LD242 SIEMENS | Alldatasheet

Document overview

  • Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
  • PDF pages: 5

Technical content

Features

l GaAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process l Cathode is electrically connected to the case l High reliability l Wide beam l Same package as BP 103, BPX 63, SFH 464, SFH 483 l DIN humidity category in acc. with DIN 40 040 GQG

Applications

l IR remote control and sound transmission l Photointerrupters LD 242 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. fet06625 ø5.5 ø5.2 ø4.3 ø4.1 Chip position 3.6 3.0 14.5 12.5 ø0.45 2.54 mm spacing GET06625 Approx. weight 0.5 g 2.7 0.91.1 1.10.9 Anode Cathode (SFH 483) (LD 242, BPX 63, SFH 464) Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package LD 242-2 Q62703-Q198 Bodenplatte nach 18 A3 DIN 41876 (TO-18), klares Epoxy-Gießharz, linsenförmig im 2.54-mm-Raster (1/10’’) Base plate as per 18 A3 DIN 41876 (TO-18), transpar- ent epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm 1/10’’) LD 242-3 Q62703-Q199 LD 242 E7800 Q62703-Q3509

Semiconductor Group 2 1998-07-15 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung

Description

Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 80 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 5V Durchlaßstrom, TC = 25 °C Forward current IF 300 mA Stoßstrom, t £ 10 ms, D = 0 Surge current IFSM 3A Verlustleistung, TC = 25 °C Power dissipation Ptot 470 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA RthJC 450 160 K/W K/W Kennwerte ( TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms lpeak 950 nm Spektraler Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 100 m A, tp = 20 ms Dl 55 nm Abstrahlwinkel Half angle j– 40 Grad deg. Aktive Chipfläche Active chip area A 0.25 mm 2 Abmessungen der aktive Chipfläche Dimension of the active chip area L · B L · W 0.5· 0.5 mm Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip surface to lens top

Semiconductor Group 3 1998-07-15 LD 242 Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 W Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 W tr, tf 1 ms Kapazität Capacitance VR = 0 V C o 40 pF Durchlaßspannung Forward voltage IF = 100 mA IF = 1 A, tp = 100 ms VF VF 1.3 (£ 1.5) 1.9 (£ 2.5) V V Sperrstrom, VR = 5 V Reverse current IR 0.01 (£ 1)m A Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms F e 16 mW Temperaturkoeffizient von Ie bzw. F e, IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or F e, IF = 100 mA TC I – 0.55 %/K Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA TC V – 1.5 mV/K Temperaturkoeffizient von lpeak, IF = 100 mA Temperature coefficient of lpeak, IF = 100 mA TC l 0.3 nm/K Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung

Semiconductor Group 4 1998-07-15 Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel W = 0.01 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction measured at a solid angle of W = 0.01 sr 1) Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der Lochblende: 1.1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4.0 mm). Dadurch wird sichergestellt, daß bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z.B. Lichtschranken großer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Meßverfahren ergibt sich für die Anwender eine besser verwertbare Größe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag “E 7800”, der an die Typenbezeichnung angehängt ist. 1) An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by “E 7800” added to the type designation. Bezeichnung -2 -3 7800 1) Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 ms Ie Ie typ. 4 ... 8 > 6.3 1. . .3 . 2 mW/sr mW/sr

Semiconductor Group 5 1998-07-15 LD 242 Relative spectral emission Irel = f (l) Forward current IF = f (VE) OHR01938 l relI 880 920 960 1000 nm 1060 100 V OHR01040 F FI 110 010 -110 10 -2 A 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 typ. max. V Radiant intensity Single pulse, tp = 20 ms Permissible pulse handling capability IF = f (t), TC = 25 °C, duty cycle D = parameter Ie Ie 100 mA = f (IF) I OHR01037 F -110 10 0 110 210 10 -2 -1 10 010 A 10 1 Ie Ie (100 mA) t OHR01937 10 -5 s 10 2 IF mA 10 -4 10 -3 10 -2 10 0 10 3 10 4 DC 0.5 0.05 0.02 0.01 0.005 D = 0.1 FI T Pt Pt T 0.2 Max. permissible forward current IF = f (TA) T OHR00971 A FI 02 0 4 0 6 0 8 0 100˚C 100 150 200 250 mA 300 ,T L = 160 K/WthJLR R thJA = 450 K/W Radiation characteristics Irel = f (j) OHR01877 02 0 40 60 80 100 1200.40.60.81.0 100 010203040 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0j