MT28N20A

MT28N20A JSMC | Alldatasheet

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Technical content

版本：202001A 1/7 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET MT28N20A 订 货 型 号 Order codes 印 记 Marking 封 装 Package 有卤-条管 Halogen-Tube 无卤-条管 Halogen-Free-Tube 有卤-编带 Halogen-Reel 无卤-编带 Halogen-Free-Reel MT28N20A-C-B MT28N20A-C-BR N/A N/A MT28N20A TO-220C 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 28A VDSS 200V Rdson-max (@Vgs=10V） 85mΩ Qg-typ 52nC 产品特性  低栅极电荷  低 Rdson  开关速度快  产品全部经过雪崩测试  高抗dv/dt 能力  RoHS 产品

FEATURES

 Low gate charge  Low Rdson  Fast switching  100% avalanche tested  Improved dv/dt capability  RoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE 用途  电信与工业领域隔离 DC/DC 转换  同步整流领域  汽车应用  不间断电源

APPLICATIONS

 Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial  Synchronous Rectification  Automotive  UPS

版本：202001A 2/7 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) *漏极电流由最高结温限制 *Drain current limited by maximum junction temperature 项 目 Parameter 符 号 Symbol 数 值 Value 单 位 Unit MT28N20A 最高漏极－源极直流电压 Drain-Source Voltage VDSS 200 V 连续漏极电流 Drain Current -continuous ID T=25℃ 28* A ID T=100℃ 22* A 最大脉冲漏极电流（注 1） Drain Current - pulse （note 1） IDM 112* A 最高栅源电压 Gate-Source Voltage VGSS +30/-30V V 单脉冲雪崩能量（注2） Single Pulsed Avalanche Energy（note 2） EAS 150 mJ 雪崩电流（注 1） Avalanche Current （note 1） IAS 38 A 耗散功率 Power Dissipation PD TC=25℃ -Derate above 25℃ 208 W

1.66 W/℃

最高结温及存储温度 Operating and Storage Temperature Range TJ，TSTG -55～+150 ℃ 引线最高焊接温度 Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes TL 300 ℃

版本：202001A 3/7 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Units 关态特性 Off –Characteristics 漏－源击穿电压 Drain-Source Voltage BVDSS ID=250μA, VGS=0V 200 - - V 零栅压下漏极漏电流 Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=200V,VGS=0V, TC=25℃ - - 10 μA VDS=160V,VGS=0V, TC=100℃ - - 200 μA 正向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, forward IGSSF VDS=0V, V GS =30V - - 100 nA 反向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, reverse IGSSR VDS=0V, V GS =-30V - - -100 nA 通态特性On-Characteristics 阈值电压 Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS = VGS , I D=250μA 3.5 4.5 5.5 V 静态导通电阻 Static Drain-Source On-Resistance RDS(ON) VGS =10V , I D=28A - 60 85 mΩ 动态特性Dynamic Characteristics 输入电容 Input capacitance Ciss VDS=25V, VGS =0V, f=1.0MHZ - 3000 - pF 输出电容 Output capacitance Coss - 240 - pF 反向传输电容 Reverse transfer capacitance Crss - 90 - pF 栅电阻 Gate resistance Rg VGS=0V,VDS=0V, F=1MHz - 1.4 - Ω

版本：202001A 4/7 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 开关特性Switching Characteristics 延迟时间Turn-On delay time td(on) VDD=100V,ID=14A,RG=25Ω Vgs=10V （note 3，4） - 58 - ns 上升时间Turn-On rise time tr - 104 - ns 延迟时间Turn-Off delay time td(off) - 74 - ns 下降时间Turn-Off Fall time tf - 58 - ns 栅极电荷总量Total Gate Charge Qg VDS =100V , ID=14A VGS =10V （note 3，4） - 52 - nC 栅－源电荷Gate-Source charge Qgs - 22 - nC 栅－漏电荷Gate-Drain charge Qgd - 19 - nC 漏－源二极管特性及最大额定值Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings 正向压降 Drain-Source Diode Forward Voltage VSD TJ=25℃,VGS=0V, IS=28A - - 1.2 V 正向连续电流 Diode continous forward current IS VG=VD=0V,force current 28 A 正向脉冲电流 Diode pulse current ISM 112 A 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 符 号 Symbol 最大 Max 单位 Unit MT28N20A 结到管壳的热阻 Thermal Resistance, Junction to Case Rth(j-c) 0.60 ℃/W 结到环境的热阻 Thermal Resistance, Junction to Ambient Rth(j-A) 62.5 ℃/W 注释： 1：脉冲宽度由最高结温限制 2：VDD=25V, L=0.1mH,RG=25 Ω,IAS=28A 起始结温 TJ=25℃ 4：基本与工作温度无关 Notes: 1：Pulse width limited by maximum junction temperature 2： VDD=25V,L=0.1mH RG=25 Ω, IAS=28A Starting TJ=25℃ 3：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％ 4：Essentially independent of operating temperature

版本：202001A 5/7 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) Continuous Drain Current vs Tc Normalized Rdson vs. Tj Normalized Vth vs. Tj Gate Charge Characteristics On-Region Characteristics Maximum Safe Operation Area Turn-on Resistance vs. ID Single pulse D=0.01 D=0.02 D=0.05 D=0.1 D=0.3 D=0.5

版本：202001A 6/7 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-220C 单位Unit：mm

版本：202001A 7/7 注意事项 1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分 为直销和销售代理，无论哪种方式，订货 时请与公司核实。 2.购买时请认清公司商标，如有疑问请与公 司本部联系。 3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大 额定值，否则会影响整机的可靠性。 4.本说明书如有版本变更不另外告知 NOTE 1. Jilin Sino -microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino -microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 吉林华微电子股份有限公司 公司地址：吉林省吉林市深圳街99 号 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址：www.hwdz.com.cn 市场营销部 地址：吉林省吉林市深圳街99 号 邮编：132013 电话： 86-432-64675588 64675688 64678411 传真: 86-432-64671533 CONTACT JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel： 86-432-64678411 Fax：86-432-64665812 Web Site：www.hwdz.com.cn MARKET DEPARTMENT ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, J ilin Province, China. Post Code: 132013 Tel: 86 -432-64675588 64675688 64678411 Fax: 86 -432-64671533