LST776 SIEMENS | Alldatasheet

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Technical content

Features

  • color of package: white
  • for use as optical indicator
  • for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
  • suitable for all SMT assembly and soldering methods
  • available taped on reel (12 mm tape) Hyper TOPLED ® RG Hyper-Bright LED LS T776, LA T776, LO T776 LY T776

LS T776, LA T776, LO T776, LY T776 Semiconductor Group 2 Streuung der Lichtstärke in einer VerpackungseinheitIV max /IV min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unitIV max /IV min ≤ 2.0. Typ Type Emissions- farbe Color of Emission Farbe der Lichtaustritts- fläche Color of the Light Emitting Area Lichtstärke Luminous Intensity IF = 20 mA IV (mcd) Lichtstrom Luminous Flux IF = 20 mA Φ V (mlm) Bestellnummer Ordering Code LS T776-NR LS T776-P LS T776-Q LS T776-R LS T776-PS super-red colorless clear 25 … 200 40 … 80 63 … 125 100 … 200 40 … 320 180 (typ.) 300 (typ.) 450 (typ.) Q62703-Q3270 Q62703-Q3271 Q62703-Q3272 Q62703-Q3273 Q62703-Q3274 LA T776-PS LA T776-Q LA T776-R LA T776-S LA T776-QT amber colorless clear 40 … 320 63 … 125 100 … 200 160 … 320 63 … 500 300 (typ.) 450 (typ.) 700 (typ.) Q62703-Q3914 Q62703-Q3915 Q62703-Q3916 Q62703-Q3917 Q62703-Q3918 LO T776-PS LO T776-Q LO T776-R LO T776-S LO T776-QT orange colorless clear 40 … 320 63 … 125 100 … 200 160 … 320 63 … 500 300 (typ.) 450 (typ.) 700 (typ.) Q62703-Q3275 Q62703-Q3276 Q62703-Q3277 Q62703-Q3278 Q62703-Q3279 LY T776-PS LY T776-Q LY T776-R LY T776-S LY T776-QT yellow colorless clear 40 … 320 63 … 125 100 … 200 160 … 320 63 … 500 300 (typ.) 450 (typ.) 700 (typ.) Q62703-Q3280 Q62703-Q3281 Q62703-Q3282 Q62703-Q3283 Q62703-Q3284

LS T776, LA T776, LO T776, LY T776 Semiconductor Group 3 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit LS, LO, LA LY Betriebstemperatur Operating temperature range Lagertemperatur Storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 ˚C Durchlaßstrom Forward current IF 30 20 mA Stoßstrom Surge current t≤ 10 µs,D = 0.005 IFM 1 0.2 A Sperrspanung1) Reverse voltage1) VR 3V Verlustleistung Power dissipation Ptot 80 55 mW Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Montage auf PC-board* ) (Padgröße ≥16 mm 2) mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm2) Rth JA 500 K/W 1) Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden. 1) Reverse biasing should be avoided. *) PC-board: FR4

LS T776, LA T776, LO T776, LY T776 Semiconductor Group 4 Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit LS LA LO LY Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.) Wavelength at peak emission (typ.) IF = 20 mA λpeak 645 622 610 591 nm Dominantwellenlänge (typ.) Dominant wavelength (typ.) IF = 20 mA λdom 632 615 605 587 nm Spektrale Bandbreite bei 50%Irel max (typ.) Spectral bandwidth at 50%Irel max (typ.) IF = 20 mA Δλ 16 16 16 15 nm Abstrahlwinkel bei 50%Iv (Vollwinkel) Viewing angle at 50%Iv 2ϕ 120 120 120 120 Grad deg. Durchlaßspannung (typ.) Forward voltage (max.) IF = 20 mA VF VF 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 V V Sperrstrom (typ.) Reverse current (max.) VR = 3 V IR IR 0.01 0.01 0.01 0.01 µA µA Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 20 mA) Temperature coefficient ofλdom (IF = 20 mA) TC λ 0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K Temperaturkoeffizient vonλpeak, IF = 20 mA (typ.) Temperature coefficient ofλpeak, IF = 20 mA (typ.) TC λ 0.14 0.13 0.13 0.13 nm/K Temperaturkoeffizient vonVF, IF = 20 mA (typ.) Temperature coefficient ofVF, IF = 20 mA (typ.) TC V – 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K

LS T776, LA T776, LO T776, LY T776 Semiconductor Group 5 Relative spektrale EmissionIrel =f (λ),TA = 25 ˚C,IF = 10 mA Relative spectral emission V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve Abstrahlcharakteristik Irel =f (ϕ) Radiation characteristic

LS T776, LA T776, LO T776, LY T776 Semiconductor Group 6 Durchlaßstrom IF =f (VF) Forward current TA = 25 ˚C Relative LichtstärkeIV/IV(20 mA) =f (IF) Relative luminous intensity TA = 25˚C Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF =f (TA) Relative LichtstärkeIV /IV(25˚C ) =f (TA) Relative luminous intensity IF = 20 mA

LS T776, LA T776, LO T776, LY T776 Semiconductor Group 7 Maßzeichnung (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified) Kathodenkennung: abgeschrägte Ecke Cathode mark: bevelled edge GPL06899 Zulässige ImpulsbelastbarkeitIF =f (tp) Permissible pulse handling capability LS, LA, LO Duty cycle D = parameter,TA = 25 ˚C Zulässige ImpulsbelastbarkeitIF =f (tp) Permissible pulse handling capability LY Duty cycle D = parameter,TA = 25 ˚C