MC80N10A JSMC | Alldatasheet

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Technical content

版本： 20200 A N 沟道增强型场效应晶体管 N CHANNEL MOSFET M C N A 订 货 型 号 Order codes 印 记 Marking 封 装 Package 有卤 条管 Halogen Tube 无卤 条管 Halogen Free Tube 有卤 编带 Halogen Reel 无卤 编带 Halogen Free Reel MC N A R B MC80N10A R BR MC80N10A R A MC80N10A R A R MC80N10A DPAK MC80N10A I B MC80N10A I BR N/A N/A MC80N10A IPAK 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS I D A V DSS 100 V Rdson max (@Vgs=10V 7.8 m Ω Qg typ 53.5 nC 产品特性 沟槽功率 MOSFET 技术 低 R DS ON 低栅极电荷 开关速度快

FEATURES

R DS ON L ow gate charge Fast switching 订货信息 ORD ER MESSAGE 用途 电信与工业领域隔 离 DC/DC 转换 同步整流领域 DC/DC 与 AC/DC 转换

APPLICATIONS

M C N A 版本： 20200 A 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 漏极电流由最高结温限制 *Drain current limited by maximum junction temperature 项 目 Parameter 符 号 Symbol 数 值 Value 单 位 Unit M C N A 最高漏极－源极直流电压 Drain Source Voltage V DSS 100 V 连续漏极电流 Drain Current continuous I D T=25 A I D 100 44.3 A 最大脉冲漏极电流 Dra in Current pulse note 1 I DM A 最高栅源电压 Gate Source Voltage V GSS V 单脉冲雪崩能量 Single Pulsed Avalanche Energy note 2 E AS 231 mJ 雪崩电流 Avalanche Current note 1 I A S A 耗散功率 Power Dissipation P D T C =25 Derate above W 最高结温及存储温度 Operating and Storage Temperature Range T J T STG

M C N A 版本： 20200 A 电特性 E LECTRICAL C HARACTERISTICS 项 目 Param eter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最 小 Min 典型 Typ 最 大 Max 单 位 Units 关态特性 Off Characteristics 漏－源击穿电压 Drain Source Voltage BV DSS I D =250 μ A, V GS =0V 100 V 零栅压下漏极漏电流 Zero Gate Voltage Drain Current I DSS V DS V,V GS =0V, T C =25 μA V DS V,V GS =0V, T C μA 正向栅极体漏电流 Gate body leakage current, forward I GSSF V DS =0V, V GS V 100 nA 反向栅极体漏电流 Gate body leakage current, reverse I GSSR V DS =0V, V GS V 100 nA 通态特性 On Characteristics 阈值电压 Gate Threshold Voltage V GS(th) V DS = V GS I D =250 μ A V 静态导通电阻 Static Drain Source On Resistance R DS(ON) V GS V , I D A 6.5 7.8 m Ω V GS 4.5 V , I D A 9.0 11.6 m Ω 正向跨导 Forward Transconductance g fs V DS V , I D A note 4 S 动态特性 Dynamic Characteristics 输入电容 Input capacitance C iss V DS V GS =0V, f=1.0MH Z 3250 6500 pF 输出电容 Output capacitance C oss 867 1730 pF 反向传输电容 Reverse transfer capacitance C rss 116 pF 栅电阻 Gate resistance Rg V DS V,V GS =0V,f=1.0MH Z 1.2 Ω

M C N A 版本： 20200 A 电特性 E LECTRICAL C HARACTERISTIC S 开关特性 Switching Characteristics 延迟时间 Turn On delay time t d (on) V DD V GS =10V I D A,R G Ω note 14.6 ns 上升时间 Turn On rise time t r 32.8 ns 延迟时间 Turn Off delay time t d (off) 62.2 125 ns 下降时间 Turn Off Fall time t f 28.4 ns 栅极电荷总量 Total Gate Charge Q g V DS V , I D A V GS =10V note 53.5 nC 栅－源电荷 Gate Source charge Q gs 7.5 nC 栅－漏电荷 Gate Drain charge Q gd 13.3 nC 漏－源二极管特性及最大额定值 Drain Source Diode Characteristics and Maximum Ratings 正向最大连续电流 Maximum Continuous Drain Source Diode Forward Current I S T C =25 A 正向最大脉冲电流 Maximum Pulsed Drain Source Diode Forward Current I SM T C =25 A 正向压降 Drain Source Diode Forward Voltage V SD T J =25 V GS =0V, I S A V 热特性 T HERMAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 符 号 Symbol 最大 Max 单位 Unit M C80 N A 结到管壳的热阻 Thermal Resistance, Junction to Case R th(j 结到环境的热阻 Thermal Resistance, Junction to Ambient R th(j 注释： ：脉冲宽度由最高结温限制 I AS A, V DD V GS =10V L=0.1 mH, R G =25 Ω, 起始结温 T J ：脉冲测试：脉冲宽度 ≤300μs, 占空比 ：基本与工作温度无关 Notes: Pulse width limited by maximum junction temperature I AS A, V DD V GS =10V L=0.1 mH, R G =25 Ω,Starting T J =25 Pulse Test Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2 Essentially independent of operating temperature

M C N A 版本： 20200 A 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) Safe Operating Area Transient Thermal Resp onse Curve Continuous Drain Current vs.Tj Normalized RDSON vs.Tj Normalized Vth vs.Tj Gate Charge Charateristics

M C N A 版本： 20200 A 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA DPAK 单位 Unit mm

M C N A 版本： 20200 A IPAK

M C N A 版本： 20200 A 注意事项 吉林华微电子股份有限公司的产品销售分 为直销和销售代理，无论哪种方式，订货 时请与公司核实。 购买时请认清公司商标，如有疑问请与公 司本部联系。 在电路设计时请不要超过器件的绝对最大 额定值，否则会影响整机的可靠性。 本说明书如有版本变更不另外告知 NOTE 1. Jilin Sino microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, p lease don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this specification sheet and is subject to ch ange without prior notice. 联系方式 吉林华微电子股份有限公司 公司地址：吉林省吉林市深圳街 号 邮编： 132013 总机： 432 64678411 传真： 432 64665812 网址： www.hwdz.com.cn 市场营销部 地址：吉林省吉林市深圳街 号 邮编： 132013 电话： 432 64675588 64675688 64678411 传真 : 86 432 64671533 CONTACT JILIN SINO MICROELECTRONICS CO., LTD. ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel 432 64678411 Fax 432 64665812 Web Site www.hwdz.com.cn MAR KET DEPARTMENT ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel: 86 432 64675588 64675688 64678411 Fax: 86 432 64671533