MG065R060 JSMC | Alldatasheet

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R 版本：202403B 1/9 N沟道增强型碳化硅场效应晶体管 N-CHANNEL Enhancement Silicon Carbide MOSFET MG065R060 订 货 型 号 Order codes 印 记 Marking 封 装 Package 无卤-条管 Halogen-Free-Tube MG065R060-GH-BR MG065R060 TO-247-4L MG065R060-GE-BR MG065R060 TO-247 封装 Package TO-247 TO-247-4L 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 30A VCE 650V Rdson-typ （@Vgs=20V） 65MΩ Qg-typ 65nC 用途 ⚫ 光伏逆变器 ⚫ 开关模式电源 ⚫ 高压 DC/DC 转换器 ⚫ 电池充电器 ⚫ 电动驱动 ⚫ 脉冲电源应用

APPLICATIONS

⚫ Solar Inverters ⚫ Switch Mode Power Supplies ⚫ High V oltage DC/DC Converters ⚫ Battery Chargers ⚫ Motor Drives ⚫ Pulsed Power applications 产品特性 ⚫ 高阻断电压 ⚫ 低导通电阻 ⚫ 低电容高速开关 ⚫ 易于驱动 ⚫ 雪崩强度高 ⚫ RoHS产品 订货信息 ORDER MESSAGE

FEATURES

⚫ High Blocking V oltage ⚫ Low On-Resistance ⚫ High Speed Switching with Low Capacitances ⚫ Easy to Parallel and Simple to Drive ⚫ Avalanche Ruggedness ⚫ RoHS product

R MG065R060 版本：202403B 2/9 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项 目 Parameter 符 号 Symbol 数 值 Value 单 位 Unit 测试条件 Tests conditions 最高漏极－源极直流电压 Drain-Source Voltage VDSmax 650 V VGS=0V ,ID=100μA 最高栅源电压 Gate-Source Voltage VGSmax -8/+22 V Absolute maximum values 工作栅源电压 Gate-Source Voltage VGSop -5/+18 V Recommended operational values 连续漏极电流 Drain Current -continuous ID

33 A VGS=20V , TC=25˚C

25 A VGS=20V , TC=100˚C

最大脉冲漏极电流 Drain Current - pulse IDM 90 A Pulse width limited by Tjmax 耗散功率 Power Dissipation PD 150 W TC=25˚C, TJ=175˚C 最高结温及存储温度 Operating and Storage Temperature Range TJ，TSTG -55～+175 ℃ 引线最高焊接温度 Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes TL 300 ℃

R MG065R060 版本：202403B 3/9 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Units 漏－源击穿电压 Drain-Source Voltage BVDSS ID=100μA, VGS=0V 650 - - V 阈值电压 Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS = VGS,ID=5mA, TC=25℃ 2.0 3.2 4 V VDS = VGS,ID=5mA, TC=175℃ 2.3 零栅压下漏极漏电流 Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=650V,VGS=0V, TC=25℃ - 1 100 μA 栅极体漏电流 Gate-body leakage current IGSS VDS=0V, VGS =18V - 50 200 nA 导通电阻 Drain-Source On-Resistance RDS(ON) VGS =18V , ID=20A, TC=25℃ - 45 60 mΩ VGS =18V , ID=20A, TC=175℃ 75 mΩ 跨导 Transconductance gfs VDS = 20V, ID=20A, TJ = 25 ˚C - 12 - S VDS = 20V, ID=20A, TJ =175 ˚C 11 S 输入电容 Input capacitance Ciss VDS=400V, VGS =0V, f=1.0MHZ ， VAC=25 mV - 1100 - pF 输出电容 Output capacitance Coss - 56 - pF 反向传输电容 Reverse transfer capacitance Crss - 15 - pF 导通开关能量 Turn-OnSwitching Energy EON VDS=400V , VGS=-5/20V ,ID= 10A, RG(ext) = 5Ω, L= 142μH - 110 - µJ 关断开关能量 Turn-OffSwitching Energy EOFF - 32 - 延迟时间 Turn-On delay time td(on) VDD=400V , VGS=-5/18V ID = 20A, Timing relative to VDS - 15 - ns 上升时间 Turn-On rise time tr - 45 - ns 延迟时间 Turn-Off delay time td(off) - 13 - ns 下降时间 Turn-Off Fall time tf - 10 - ns 栅电阻 Intrinsic gate resistance RG f = 1 MHz , VAC=25mV - 6.0 - Ω 栅－源电荷Gate-Source charge Qgs VDD=400V , VGS=-5/18V ID = 20A nC 栅－漏电荷Gate-Drain charge Qgd 14 栅极电荷总量Total Gate Charge Qg 75

R MG065R060 版本：202403B 4/9 漏－源二极管特性 Drain-Source Diode Characteristics 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 典型 Typ 最大 Max 单位 Units 正向压降 Drain-Source Diode Forward Voltage VSD VGS =-5V , ISD = 10 A, TJ = 25 °C 3.4 V VGS =-5V , ISD =10 A, TJ = 175 °C 3.2 V 正向最大连续电流 Maximum Continuous Drain -Source Diode Forward Current IS TC=25℃ - 30 A 反向恢复时间 Reverse recovery time trr VGS =-5V , ISD = 20 A, V R=400V , dif/dt=1200A/μs 20 ns 反向恢复电荷 Reverse recovery charge Qrr 65 nC 峰值反向恢复电流 Peak Reverse Recovery Current Irrm 8 A 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 符 号 Symbol 典型 Typ 单位 Unit 结到管壳的热阻 Thermal Resistance, Junction to Case Rth(j-c) 0.95 ℃/W 结到环境的热阻 Thermal Resistance, Junction to Ambient Rth(j-A) 35 ℃/W

R MG065R060 版本：202403B 5/9 典型性能 Typical Performance Output Characteristics TJ = -55 °C Output Characteristics TJ = 25 °C Output Characteristics TJ =175 °C On-Resistance For V arious Gate V oltage Transfer Characteristic Threshold V oltage vs. Temperature or Various Junction Temperatures

R MG065R060 版本：202403B 6/9 Body Diode Characteristics,TJ = 25 °C Body Diode Characteristics,TJ = 175 °C Capacitances vs. Drain-Source V oltage Gate Charge Characteristics Power Dissipation Derating Transient Thermal Impendance

R MG065R060 版本：202403B 7/9 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-247-4L 单位Unit：mm

R MG065R060 版本：202403B 8/9 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-247 单位 Unit：mm

R MG065R060 版本：202403B 9/9 注意事项 1. 吉林华微电子股份有限公司的产品销售分为直销和销售代理，无论哪种方式，订货时请与公司核实。 2. 购买时请认清公司商标，如有疑问请与公司本部联系。 3. 在电路设计时请不要超过器件的绝对最大额定值，否则会影响整机的可靠性。 4. 本说明书如有版本变更不另外告知。 NOTE 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this. specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 吉林华微电子股份有限公司 公司地址：吉林省吉林市深圳街99 号 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址：www.hwdz.com.cn CONTACT JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel： 86-432-64678411 Fax：86-432-64665812 Web Site：www.hwdz.com.cn