JT030N065F6MD1E JSMC | Alldatasheet
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R 版本：202205A 1/11 IGBT 模块 IGBT Modules IGBT JT030N065F6MD1E 订货信息 ORDER MESSAGE 订 货 型 号 Order codes 印 记 Marking 封 装 Package 包 装 Packaging 器件重量 Device Weight JT030N065F6MD1E JT030N065F6MD1E EasyPack1B 模块 盒装 24g(typ) 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IC 30A VCES 650V Vcesat_typ （Vge=15V） 1.75V 用途 辅助逆变器 电机传动 空调
APPLICATIONS
Auxiliary inverter Motor Drives air conditioning 产品特性 FS 技术 低通态压降, VCE(sat), typ =1.75V,IC = 30A and TC= 25° C VCEsat 正温度系数 低开关损耗
FEATURES
FS Technology Low saturation voltage: VCE(sat), typ =1.75V,IC = 30A and TC = 25° C VCEsat with positive Temperature Coefficient Low Switching Losses 封装 Package 外形示意图 引脚示意图 电路示意图
R JT030N065F6MD1E 版本：202205A 2/11 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) IGBT，逆变器/制动、斩波 IGBT,Inverter/Brake-Chopper 二极管，逆变器/FRD,Inverter 项 目 Parameter 条件 符 号 Symbol 数 值 Value 单 位 Unit 最高集电极－发射极直流电 压 Collector-Emmiter Voltage Tvj =25℃ Vces 650 V 连续集电极极电流 Collector Current-continuous Tc=100℃，Tvj =175℃； Tc=25℃，Tvj =175℃ IC 30 A 最大脉冲集电极极电流（注1） Collector Current – pulse （note 1） t P = 1 ms ICM 60 A 最高栅极发射极电压 Gate-Emmiter Voltage VGES ±20 V 短路时间 short circuit time VGE=15V,VCE=360V tsc 8 µs 耗散功率 Power Dissipation Tc=25℃，Tvj =150℃ PD 150 W 结温范围 JunctionTemperature Tvjmax 175 ℃ Tvjop -40~+150 项 目 Parameter 条件 符 号 Symbol 数 值 Value 单 位 Unit 反向重复峰值电压 Repetitive peak reverse voltage Tvj = 25° C VRRM 600 V 连续正向直流电流 Continuous DC forward current IF 30 A 正向重复峰值电流 Repetitive peak forward current tP = 1 ms IFRM 60 A I2t-值 I² t value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150° C I2t 82 A2S
R JT030N065F6MD1E 版本：202205A 3/11 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS IGBT，逆变器/制动、斩波 IGBT,Inverter/Brake-Chopper 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Unit 关态特性 Off –Characteristics 集电极－发射极击穿电压 Collector-Emmiter Voltage BVCES IC=1mA,VGE=0V 650 - - V 零栅压下集电极漏电流 Zero Gate Voltage Collector Current ICES VCE=650V,VGE=0V, TC=25℃ - - 1 mA 正向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, forward IGESF VCE=0V, VGE =20V - - 400 nA 反向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, reverse IGESR VCE=0V, VGE =-20V - - -400 nA 通态特性On-Characteristics 阈值电压 Gate-Emmiter Threshold Voltage VGE(th) VCE = VGE , IC=0.25mA 5.3 5.9 6.5 V 饱和压降 Collector-Emmiter saturation Voltage VCESAT VGE=15V,IC=30A Tc=25℃ Tc=125℃ Tc=175℃ 1.75 1.95 2.1 2.2 V 短路电流（注 2） Short Collector current（Note 2） IC（SC） VGE=15V,VCE=360V,tsc ﹤8μs Tc=25℃ 170 A 动态特性Dynamic Characteristics 输入电容 Input capacitance Cies VCE=25V, VGE=0V, f=1.0MHB Z B - 1.830 nF 输出电容 Output capacitance Coes - 0.160 nF 反向传输电容 Reverse transfer capacitance Cres - 0.05 nF
R JT030N065F6MD1E 版本：202205A 4/11 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS IGBT，逆变器/制动、斩波 IGBT,Inverter/Brake-Chopper 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Unit 开关特性Switching Characteristics 开启延迟时间Turn-On delay time td(on) VCC=300V,Ic= 15A,RG=15Ω ,VGE=15 V TC=25℃ - 70 - ns 上升时间Turn-On rise time tr TC=25℃ - 30 - ns 关断延迟时间Turn-Off delay time td(off) TC=25℃ - 95 - ns 下降时间Turn-Off Fall time tf TC=25℃ - 80 - ns 开通损耗Turn-On energy Eon TC=25℃ - 0.3 - mJ 关断损耗 Turn-off energy Eoff TC=25℃ - 0.4 - mJ 总开关损耗 Total switching energy Etot TC=25℃ - 0.7 - mJ 栅极电荷总量Total Gate Charge Qg VGE 内部栅极电阻 Internal gate resistance RGint f=1 MHz, open collector 1.1 Ω 结－外壳热阻 Thermal resistance junction to case RthJC 每个IGBT per IGBT 1.15 1.3 K/W 外壳－散热器热阻 Thermal resistance case to heatsink RthCH 每个IGBT per IGBT λPaste = 1 W/(m· K) / λgrease = 1 W/(m· K)
1.1 K/W
开关下的温度 Temperature under switching conditions Tvjop -40 150 ℃
R JT030N065F6MD1E 版本：202205A 5/11 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 二极管，逆变器/FRD,Inverter 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Unit 二极管特性 Diode Characteristics 正向压降 Drain-Source Diode Forward Voltage VF VGE=0V, IS=30A， TC=25℃ - 1.5 2.2 V 反向恢复时间 Diode Reverse recovery time trr VGE=0V, VR=600V IF=30A TC=25℃ - 30 - ns 反向恢复电荷 Diode Reverse recovery charge Qrr - 400 - nC 反向恢复电流 Diode Reverse recovery Current IRRM - 23 - A 反向恢复损耗 Diode Reverse recovery energy Erec 0.072 mJ 结－外壳热阻 Thermal resistance junction to case RthJC 每个二极管 per diode 0.9 1.0 K/W 外壳－散热器热阻 Thermal resistance case to heatsink RthCH 每个二极管 per diode λPaste = 1 W/(m· K) / λgrease = 1 W/(m· K)
0.85 K/W
开关下的温度 Temperature under switching conditions Tvjop -40 150 ℃
R JT030N065F6MD1E 版本：202205A 6/11 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 二极管，整流器/Diode, Rectifier 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Unit 二极管特性 Diode Characteristics 正向压降（芯片） Diode Forward Voltage VF VGE=0V, IF=30A - 1.25 - V 反向电流 Reverse current IR Tvj = 150° C, VR = 1600 V 2 mA 结－外壳热阻 Thermal resistance junction to case RthJC 每个二极管 per diode 1.15 1.25 K/W 外壳－散热器热阻 Thermal resistance case to heatsink RthCH 每个二极管 per diode λPaste = 1 W/(m· K) / λgrease = 1 W/(m· K)
0.9 K/W
负温度系数热敏电阻/NTC-Thermistor 项 目 Parameter 符号 Symbol 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Unit 额定电阻值 Rated resistance - R25℃ 4.75 5 5.25 kohm 时间常数 静止空气中 τ - - 10 Sec 最大额定功率 - Pmax - - 10 mW B-值 B-value B=[(Ta × Tb )/(Tb –Ta )]× ln(Ra /Rb ) Tb =50℃±0.01℃ B25/50 3346.2 3380 3413.8 K 工作温度 - -50 - 200 ℃ 注释： 1：脉冲宽度由最高结温限制 2：两次短路之间的间隔大于 1 秒时，允许短路测试 的次数最大为 1000 次 Notes: 1：Pulse width limited by maximum junction temperature 2：Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.
R JT030N065F6MD1E 版本：202205A 7/11 模块特性/Module Characteristics 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Unit 绝缘测试电压 Isolationtestvoltage VISOL RMS, f = 50 Hz, t = 1min 2.5 KV 模块基板材料 Material of module baseplate Cu 内部绝缘 Internal isolation 基本绝缘 (class 1, IEC 61140) Basic insulation (class1, IEC 61140) Al2O3 爬电距离 Creepage distance 端子-散热片 terminal to heatsink - 11.5 - mm 端子-端子 Terminal to terminal - 6.3 - 电气间隙 Clearance 端子-散热片 terminal to heatsink - 10 - mm 端子-端子 Terminal to terminal - 5 - 相对电痕指数 Comperative tracking index CT1 200 杂散电感,模块 Stray inductance module LsCE 25 nH 模块引线电阻,端子-芯片 Module lead resistance terminals chip RCC'+EE' 4.5 mΩ 储存温度 Storage temperature Tstg -40 125 ℃ 安装力 Anpresskraft fur me ch. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 20 50 N 重量 Weight - 24 - g
R JT030N065F6MD1E 版本：202205A 8/11 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) Output Characteristics（25℃） Output Characteristics（175℃） Transfer Characteristics Vce=20 V Vcesat vs. Tj Vge=15V, Ic=15A、30A、60A VF vs. Tj Vge=15V, Ic=7.5A、15A、30A VTH vs. Tj Ic=250uA
R JT030N065F6MD1E 版本：202205A 9/11 Diode Characteristic Tj=25℃、175℃ Capacitance Characteristic Vce=25V,VGE =0V,f=1.0MHZ Transient Thermal Impedance（Inverter IGBT） Transient Thermal Impedance （Inverter FRD） Reverse bias Safe Operating Area (RBSOA of IGBT) NTC-Thermistor-temperature characteristic(typical)
R JT030N065F6MD1E 版本：202205A 10/11 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA Circuit diagram Package outlines 单位 Unit：mm
R JT030N065F6MD1E 版本：202205A 11/11 注意事项 1. 吉林华微电子股份有限公司的产品销售分为直销和销售代理，无论哪种方式，订货时请与公 司核实。 2. 购买时请认清公司商标，如有疑问请与公司本部联系。 3. 在电路设计时请不要超过器件的绝对最大额定值，否则会影响整机的可靠性。 4. 本说明书如有版本变更不另外告知。 NOTE 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this. specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 吉林华微电子股份有限公司 公司地址：吉林省吉林市深圳街99 号 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址：www.hwdz.com.cn CONTACT JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel： 86-432-64678411 Fax：86-432-64665812 Web Site：www.hwdz.com.cn