５ ０.７０ μｓ □ フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ（at TC=25°C） ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（at Tj=25°C） Ｉｔｅｍ Ｓｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＤＣ ＩＦ ２ ０ ０ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent １ｍｓ Ｉ ＦＭ ４ ０ ０ Ａ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage ＶＦ Ｉ Ｆ= 200A,ＶＧＥ= 0V － １.９ ２.４ Ｖ 逆 回 復 時 間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime ｔｒｒ ＩＦ= 200A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 400A/μs － ０.１５ ０.２５ μｓ □ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＩＧＢＴ － － ０ . １ ６ 熱 抵 抗 Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｒth(j-c) Junction to Case 80.0 62.023 8 6754 14 131211 110.0 1 23 8 9 10 25.0 24 25 25 24 93.0 4-M6 4-Ø 6.5 8-fasten tab #110 18 18 1877 LABEL 30.0 2 9

QS043-402-（3/5） 日本インター株式会社 ＰＢＭＢ２００Ｅ６ 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 100 300 1000 3000 10000 30000 100000 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Capacitance C (pF) Fig.6- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) Cies Coes Cres VGE=0V f=1MHZ TC=25°C 012345 100 150 200 250 300 350 400 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Collector Current I C (A) Fig.1- Output Characteristics (Typical) TC=25°C 11V 10V VGE=20V 12V 15V 012345 100 150 200 250 300 350 400 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Collector Current I C (A) Fig.2- Output Characteristics (Typical) TC=125°C 11V 10V VGE=20V 12V 15V 048 1 2 1 6 2 0 Gate to Emitter Voltage VGE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) TC=25°C IC=100A 400A 200A 0 4 8 1 21 62 0 Gate to Emitter Voltage VGE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Fig.4- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) IC=100A 400A TC=125°C 200A 0 200 400 600 800 100 150 200 250 300 350 400 Total Gate Charge Qg (nC) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Gate to Emitter Voltage VGE (V) Fig.5- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) VCE=300V 200V 100V RL=1.5( TC=25°C

QS043-402-（4/5） 日本インター株式会社 ＰＢＭＢ２００Ｅ６ 1 3 10 30 100 300 Series Gate Impedance RG (() Switching Loss ESW (mJ/Pulse) Fig.12- Series Gate Impedance vs. Switching Loss EOFF EON VCC=300V IC=200A VGE=±15V TC=125°C Inductive Load ERR 0 50 100 150 200 250 300 0.2 0.4 0.6 0.8 Collector Current IC (A) Switching Time t (µs) Fig.7- Collector Current vs. Switching Time (Typical) tOFF tf tr(VCE) tON VCC=300V RG=3.6( VGE=±15V TC=25°C Resistive Load 1 3 10 30 100 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 Series Gate Impedance RG (() Switching Time t (µs) Fig.8- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) VCC=300V IC=200A VGE=±15V TC=25°C Resistive Load tf tr(VCE)ton toff 1 3 10 30 100 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 Series Gate Impedance RG (() Switching Time t (µs) Fig.10- Series Gate Impedance vs. Switching Time VCC=300V IC=200A VGE=±15V TC=125°C Inductive Load tf tr(IC) ton toff 0 50 100 150 200 250 300 Collector Current IC (A) Switching Loss ESW (mJ/Pulse) Fig.11- Collector Current vs. Switching Loss EOFF EON VCC=300V RG=3.6( VGE=±15V TC=125°C Inductive Load ERR 0 50 100 150 200 250 300 0.001 0.01 0.1 Collector Current IC (A) Switching Time t (µs) Fig.9- Collector Current vs. Switching Time tOFF tf tr(Ic) tON VCC=300V RG=3.6( VGE=±15V TC=125°C Inductive Load

QS043-402-（5/5） 日本インター株式会社 ＰＢＭＢ２００Ｅ６ 01234 100 150 200 250 300 350 400 Forward Voltage VF (V) Forward Current I F (A) Fig.13- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) TC=25°C TC=125°C 0 200 400 600 800 1000 1200 100 200 500 1000 -di/dt (A/µs) Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) Fig.14- Reverse Recovery Characteristics (Typical) IRrM trr IF=200A T C=25°C T C=125°C 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 11 0 1 3x10-4 1x10-3 3x10-3 1x10-2 3x10-2 1x10-1 3x10-1 Time t (s) Transient Thermal Impedance Rth (J-C) (°C/W) Fig.16- Transient Thermal Impedance TC=25°C

1 Shot Pulse

0.1 0.2 0.5 100 200 500 1000 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector Current I C (A) Fig.15- Reverse Bias Safe Operating Area RG=3.6(, VGE=±15V, T C<125°C