LWT676 SIEMENS | Alldatasheet

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Technical content

Features

  • GaN technology
  • color: white x = 0.30, y = 0.32 according to CIE1931
  • viewing angle: Lambertian Emitter (120°)
  • ESD withstand voltage of 2 kV according to MIL STD 883D, Method 3015.7
  • JEDEC Level 2
  • white colored SMT package
  • suitable for all SMT assembly and soldering methods
  • available on 8 mm tape reels Anwendungen
  • Innenbeleuchtungen und Hinterleuchtungen im Automobilbereich
  • Anzeigen im Innen und Außenbereich
  • LCD-Hinterleuchtungen
  • Schalter-Hinterleuchtungen
  • Batterie-Taschenlampen
  • Notausgangsbeleuchtungen
  • Leselampen
  • Sehr gute Alternative zur Glühlampe

Applications

  • illumunations and backlighting for interior automotive applications
  • indoor and outdoor message boards
  • LCD backlighting
  • switch backlighting
  • battery torches
  • emergency exit illuminations
  • lamps for reading purposes
  • very good alternative to incandescent lamps

Semiconductor Group 2 1998-11-05 Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I V max / I V min ≤ 1.6. Luminous intensity ratio in one packaging unit I V max / I V min ≤ 1.6. Helligkeitswerte werden bei einer Strompulsdauer von 25 ms spezifiziert. Luminous intensity is specified at a current pulse duration of 25 ms. Typ Type Emissions- farbe Color of Emission Farbe der Lichtaustritts- fläche Color of the Light Emitting Area Lichtstärke Luminous Intensity IF = 10 mA I V (mcd) Lichtstrom Luminous Flux IF = 10 mA Φ V (mlm) Bestellnummer Ordering Code LW T676 LW T676-L2 LW T676-M1 LW T676-M2 LW T676-N1 white colored diffused 50 (typ.) 60 (typ.) 80 (typ.) 100 (typ.)) Q62703-Q4450

Semiconductor Group 3 1998-11-05 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit Betriebstemperatur Operating temperature range Lagertemperatur Storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 °C Durchlaßstrom Forward current IF 20 mA Sperrspanung1) Reverse voltage1) VR 5V Verlustleistung Power dissipation TA ≤ 25 °C Ptot 90 mW Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Montage auf PC-board* ) (Padgröße ≥ 16 mm 2) mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm2) Rth JA 500 K/W 1) Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden. 1) Reverse biasing should be avoided. *) PC-board: FR4

Semiconductor Group 4 1998-11-05 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics 1) Farbortgruppen Chromaticity coordinate groups Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit typ. max. Farbkoordinate x nach CIE 1931 1) Chromaticity coordinate x acc. to CIE 1931 1) IF = 10 mA x 0.300 – – Farbkoordinate y nach CIE 1931 1) Chromaticity coordinate y acc. to CIE 1931 1) IF = 10 mA y 0.320 – – Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel) Viewing angle at 50% Iv 2ϕ 120 – Grad deg. Durchlaßspannung Forward voltage IF = 10 mA VF 3.5 4.2 V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V IR 0.01 10 µA Temperaturkoeffizient von x (IF = 10 mA) Temperature coefficient of x (IF = 10 mA) TC x 0.07 – 10 -3/K Temperaturkoeffizient von y (IF = 10 mA) Temperature coefficient of y (IF = 10 mA) TC y 0.25 – 10 -3/K Temperaturkoeffizient von VF (IF = 10 mA) Temperature coefficient of VF (IF = 10 mA) TC V – 3.1 – mV/K Gruppe Group xy min. max. min. max. 1 0.280 0.325 0.300 0.350 2 0.285 0.330 0.330 0.380 3 0.295 0.340 0.345 0.395 4 0.270 0.315 0.285 0.335

Semiconductor Group 5 1998-11-05 Relative spektrale Emission I rel = f (λ), TA = 25 °C, IF = 10 mA Relative spectral emission V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic OHL00467 380 100 nm Ιrel λ 420 460 500 540 580 620 660 700 740 λV 0.2 0.4 1.0 0.8 0.6 ϕ 1.0 0.8 0.6 0.4 50˚ 60˚ 70˚ 80˚ 90˚ 100˚

Semiconductor Group 6 1998-11-05 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 °C Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 °C Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 10 mA V OHL00432 F FΙ V 010 110 10 2 T OHL00448 A FΙ 02 0 4 0 60 80 C 100 mA Ι OHL00469 F -110 V (10 mA)Ι 10 -3 0 10 1 10 2 55 m A ΙV T OHL00442 VΙ -20 0 20 40 60 C 100 A ΙV (25 ˚C) 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2

Semiconductor Group 7 1998-11-05 Maßzeichnung (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified) Kathodenkennung: abgeschrägte Ecke Cathode mark: bevelled edge (typ) 0.7 0.9 1.7 2.1 0.12 0.18 0.5 1.1 3.3 3.7 0.4 0.6 2.6 3.0 2.1 2.3 Cathode/Collector marking 3.0 3.4 2.4 Approx. weight 0.03 g 0.8 0.6 0.1 Cathode/Collector GPL06724