MP9N150 JSMC | Alldatasheet
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Technical content
R 版本：202310A 1/8 N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET MP9N150 订货型号Order codes 印记 Marking 封装 Package 有卤-条管 Halogen-Tube 无卤-条管 Halogen-Free-Tube 有卤-编带 Halogen-Reel 无卤-编带 Halogen-Free-Reel MP9N150-GE-B MP9N150-GE-BR N/A N/A MP9N150 TO-247 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 9 A VDSS 1500 V Rdson-max 2.50Ω Qg-typ 87.9 nC 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源
APPLICATIONS
High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS 产品特性 低栅极电荷 低 Crss (典型值10 pF) 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS 产品
FEATURES
Low gate charge Low Crss (typical 10 pF ) Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE
R MP9N150 版本：202310A 2/8 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) *漏极电流由最高结温限制 *Drain current limited by maximum junction temperature 项 目 Parameter 符 号 Symbol 数 值 Value 单 位 Unit MP9N150 最高漏极－源极直流电压 Drain-Source Voltage VDSS 1500 V 连续漏极电流 Drain Current -continuous ID T=25℃ T=100℃ 9* A 5* A 最大脉冲漏极电流（注1） Drain Current -pulse （note 1） IDM 36* A 最高栅源电压 Gate-Source Voltage VGSS ±30 V 单脉冲雪崩能量（注2） Single Pulsed Avalanche Energy（note 2） EAS 121.5 mJ 雪崩电流（注1） Avalanche Current （note 1） IAR 9 A 重复雪崩能量（注1） Repetitive Avalanche Current （note 1） EAR 52.7 mJ 二极管反向恢复最大电压变化速 率（注3） Peak Diode Recovery dv/dt （note 3） dv/dt 5.0 V/ns 耗散功率 Power Dissipation PD TC=25℃ -Derate above 25℃ 370 W
2.96 W/℃
最高结温及存储温度 Operating and Storage Temperature Range TJ，TSTG -55～+150 ℃ 引线最高焊接温度 Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes TL 300 ℃
R MP9N150 版本：202310A 3/8 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Units 关态特性 Off –Characteristics 漏－源击穿电压 Drain-Source Voltage BVDSS ID=250μA, VGS=0V 1500 - - V 零栅压下漏极漏电流 Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=1500V, VGS=0V, TC=25℃ - - 10 μA VDS=1200V, TC=125℃ - - 10 μA 正向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, forward IGSSF VDS=0V, VGS =30V - - 100 nA 反向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, reverse IGSSR VDS=0V, VGS =-30V - - -100 nA 通态特性On-Characteristics 阈值电压 Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS = VGS , ID=250μA 3.0 - 5.0 V 静态导通电阻 Static Drain-Source On-Resistance RDS(ON) VGS =10V , ID=4.5A - 2.0 2.5 mΩ 正向跨导 Forward Transconductance gfs VDS = 40V , ID=9A （note 4） - 25.1 - S 动态特性Dynamic Characteristics 输入电容 Input capacitance Ciss VDS=25V, VGS =0V, f=1.0MHZ - 4943 7414 pF 输出电容 Output capacitance Coss - 298 447 pF 反向传输电容 Reverse transfer capacitance Crss - 10 15 pF
R MP9N150 版本：202310A 4/8 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 符 号 Symbol 最大值 Value 单 位 Unit MP9N150 结到管壳的热阻 Thermal Resistance, Junction to Case Rth(j-c) 0.169 ℃/W 结到环境的热阻 Thermal Resistance, Junction to Ambient Rth(j-A) 62.5 ℃/W 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Units 开关特性 Switching –Characteristics 延迟时间Turn-On delay time td(on) VDD=750V, ID=9A, RG=25Ω（note 4，5） - 84.8 127.2 ns 上升时间Turn-On rise time tr - 61 91.5 ns 延迟时间Turn-Off delay time td(off) - 193.8 290.7 ns 下降时间Turn-Off Fall time tf - 60 90 ns 栅极电荷总量Total Gate Charge Qg Vds=750V, Vgs=10V, Id=9A（note 4，5） - 87.9 131.9 nC 栅－源电荷Gate-Source charge Qgs - 34.5 - nC 栅－漏电荷Gate-Drain charge Qgd - 23.34 - nC 漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings 正向最大连续电流 Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current IS - - 9 A 正向最大脉冲电流 Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current ISM - - 36 A 正向压降 Drain-Source Diode Forward Voltage VSD VGS=0V, IS=9A - - 1.4 V 反向恢复时间 Reverse recovery time trr VGS=0V, IS=9A dIF/dt=100A/μs (note 4) - 485.3 - ns 反向恢复电荷 Reverse recovery charge Qrr - 5398 - nC 1：脉冲宽度由最高结温限制 2：L= 3.0mH, IAS=9A, VDD=50V, RG=25 Ω,起始结温 TJ=25℃ 3：ISD ≤9A,di/dt ≤200A/μs, VDD≤BVDSS,起始结温 TJ=25℃ 5：基本与工作温度无关 Notes: 1：Pulse width limited by maximum junction temperature 2：L=3.0mH, IAS=9A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting TJ=25℃ 3：ISD ≤9A,di/dt ≤200A/μs, VDD≤BVDSS, Starting TJ=25℃ 4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤2％ 5：Essentially independent of operating temperature
R MP9N150 版本：202310A 5/8 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) On-Region Characteristics Transfer Characteristics On-Resistance Variation vs Drain Current and Gate Voltage IF(AV) vs TC Body Diode Forward Voltage Variation vs. Source Current and Temperature IF(AV) vs TC Capacitance Characteristics Gate Charge Characteristics
R MP9N150 版本：202310A 6/8 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) Breakdown Voltage Variation vs. Temperature Gate Threshold Voltage vs. Case Temperature Maximum Drain Current vs. Case Temperature -50 0 50 100 150 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 Notes： 1. VGS=0V 2. ID=250A BVDS(Normalized) Tj [℃ ] Maximum Safe Operating Area Transient Thermal Response Curve
R MP9N150 版本：202310A 7/8 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-247 单位Unit：mm
R MP9N150 版本：202310A 8/8 注意事项 1. 吉林华微电子股份有限公司的产品销售分为直销和销售代理，无论哪种方式，订货时请 与公司核实。 2. 购买时请认清公司商标，如有疑问请与公司本部联系。 3. 在电路设计时请不要超过器件的绝对最大额定值，否则会影响整机的可靠性。 4. 本说明书如有版本变更不另外告知。 NOTE 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this. specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 吉林华微电子股份有限公司 公司地址：吉林省吉林市深圳街99 号 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址：www.hwdz.com.cn CONTACT JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel： 86-432-64678411 Fax：86-432-64665812 Web Site：www.hwdz.com.cn