LD261 SIEMENS | Alldatasheet

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Technical content

Features

  • GaAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process
  • High reliability
  • Available in bins
  • Same package as BPX 81

Applications

  • Miniature photointerrupters
  • Punched tape readers
  • Industrial electronics
  • For control and drive circuits LD 261 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. GEO06021 2.4 2.1 0.7 0.6 Collector (BPX 81) Cathode (LD 261) 2.54 mm spacing 1.5 2.1 2.7 2.5 3.2 3.6 3.0 3.5 1.9 1.7 position Chip 0.25 0.15 1.4 1.0 AA0.4 0.5 0.4 Radiant sensitive area (0.4 x 0.4) Approx. weight 0.03 g Detaching area for tools, flash not true to size.1) 5...0 feo06021 Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package LD 261 Q62703-Q395 Leiterbandgehäuse, klares Epoxy-Gießharz, linsenför- mig im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Kathodenkennzeich- nung: Nase am Lötspieß Lead frame, transparent epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: projec- tion at solder lead LD 261-5 Q62703-Q67

Semiconductor Group 2 1997-11-01 LD 261 Grenzwerte (TA = 25°C) Maximum Ratings Bezeichnung

Description

Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top;Tstg – 40 ... + 80 °C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj 80 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 5V Durchlaßstrom Forward current IF 50 mA Stoßstrom,τ≤ 10 µs,D = 0 Surge current IFSM 1.6 A Verlustleistung Power dissipation Ptot 70 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA RthJL 750 650 K/W K/W Kennwerte ( TA = 25°C) Characteristics Bezeichnung Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 50 mA,tp = 20 ms λpeak 950 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % vonImax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 50 m A,tp = 20 ms Δλ 55 nm Abstrahlwinkel Half angle ϕ± 15 Grad deg. Aktive Chipfläche Active chip area A 0.25 mm 2 Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area L × B L × W 0.5× 0.5 mm Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip surface to lens top

Semiconductor Group 3 1997-11-01 Gruppierung der StrahlstärkeIe in Achsrichtung gemessen bei einem RaumwinkelΩ = 0.01 sr Grouping of radiant intensityIe in axial direction at a solid angle ofΩ = 0.01 sr Schaltzeiten,Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, beiIF = 50 mA,RL = 50Ω Switching times,Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %,IF = 50 mA,RL = 50Ω tr,tf 1 µs Kapazität,VR = 0 V Capacitance C o 40 pF Durchlaßspannung Forward voltage IF = 50 mA,tp = 20µs VF 1.25(≤ 1.4) V Sperrstrom, VR = 5 V Reverse current IR 0.01 (≤1)µ A Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux IF = 50 mA,tp = 20 ms Φ e 9m W Temperaturkoeffizient vonIe bzw.Φ e, IF = 50 mA Temperature coefficient ofIe orΦ e, IF = 50 mA TC I – 0.55 %/K Temperaturkoeffizient vonVF,IF = 50 mA Temperature coefficient of VF,IF = 50 mA TC V – 1.5 mV/K Temperaturkoeffizient vonλpeak,IF = 50 mA Temperature coefficient ofλpeak,IF = 50 mA TC λ 0.3 nm/K Bezeichnung Strahlstärke Radiant intensity Kennwerte (TA = 25°C) Characteristics Bezeichnung

Semiconductor Group 4 1997-11-01 LD 261 Relative spectral emission Irel= f(λ) Forward current IF = f(VF), single pulse,tp = 20µs OHRD1938 λ relΙ 880 920 960 1000 nm 1060 100 V OHR01042 F FΙ 110 010 -110 10 -2 A 1.5 2 2.5 3 3.5 4 V 4.5 max.typ. Radiant intensity Single pulse,tp = 20µs Permissible pulse handling capability IF = f(τ),TC = 25°C, duty cycleD = parameter Ie Ie 100 mA =f(IF) Ι OHR01039 F -110 10 0 110 210 10 -2 -1 10 010 A 10 1 Ιe Ιe (100 mA) ΙF OHR02182 τ 210 310 410 mA -510 10 -4 -310 -210 -110 010s T τ=D FΙ T τ DC 0,5 0,2 0,1 0,05 0,005 0,01 0,02 D Max. permissible forward current IF = f(TA) T OHR01124 A FΙ 0 2 04 06 08 0 1 0 0 C mA TL, R thJL= 650 K/W = 750 K/WthJAR Radiation characteristicsIrel= f(ϕ) OHR01878 02 0 40 60 80 100 1200.40.60.81.0 100 010203040 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0ϕ