JT05N065VAD JSMC | Alldatasheet
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Technical content
R 版本：202310B 1/10 N沟绝缘栅双极晶体管 N-CHANNEL IGBT JT05N065RAD/VAD/SAD 订 货 型 号 Order codes 印 记 Marking 封 装 Package 无卤-条管 Non halogen-Tube 无卤-编带 Non halogen-Reel JT05N065RAD-R-BR JT05N065RAD-R-AR JT05N065RAD DPAK JT05N065VAD-V-BR N/A JT05N065VAD IPAK JT05N065SAD-S-BR JT05N065SAD-S-AR JT05N065SAD TO-263 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IC 5 A VCES 650V Vcesat-typ（Vge=15V） 1.7V 用途 逆变器 PDP UPS 电源
APPLICATIONS
General purpose inverters PDP UPS 产品特性 低栅极电荷 FS 技术 通态压降 RoHS 产品
FEATURES
Low gate charge FS Technology saturation voltage RoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE
R JT05N065RAD/VAD/SAD 版本：202310B 2/10 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) *连续集电极电流由最高结温限制 *Collector current limited by maximum junction temperature 项 目 Parameter 符 号 Symbol 数 值 Value 单 位 Unit JT05N065RAD/VAD JT05N065SAD 最高集电极－发射极直流电压 Collector-Emitter Voltage Vce 650 650 V *连续集电极电流 Collector Current-continuous IC T=25℃ T=100℃ 10 10 A 5 5 A 最大脉冲集电极极电流（注1） Collector Current – pulse （note 1） ICM 20 20 A 最高栅极发射极电压 Gate-Emitter Voltage VGE ±30 ±30 V 安全工作区电流 Turn-off safe area - 20 20 A 耗散功率 Power Dissipation PD TC=25℃ 59.5 96 W 最高结温及存储温度 Operating and Storage Temperature Range TvJ，TSTG 引线最高焊接温度 Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes TL 300 300 ℃
R JT05N065RAD/VAD/SAD 版本：202310B 3/10 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Units 关态特性 Off –Characteristics 集电极－发射极击穿电压 Collector-Emitter Voltage BVCES IC=250μA, VGE=0V 650 - - V 击穿电压温度特性 Breakdown Voltage Temperature Coefficient ΔBVCES/ΔTJ IC=1mA, referenced to 25℃ - 0.5 - V/℃ 零栅压下集电极漏电流 Zero Gate Voltage Collector Current ICES VCE=650V, VGE=0V, TC=25℃ - - 10 μA 正向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, forward IGESF VCE=0V, V GE =20V - - 200 nA 反向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, reverse IGESR VCE=0V, V GE =-20V - - -200 nA 通态特性On-Characteristics 阈值电压 Gate Threshold Voltage VGE(th) VCE = VGE , I C=250μA 4.5 - 6.5 V 饱和压降 Collector-Emitter saturation Voltage VCESAT VGE=15V I C=5A 动态特性Dynamic Characteristics 输入电容 Input capacitance Cies VCE=25V, VGE=0V, f=1.0MHZ, Tj=25℃ - 289 - pF 输出电容 Output capacitance Coes - 32.7 - pF 反向传输电容 Reverse transfer capacitance Cres - 7.4 - pF 栅极电荷总量-Total Gate Charge Qg VCC=400V,Ic=5A,RG=10Ω VGE=15 V Tj=25℃ - 11.8 - nC 栅极-发射极电荷 Gate to Emitter charge Qge - 2.57 - 栅极-集电极电荷 Gate to collector charge Qgc - 5.1 - 栅极电阻 Gate resistance Rg f=1 MHz, open collector - 1.6 - Ω 短路电流- Short current Isc VGE=15V VCE=400V TJstart≤150℃ tsc≤10µ s - 30 - A
R JT05N065RAD/VAD/SAD 版本：202310B 4/10 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 开关特性Switching Characteristics 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Units 开启延迟时间Turn-on delay time td(on) VCC=400V,Ic=5A,RG=60Ω VGE=15 V Tj=25℃ - 22 - ns 上升时间Turn-on rise time tr - 13 - ns 关断延迟时间Turn-off delay time td(off) - 91 - ns 下降时间Turn-off Fall time tf - 25 - ns 开通损耗Turn-on energy Eon - 123 - μJ 关断损耗 Turn-off energy Eoff - 53 - μJ 总开关损耗 Total switching energy Etot - 176 - μJ 反并联二极管特性及最大额定值 Anti-Parallel Diode Characteristics and Maximum Ratings 正向压降 Diode Forward Voltage VF VGE=0V, IF=5A , Tj=25℃ - 1.5 2.2 V 反向恢复时间 Diode Reverse recovery time trr VGE=0V, VR=400V IF=5A dIF/dt=200A/μs, Tj=25℃ - 33 - ns 反向恢复电荷 Diode Reverse recovery charge Qrr - 145 - nC 反向恢复电流 Diode Reverse recovery Current IRRM - 2.7 - A 项 目 Parameter 符 号 Symbol 最大值 Max 单 位 Unit JT05N065RAD/VAD JT05N065SAD 结到管壳的热阻-IGBT Thermal Resistance, Junction to Case Rth(j-c) 2.1 1.3 ℃/W 结到环境的热阻 Thermal Resistance, Junction to Ambient Rth(j-A) 110 60 ℃/W 注释： 1：脉冲宽度由最高结温限制 Notes: 1：Pulse width limited by maximum junction temperature
R JT05N065RAD/VAD/SAD 版本：202310B 5/10 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) Output Characteristics Tj=25℃ Output Characteristics Tj=150℃ Typical Transfer Characteristics Capacitance Characteristics Gate Charge Characteristics Diode Characteristic
R JT05N065RAD/VAD/SAD 版本：202310B 6/10 Switching Time vs Ic Tj=150℃,Vge=15V ,Vce=400V ,Rg=60Ω Switching Time vs Rg Tj=150℃,Vge=15V ,Vce=400V ,Ic=5A Switching Time vs TJ Vge=15V ,Vce=400V ,Rg=60Ω,Ic=5A Switching Loss vs Ic Tj=150℃,Vge=15V ,Vce=400V ,Rg=60Ω Switching Loss vs Rg Tj=150℃,Vge=15V ,Vce=400V ,Ic=5A Switching Loss vs TJ Vge=15V ,Vce=400V ,Ic=5A,Rg=60Ω
R JT05N065RAD/VAD/SAD 版本：202310B 7/10 Switching Loss vs Vce Tj=150℃,Vge=15V ,Ic=5A, Rg=60Ω Vcesat vs TJ Vge =15V SOA Characteristics For DPAK/IPAK SOA Characteristics For TO-263 Transient Thermal Impedance For DPAK/IPAK(IGBT) Transient Thermal Impedance For TO-263(IGBT)
R JT05N065RAD/VAD/SAD 版本：202310B 8/10
R JT05N065RAD/VAD/SAD 版本：202310B 9/10
R JT05N065RAD/VAD/SAD 版本：202310B 10/10 注意 1. 吉林华微电子股份有限公司的产品销售分为直销和销售代理，无论哪种方式，订货时请与公 司核实。 2. 购买时请认清公司商标，如有疑问请与公司本部联系。 3. 在电路设计时请不要超过器件的绝对最大额定值，否则会影响整机的可靠性。 4. 本说明书如有版本变更不另外告知。 NOTE 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this. specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 吉林华微电子股份有限公司 公司地址：吉林省吉林市深圳街99 号 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址：www.hwdz.com.cn CONTACT JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel： 86-432-64678411 Fax：86-432-64665812 Web Site：www.hwdz.com.cn