LPXXR060S

LPXXR060S LANDP | Alldatasheet

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高性能副边同步整流驱动芯片 LPXXR060S_CN_DS_Rev.0.98 www.chip-hope.com SHENZHEN Chip Hope Micro-electronics L TD Confidential– Customer Use Only 概述 LPXXR060S 是一款高性能的副边同步整流芯片， 集成同步整流MOS， 适用于隔离型的同步整流应用。 尤其适用于充电器中对高效率的需求场合。 LPXXR060S 采用专利的整流管开通技术和周期追 踪技术，可以有效的避免因激磁振荡引起的驱动芯 片误动作以及在CCM 工作条件下纯电压判定的关 断延迟造成的效率损失。 LPXXR060S 采用特有的VCC 供电技术，可以保证 芯片不会欠电工作。 另外 LPXXR060S 还集成了VCC 欠压保护， 过压钳 位，以及驱动脚去干扰等技术。 LPXXR060S 采用SOP7/SOP8 封装 特点  隔离型的同步整流控制应用  集成同步整流管  兼容DCM，BCM，QR，CCM 多种工作模式  专利的整流管开通技术和周期追踪技术  特有的VCC 供电技术  芯片供电欠压保护  芯片过压钳位  芯片启动前驱动脚防误导通  外围元器件少 应用  充电器和适配器的同步整流  反激式控制器 典型应用 AC VCC DGND PWM gnd VD LPXXR060S AC VCC D GND PWM VD LPXXR060S 图 1 输出上端 图 2 输出下端（适用输出电压5V） 定购信息 定购型号 封装 包装形式 打印 LP10R060S SOP8 编带 4,000 颗/盘 LP10R060S XXXX LP15R060S SOP7 编带 4,000 颗/盘 LP15R060S XXXX LP20R060S SOP7 编带 4,000 颗/盘 LP20R060S XXXX XXXX：批号

高性能副边同步整流驱动芯片 LPXXR060S_CN_DS_Rev.0.98 www.chip-hope.com SHENZHEN Chip Hope Micro-electronics L TD Confidential– Customer Use Only 管脚封装 D VD D VCC GND GND LP10R060S XXXX D D D NC D VCC GND GND LP15R060S XXXX VD D NC D VCC GND GND LP20R060S XXXX VD 图3 管脚封装图 管脚描述 管脚名称 描述 VD 芯片高压供电以及信号检测脚，外接电阻后，与D 脚连接 NC 悬空 VCC 芯片电源 GND 芯片地，内置同步整流管源极 D 内置同步整流管漏极 极限参数(注1) 符号 参数 参数范围 单位 VD 芯片高压供电以及信号检测脚 -0.3~60 V VCC 电源电压 -0.3~6 V PDMAX 功耗(注2) 0.45 W θJA PN结到环境的热阻 120 ℃/W θJC PN结到管壳的热阻 60 ℃/W TJ 工作结温范围 -40 to 150 ℃ TSTG 储存温度范围 -55 to 150 ℃ ESD (注3) 2 KV 注 1：最大极限值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。推荐工作范围是指在该范围内，器件功能正常，但并不完全 保证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数 规范。对于未给定上下限值的参数，该规范不予保证其精度，但其典型值合理反映了器件性能。 注 2：温度升高最大功耗一定会减小，这也是由TJMAX, θJA,和环境温度 TA 所决定的。最大允许功耗为PDMAX = (TJMAX - TA)/ θJA 或是极限范围给出的数字中比较低的那个值。 注 3：人体模型，100pF 电容通过1.5KΩ 电阻放电。

高性能副边同步整流驱动芯片 LPXXR060S_CN_DS_Rev.0.98 www.chip-hope.com SHENZHEN Chip Hope Micro-electronics L TD Confidential– Customer Use Only 电气参数(注 4, 5)（无特别说明情况下，VCC =5.2 V ,TA =25℃） 符号 描述 条件 最小值 典型值 最大值 单位 电源电压 VCC VCC 工作电压 5.2 V VCC_ON VCC 启动电压 VCC 上升 3.6 V VCC_UVLO VCC 欠压保护阈值 VCC 下降 3.2 V IST VCC 启动电流 VCC= VCC-ON - 0.5V 120 uA Icc VCC 工作电流 260 uA Vcc_clamp VCC 钳位电压 ICC=40mA 6.0 V 阈值电压设置 VON 整流管开通电压阈值 -0.2 V VOFF1 整流管第一关断阈值 快速比较器 -5 mV Tb1 快速比较器屏蔽时间 3.4 us Td1 快速比较器响应时间 10 ns Td 总关断延迟 Cg=5nF 30 ns VOFF2 整流管第二关断阈值 慢速比较器 -5 mV Tb2 慢速比较器屏蔽时间 1.3 us 驱动能力 TRISE 驱动上升时间 CGATE=5nF 25 ns TFALL 驱动下降时间 CGATE=5nF 25 ns 功率管 LP10R 060S RDS_ON 功率管导通阻抗 VGS=6.5V/IDS=0.1A 8 mΩ BVDSS 内置功率管击穿电压 VGS=0V/IDS=25uA 60 V ID 连续漏极电流 TC=25℃ 18 A LP15R 060S RDS_ON 功率管导通阻抗 VGS=6.5V/IDS=0.1A 15 mΩ BVDSS 内置功率管击穿电压 VGS=0V/IDS=25uA 60 V ID 连续漏极电流 TC=25℃ 12 A LP20R 060S RDS_ON 功率管导通阻抗 VGS=6.5V/IDS=0.1A 25 mΩ BVDSS 内置功率管击穿电压 VGS=0V/IDS=25uA 60 V ID 连续漏极电流 TC=25℃ 7 A 注 4：典型参数值为25˚C 下测得的参数标准。 注 5：规格书的最小、最大规范范围由测试保证，典型值由设计、测试或统计分析保证。

高性能副边同步整流驱动芯片 LPXXR060S_CN_DS_Rev.0.98 www.chip-hope.com SHENZHEN Chip Hope Micro-electronics L TD Confidential– Customer Use Only 内部结构框图 电源产生模块 BG VREF IREF BG Vref UVLO POK LOGIC Driver VCC GND D BG SR_ONON POK 原边开通判定Vref -0.2V VD -5mV -5mV 钳位电路 OFF1 OFF2 CMP1 CMP2 CMP VD VD 图4 LPXXR060S 内部框图 应用信息 LPXXR060S 是一款高性能的副边同步整流芯片， 集成同步整流MOS，适用于隔离型的同步整流应 用，支持DCM，BCM，CCM 和 QR 多种工作模 式。LPXXR060S 采用专利的整流管开关技术，可 以有效的避免因激磁振荡引起的驱动芯片误动作 以及在CCM 工作条件下纯电压判定的关断延迟 造成的效率损失。LPXXR060S 采用特有的VCC 供电技术，可以保证在原边控制系统恒流和恒压 两种工作状态下，芯片都不会欠压工作。 启动 当系统上电后， 通过内置MOS 的体二极管对输出 电容充电，输出电压上升。LPXXR060S 通过 VS 脚连接输出电压。当输出电压上升时，经过芯片 内部供电电路，给 VCC 电容充电，当 VCC 的电 压充到开启阈值电压时，芯片内部控制电路开始 工作，MOS 正常的导通和关断。MOS 正常的导通 时，电流不再从体二极管流过，而从MOS 的沟道 流过。芯片正常工作时，所需的工作电流仍然通 过 VS 脚，给VCC 供电。 同步整流管导通 DCM 工作时，由于电感的激磁作用，当初级芯片 关断时， 会产生振荡。 为了防止误检测振荡信号， 导致同步整流管的异常开启， LPXXR060S 采用 专利的整流管开通技术。 当初级芯片关断时，次级 LPXXR060S 的漏极 D 与 GND 之间的电压迅速下降。 LPXXR060S 通过 检测D 和GND 之间的下降电压阈值和下降速率， 能准确的判断同步整流管的开启。 同步整流管关断

高性能副边同步整流驱动芯片 LPXXR060S_CN_DS_Rev.0.98 www.chip-hope.com SHENZHEN Chip Hope Micro-electronics L TD Confidential– Customer Use Only 为了避免同步整流管导通时，因激磁振荡幅度较 大，导致误检测关断信号，使同步整流管异常的 关断；LPXXR060S 通过设定的整流管第一关断电 压阈值和第二关断电压阈值，能准确地判断同步 整流管的关断。 VD 与 D 之间串电阻说明 为了加强可靠性， 需要在D 与VD 之间串10Ω~300 Ω电阻。 D和 GND之间 RC吸收回路 与肖特基应用一样，LPXXR060S 的D 和GND 之 间可以加适当的 RC 吸收回路，改善 EMI 和尖刺 电压。 保护功能 LPXXR060S 集成了 VCC 欠压保护，过压钳位， 以及驱动脚去干扰等技术。 PCB 设计 在设计LPXXR060S PCB 时， 需要遵循以下指南： 1）主功率回路走线要短粗 2）VS 自供电时，VCC 的旁路电容需要紧靠芯片 VCC 管脚和GND 管脚。 3）放输出下端，VCC 接输出电压正端供电时， VCC 和GND 要尽量靠近输出电容的两端 4）增加D 引脚的铺铜面积以提高芯片散热。

高性能副边同步整流驱动芯片 LPXXR060S_CN_DS_Rev.0.98 www.chip-hope.com SHENZHEN Chip Hope Micro-electronics L TD Confidential– Customer Use Only 封装信息（SOP8）

高性能副边同步整流驱动芯片 LPXXR060S_CN_DS_Rev.0.98 www.chip-hope.com SHENZHEN Chip Hope Micro-electronics L TD Confidential– Customer Use Only 封装信息（SOP7） e D E θ c L b A2 1 A