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Technical content
R 版本：201603B 1/9 N沟绝缘栅双极晶体管 N-CHANNEL IGBT JT010N060CAD/SAD 订 货 型 号 Order codes 印 记 Marking 封 装 Package 无 卤 素 Halogen Free 包 装 Packaging 器件重量 Device Weight JT010N060CAD-C-O-N-B JT010N060CAD TO-220C 有 YES 条管 Tube 2.15g(typ) JT010N060SAD-S-O-N-B JT010N060SAD TO-263 有 YES 条管 Tube 1.37g(typ) 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IC 10 A VCES 600V Vcesat-typ （@Vge=15V） 1.7V 用途 逆变器 PDP UPS 电源
APPLICATIONS
General purpose inverters PDP UPS 产品特性 低栅极电荷 FS 技术, 通态压降, VCE(sat), typ = 1.7V @ I C = 10A and TC = 25° C RoHS 产品
FEATURES
Low gate charge FS Technology, saturation voltage: VCE(sat), typ = 1.7V @ I C = 10A and TC = 25° C RoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE
R JT010N060CAD/SAD 版本：201603B 2/9 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) *连续集电极电流由最高结温限制 *Collector current limited by maximum junction temperature 项 目 Parameter 符 号 Symbol 数 值 Value 单 位 Unit JT010N060CAD/SAD 最高集电极－发射极直流电压 Collector-Emmiter Voltage Vces 600 V *连续集电极电流 Collector Current-continuous IC T=25℃ T=100℃ 20 A 10 A 最大脉冲集电极极电流（注1） Collector Current – pulse （note 1） ICM 30 A 最高栅极发射极电压 Gate-Emmiter Voltage VGES ±20 V Turn-off safe area - 30 A 耗散功率 Power Dissipation PD TC=25℃ 54 W 最高结温及存储温度 Operating and Storage Temperature Range TJ，TSTG -55～+150 ℃ 引线最高焊接温度 Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes TL 300 ℃
R JT010N060CAD/SAD 版本：201603B 3/9 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Units 关态特性 Off –Characteristics 集电极－发射极击穿电压 Collector-Emmiter Voltage BVCES IC=500μA, VGE=0V 600 - - V 击穿电压温度特性 Breakdown Voltage Temperature Coefficient ΔBVCES/ΔTJ IC=1mA, referenced to 25℃ - 0.5 - V/℃ 零栅压下集电极漏电流 Zero Gate Voltage Collector Current ICES VCE=600V, VGE=0V, TC=25℃ - - 10 μ A 正向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, forward IGESF VCE=0V, V GE =20V - - 200 nA 反向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, reverse IGESR VCE=0V, V GE =-20V - - -200 nA 通态特性On-Characteristics 阈值电压 Gate Threshold Voltage VGE(th) VCE = VGE , I C=250μA 4.5 - 6.5 V 饱和压降 Collector-Emmiter saturation Voltage VCESAT VGE=15V I C=10A Tc=25℃ - 1.7 2.5 V 动态特性Dynamic Characteristics 输入电容 Input capacitance Cies VCE=25V, VGE=0V, f=1.0MHZ - 500 - pF 输出电容 Output capacitance Coes - 60 - pF 反向传输电容 Reverse transfer capacitance Cres - 22 - pF
R JT010N060CAD/SAD 版本：201603B 4/9 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 开关特性Switching Characteristics 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Units 开启延迟时间Turn-On delay time td(on) VCC=390V,Ic=10A,RG=10Ω VGE=15 V TC=25℃ - 23 ns 上升时间Turn-On rise time tr - 49 ns 关断延迟时间Turn-Off delay time td(off) - 98 ns 下降时间Turn-Off Fall time tf - 106 ns 栅极电荷总量Total Gate Charge Qg VCE =150V , IC=10A VGE =15V （note 2，3） - 28 nC 栅极-反射极Gate to emitter charge Qge 5.3 栅极-集电极Gate to collector charge Qgc 16 反并联二极管特性及最大额定值 Anti-Parallel Diode Characteristics and Maximum Ratings 正向压降 Drain-Source Diode Forward Voltage VF VGE=0V, IS=5A - - 2.2 V 反向恢复时间 Diode Reverse recovery time trr VGE=0V, VR=600V IF=1A dIF/dt=200A/μs (note 4) - - 40 ns 项 目 Parameter 符 号 Symbol 典型Typ 单 位 Unit JT010N060CAD/SAD 结到管壳的热阻 Thermal Resistance, Junction to Case Rth(j-c) 2.32 ℃/W 结到环境的热阻 Thermal Resistance, Junction to Ambient Rth(j-A) 62 ℃/W 注释： 1：脉冲宽度由最高结温限制 3：基本与工作温度无关 Notes: 1：Pulse width limited by maximum junction temperature 2：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％ 3：Essentially independent of operating temperature
R JT010N060CAD/SAD 版本：201603B 5/9 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) 5 10 15 20 10A 30A Typical Output Characteristics Saturation Voltage vs. VGE Collector to Emitter Saturation Voltage vs. Collector Current 1 10 100 100 tr td(on) tf td(off) 0.5 1.5 2.5 3.5 1 10 100 Tj=25℃ Tj=125℃ T=25℃ T=25C Capacitance Characteristics Switching Loss vs. Collector Current Typical Transfer Characteristics
R JT010N060CAD/SAD 版本：201603B 6/9 Gate Charge Characteristics SOA Characteristics Transient Thermal Impedance Switching Loss vs. Case Temperature 10 100 100 td(on) td(off) tr tf 1 10 100 100 td(off) tr td(on) tf Switching Loss vs. Gate Resistance
R JT010N060CAD/SAD 版本：201603B 7/9
R JT010N060CAD/SAD 版本：201603B 8/9
R JT010N060CAD/SAD 版本：201603B 9/9 注意事项 1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分 为直销和销售代理，无论哪种方式，订货 时请与公司核实。 2.购买时请认清公司商标，如有疑问请与公 司本部联系。 3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大 额定值，否则会影响整机的可靠性。 4.本说明书如有版本变更不另外告知 NOTE 1. Jilin Sino -microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend cus tomers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino -microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 吉林华微电子股份有限公司 公司地址：吉林省吉林市深圳街99 号 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址：www.hwdz.com.cn 市场营销部 地址：吉林省吉林市深圳街99 号 邮编：132013 电话： 86-432-64675588 64675688 64678411-3098/3099 传真: 86-432-64671533 CONTACT JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel： 86-432-64678411 Fax：86-432-64665812 Web Site：www.hwdz.com.cn MARKET DEPARTMENT ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel: 86 -432-64675588 64675688 64678411-3098/3099 Fax: 86-432-64671533