FP15R12W1T4 INFINEON | Alldatasheet
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Technische Information / technical information FP15R12W1T4 IGBT-Module IGBT-modules prepared5by:5DK approved5by:5MB date5of5publication:52009Š10Š30 revision:52.2 material5no:529257 UL5approved5(E83335) EasyPIM™ Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitt er Controlled 4 Diode und NTC EasyPIM™ module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emi tter Controlled 4 diode and NTC Vorläufige5Daten5/5preliminary5dataVorläufige5Daten5/5preliminary5dataVorläufige5Daten5/5preliminary5dataVorläufige5Daten5/5preliminary5data V†Š»5=51200VV†Š»5=51200VV†Š»5=51200VV†Š»5=51200V I†5ÒÓÑ5=515A5/5I†ç¢5=530AI†5ÒÓÑ5=515A5/5I†ç¢5=530AI†5ÒÓÑ5=515A5/5I†ç¢5=530AI†5ÒÓÑ5=515A5/5I†ç¢5=530A Typische5AnwendungenTypische5AnwendungenTypische5AnwendungenTypische5Anwendungen Typical5Applications Typical5ApplicationsTypical5ApplicationsTypical5Applications
- •Hilfsumrichter Auxiliary5Inverters
- •Klimaanlagen Airconditions
- •Motorantriebe Motor5Drives Elektrische5EigenschaftenElektrische5EigenschaftenElektrische5EigenschaftenElektrische5Eigenschaften Electrical5Features Electrical5FeaturesElectrical5FeaturesElectrical5Features
- •Niedrige5Schaltverluste Low5Switching5Losses
- •Trench5IGBT54 Trench5IGBT54
- •V†ŠÙÈÚ55mit5positivem5Temperaturkoeffizienten V†ŠÙÈÚ 55with5positive5Temperature5Coefficient
- •niedriges5V†ŠÙÈÚ Low5V†ŠÙÈÚ Mechanische5EigenschaftenMechanische5EigenschaftenMechanische5EigenschaftenMechanische5Eigenschaften Mechanical5Features Mechanical5FeaturesMechanical5FeaturesMechanical5Features
- •AlèOé5Substrat5für5kleinen5thermischen Widerstand AlèOé5Substrate5for5Low5Thermal5Resistance
- •Kompaktes5Design Compact5Design
- •Lötverbindungs5Technologie Solder5Contact5Technology
- •Robuste5Montage5durch5integrierte Befestigungsklammern Rugged5mounting5due5to5integrated5mounting clamps Module5Label5CodeModule5Label5CodeModule5Label5CodeModule5Label5Code Barcode5Code5128Barcode5Code5128Barcode5Code5128Barcode5Code5128 DMX5Š5CodeDMX5Š5CodeDMX5Š5CodeDMX5Š5Code Content5of5the5CodeContent5of5the5CodeContent5of5the5CodeContent5of5the5Code 5Digit 5Digit5Digit5Digit Module5Serial5Number 5515Š5555 Module5Material5Number 5565Š511 Production5Order5Number 125Š519 Datecode5(Production5Year) 205Š521 Datecode5(Production5Week) 225Š523
Technische Information / technical information FP15R12W1T4 IGBT-Module IGBT-modules prepared5by:5DK approved5by:5MB date5of5publication:52009Š10Š30 revision:52.2 Vorläufige Daten preliminary data IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values KollektorŠEmitterŠSperrspannung collectorŠemitter5voltage TÝÎ5=525°C V†Š» 5 1200 5V KollektorŠDauergleichstrom DCŠcollector5current T†5=5100°C,5TÝÎ5=5175°C T†5=525°C,5TÝÎ5=5175°C I†5ÒÓÑ I† 5 15 28 5 A A Periodischer5Kollektor5Spitzenstrom repetitive5peak5collector5current t«5=515ms I†ç¢ 5 30 5A GesamtŠVerlustleistung total5power5dissipation T†5=525°C,5TÝÎ5=5175°C PÚÓÚ 5 130 5W GateŠEmitterŠSpitzenspannung gateŠemitter5peak5voltage 5 V•Š» 5 +/Š20 5V Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. KollektorŠEmitter5Sättigungsspannung collectorŠemitter5saturation5voltage I†5=5155A,5V•Š5=5155V I†5=5155A,5V•Š5=5155V I†5=5155A,5V•Š5=5155V V†Š5ÙÈÚ 1,85 2,15 2,25 2,25 V V V TÝÎ5=525°C TÝÎ5=5125°C TÝÎ5=5150°C GateŠSchwellenspannung gate5threshold5voltage I†5=50,485mA,5V†Š5=5V•Š,5TÝÎ5=525°C V•ŠÚÌ 5,2 5,8 6,4 V Gateladung gate5charge V•Š5=5Š155V5...5+155V Q• 5 0,12 5 µC Interner5Gatewiderstand internal5gate5resistor TÝÎ5=525°C R•ÍÒÚ 5 0,0 5 Eingangskapazität input5capacitance f5=515MHz,5TÝÎ5=525°C,5V†Š5=5255V,5V•Š5=505V CÍþÙ 5 0, 89 5 nF Rückwirkungskapazität reverse5transfer5capacitance f5=515MHz,5TÝÎ5=525°C,5V†Š5=5255V,5V•Š5=505V CØþÙ 5 0, 03 5 nF KollektorŠEmitter5Reststrom collectorŠemitter5cutŠoff5current V†Š5=512005V,5V•Š5=505V,5TÝÎ5=525°C I†Š» 55 1,0 mA GateŠEmitter5Reststrom gateŠemitter5leakage5current V†Š5=505V,5V•Š5=5205V,5TÝÎ5=525°C I•Š» 55 400 nA Einschaltverzögerungszeit5(ind.5Last) turnŠon5delay5time5(inductive5load) I†5=5155A,5V†Š5=56005V V•Š5=5±155V R•ÓÒ5=5395 tÁ5ÓÒ 5 5 0,055 0,055 0,055 µs µs µs TÝÎ5=525°C TÝÎ5=5125°C TÝÎ5=5150°C Anstiegszeit5(induktive5Last) rise5time5(inductive5load) I†5=5155A,5V†Š5=56005V V•Š5=5±155V R•ÓÒ5=5395 tØ 5 5 0,059 0,065 0,065 µs µs µs TÝÎ5=525°C TÝÎ5=5125°C TÝÎ5=5150°C Abschaltverzögerungszeit5(ind.5Last) turnŠoff5delay5time5(inductive5load) I†5=5155A,5V†Š5=56005V V•Š5=5±155V R•ÓËË5=5395 tÁ5ÓËË 5 5 0,195 0,275 0,28 µs µs µs TÝÎ5=525°C TÝÎ5=5125°C TÝÎ5=5150°C Fallzeit5(induktive5Last) fall5time5(inductive5load) I†5=5155A,5V†Š5=56005V V•Š5=5±155V R•ÓËË5=5395 tË 5 5 0,145 0,19 0,215 µs µs µs TÝÎ5=525°C TÝÎ5=5125°C TÝÎ5=5150°C Einschaltverlustenergie5pro5Puls turnŠon5energy5loss5per5pulse I†5=5155A,5V†Š5=56005V,5L»5=5505nH V•Š5=5±155V,5di/dt5=55505A/µs5(TÝÎ=150°C) R•ÓÒ5=5395 EÓÒ 5 1,30 1,75 1,95 mJ mJ mJ TÝÎ5=525°C TÝÎ5=5125°C TÝÎ5=5150°C Abschaltverlustenergie5pro5Puls turnŠoff5energy5loss5per5pulse I†5=5155A,5V†Š5=56005V,5L»5=5505nH V•Š5=5±155V,5du/dt5=535005V/µs5(TÝÎ=150°C) R•ÓËË5=5395 EÓËË 5 0,83 1,20 1,35 mJ mJ mJ TÝÎ5=525°C TÝÎ5=5125°C TÝÎ5=5150°C Kurzschlussverhalten SC5data V•Š5ù5155V,5V††5=58005V5 55 5 5 A TÝÎ5=5150°C t«5ù5105µs,5 Innerer5Wärmewiderstand thermal5resistance,5junction5to5case pro5IGBT5/5per5IGBT RÚÌœ† 5 1,05 1,15 K/W ÜbergangsŠWärmewiderstand thermal5resistance,5case5to5heatsink pro5IGBT5/5per5IGBT ð«ÈÙÚþ5=515W/(m·K)555/5555ðÃØþÈÙþ5=515W/(m·K) RÚ̆™ 5 1,05 K/W
Technische Information / technical information FP15R12W1T4 IGBT-Module IGBT-modules prepared5by:5DK approved5by:5MB date5of5publication:52009Š10Š30 revision:52.2 Vorläufige Daten preliminary data Diode-Wechselrichter / diode-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische5Spitzensperrspannung repetitive5peak5reverse5voltage TÝÎ5=525°C Vçç¢ 5 1200 5V Dauergleichstrom DC5forward5current 5 IŒ 5 15 5A Periodischer5Spitzenstrom repetitive5peak5forward5current t«5=515ms IŒç¢ 5 30 5A Grenzlastintegral I²t5Š5value Vç5=505V,5t«5=5105ms,5TÝÎ5=5125°C Vç5=505V,5t«5=5105ms,5TÝÎ5=5150°C I²t 5 16,0 14,0 5A²s A²s Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Durchlassspannung forward5voltage IŒ5=5155A,5V•Š5=505V IŒ5=5155A,5V•Š5=505V IŒ5=5155A,5V•Š5=505V VŒ 2,00 2,10 2,10 2,65 V V V TÝÎ5=525°C TÝÎ5=5125°C TÝÎ5=5150°C Rückstromspitze peak5reverse5recovery5current IŒ5=5155A,5Š5diŒ/dt5=55505A/µs5(TÝÎ=150°C) Vç5=56005V V•Š5=5Š155V Iç¢ 5 13,0 12,0 12,0 A A A TÝÎ5=525°C TÝÎ5=5125°C TÝÎ5=5150°C Sperrverzögerungsladung recovered5charge IŒ5=5155A,5Š5diŒ/dt5=55505A/µs5(TÝÎ=150°C) Vç5=56005V V•Š5=5Š155V QØ 5 1,20 2,05 2,40 µC µC µC TÝÎ5=525°C TÝÎ5=5125°C TÝÎ5=5150°C Abschaltenergie5pro5Puls reverse5recovery5energy IŒ5=5155A,5Š5diŒ/dt5=55505A/µs5(TÝÎ=150°C) Vç5=56005V V•Š5=5Š155V EØþÊ 5 0,37 0,68 0,80 mJ mJ mJ TÝÎ5=525°C TÝÎ5=5125°C TÝÎ5=5150°C Innerer5Wärmewiderstand thermal5resistance,5junction5to5case pro5Diode5/5per5diode RÚÌœ† 5 1,75 1,90 K/W ÜbergangsŠWärmewiderstand thermal5resistance,5case5to5heatsink pro5Diode5/5per5diode ð«ÈÙÚþ5=515W/(m·K)555/5555ðÃØþÈÙþ5=515W/(m·K) RÚ̆™ 5 1,30 K/W Diode-Gleichrichter / diode-rectifier Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische5Rückw.5Spitzensperrspannung repetitive5peak5reverse5voltage TÝÎ5=525°C Vçç¢ 5 1600 5V Durchlassstrom5Grenzeffektivwert5pro5Dio. forward5current5RMS5maximum5per5diodeT†5=580°C IŒç¢»¢ 5 30 5A Gleichrichter5Ausgang5Grenzeffektivstrom maximum5RMS5current5at5Rectifier5outputT†5=580°C I碻¢ 5 30 5A Stoßstrom5Grenzwert surge5forward5current tÔ5=5105ms,5TÝÎ5=525°C tÔ5=5105ms,5TÝÎ5=5150°C IŒ»¢ 5 300 245 5 A A Grenzlastintegral I²t5Š5value tÔ5=5105ms,5TÝÎ5=525°C tÔ5=5105ms,5TÝÎ5=5150°C I²t 5 450 300 5A²s A²s Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Durchlassspannung forward5voltage TÝÎ5=5150°C,5IŒ5=5155A VŒ 5 0,85 5V Sperrstrom reverse5current TÝÎ5=5150°C,5Vç5=516005V Iç 5 1,00 5 mA Innerer5Wärmewiderstand thermal5resistance,5junction5to5case pro5Diode per5diode RÚÌœ† 5 1,20 1,35 K/W ÜbergangsŠWärmewiderstand thermal5resistance,5case5to5heatsink pro5Diode5/5per5diode ð«ÈÙÚþ5=515W/(m·K)555/5555ðÃØþÈÙþ5=515W/(m·K) RÚ̆™ 5 1,15 K/W
Technische Information / technical information FP15R12W1T4 IGBT-Module IGBT-modules prepared5by:5DK approved5by:5MB date5of5publication:52009Š10Š30 revision:52.2 Vorläufige Daten preliminary data IGBT-Brems-Chopper / IGBT-brake-chopper Höchstzulässige Werte / maximum rated values KollektorŠEmitterŠSperrspannung collectorŠemitter5voltage TÝÎ5=525°C V†Š» 5 1200 5V KollektorŠDauergleichstrom DCŠcollector5current T†5=5100°C,5TÝÎ5=5175°C T†5=525°C,5TÝÎ5=5175°C I†ÒÓÑ I† 5 15 28 5 A A Periodischer5Kollektor5Spitzenstrom repetitive5peak5collector5current t«5=515ms I†ç¢ 5 30 5A GesamtŠVerlustleistung total5power5dissipation T†5=525°C,5TÝÎ5=5175°C PÚÓÚ 5 130 5W GateŠEmitterŠSpitzenspannung gateŠemitter5peak5voltage 5 V•Š» 5 +/Š20 5V Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. KollektorŠEmitter5Sättigungsspannung collectorŠemitter5saturation5voltage I†5=5155A,5V•Š5=5155V I†5=5155A,5V•Š5=5155V I†5=5155A,5V•Š5=5155V V†Š5ÙÈÚ 1,85 2,15 2,25 2,25 V V V TÝÎ5=525°C TÝÎ5=5125°C TÝÎ5=5150°C GateŠSchwellenspannung gate5threshold5voltage I†5=50,485mA,5V†Š5=5V•Š,5TÝÎ5=525°C V•ŠÚÌ 5,2 5,8 6,4 V Gateladung gate5charge V•Š5=5Š155V5...5+155V Q• 5 0,12 5 µC Interner5Gatewiderstand internal5gate5resistor TÝÎ5=525°C R•ÍÒÚ 5 0,00 5 Eingangskapazität input5capacitance f5=515MHz,5TÝÎ5=525°C,5V†Š5=5255V,5V•Š5=505V CÍþÙ 5 0, 89 5 nF Rückwirkungskapazität reverse5transfer5capacitance f5=515MHz,5TÝÎ5=525°C,5V†Š5=5255V,5V•Š5=505V CØþÙ 5 0, 03 5 nF KollektorŠEmitter5Reststrom collectorŠemitter5cutŠoff5current V†Š5=512005V,5V•Š5=505V,5TÝÎ5=525°C I†Š» 55 1,0 mA GateŠEmitter5Reststrom gateŠemitter5leakage5current V†Š5=505V,5V•Š5=5205V,5TÝÎ5=525°C I•Š» 55 400 nA Einschaltverzögerungszeit5(ind.5Last) turnŠon5delay5time5(inductive5load) I†5=5155A,5V†Š5=56005V V•Š5=5±155V R•ÓÒ5=5435 tÁ5ÓÒ 5 0,065 0,065 0,065 µs µs µs TÝÎ5=525°C TÝÎ5=5125°C TÝÎ5=5150°C Anstiegszeit5(induktive5Last) rise5time5(inductive5load) I†5=5155A,5V†Š5=56005V V•Š5=5±155V R•ÓÒ5=5435 tØ 5 0,06 0,065 0,065 µs µs µs TÝÎ5=525°C TÝÎ5=5125°C TÝÎ5=5150°C Abschaltverzögerungszeit5(ind.5Last) turnŠoff5delay5time5(inductive5load) I†5=5155A,5V†Š5=56005V V•Š5=5±155V R•ÓËË5=5435 tÁ5ÓËË 5 0,21 0,28 0,285 µs µs µs TÝÎ5=525°C TÝÎ5=5125°C TÝÎ5=5150°C Fallzeit5(induktive5Last) fall5time5(inductive5load) I†5=5155A,5V†Š5=56005V V•Š5=5±155V R•ÓËË5=5435 tË 5 0,17 0,20 0,225 µs µs µs TÝÎ5=525°C TÝÎ5=5125°C TÝÎ5=5150°C Einschaltverlustenergie5pro5Puls turnŠon5energy5loss5per5pulse I†5=5155A,5V†Š5=56005V,5L»5=5505nH V•Š5=5±155V R•ÓÒ5=5435 EÓÒ 5 1,35 1,80 2,00 mJ mJ mJ TÝÎ5=525°C TÝÎ5=5125°C TÝÎ5=5150°C Abschaltverlustenergie5pro5Puls turnŠoff5energy5loss5per5pulse I†5=5155A,5V†Š5=56005V,5L»5=5505nH V•Š5=5±155V R•ÓËË5=5435 EÓËË 5 0,85 1,20 1,35 mJ mJ mJ TÝÎ5=525°C TÝÎ5=5125°C TÝÎ5=5150°C Kurzschlussverhalten SC5data V•Š5ù5155V,5V††5=58005V V†ŠÑÈà5=5V†Š»5ŠLÙ†Š5·5di/dt I»† 5 5 55 5 5 A TÝÎ5=5150°C t«5ù5105µs,5 Innerer5Wärmewiderstand thermal5resistance,5junction5to5case pro5IGBT5/5per5IGBT RÚÌœ† 5 1,05 1,15 K/W ÜbergangsŠWärmewiderstand thermal5resistance,5case5to5heatsink pro5IGBT5/5per5IGBT ð«ÈÙÚþ5=515W/(m·K)55/55ðÃØþÈÙþ5=515W/(m·K) RÚ̆™ 5 1,05 K/W
Technische Information / technical information FP15R12W1T4 IGBT-Module IGBT-modules prepared5by:5DK approved5by:5MB date5of5publication:52009Š10Š30 revision:52.2 Vorläufige Daten preliminary data Diode-Brems-Chopper / Diode-brake-chopper Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische5Spitzensperrspannung repetitive5peak5reverse5voltage TÝÎ5=525°C Vçç¢ 5 1200 55 V Dauergleichstrom DC5forward5current 5 IŒ 5 10 5A Periodischer5Spitzenstrom repetitive5peak5forw.5current tÔ5=515ms IŒç¢ 5 20 5A Grenzlastintegral I²t5Š5value Vç5=505V,5t«5=5105ms,5TÝÎ5=5125°C I²t 5 16,0 5 A²s Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Durchlassspannung forward5voltage IŒ5=5105A,5V•Š5=505V IŒ5=5105A,5V•Š5=505V IŒ5=5105A,5V•Š5=505V VŒ 1,75 1,75 1,75 2,25 V V V TÝÎ5=525°C TÝÎ5=5125°C TÝÎ5=5150°C Rückstromspitze peak5reverse5recovery5current IŒ5=5105A,5Š5diŒ/dt5=55005A/µs5(TÝÎ=150°C) Vç5=56005V V•Š5=5Š155V Iç¢ 5 12,0 10,0 8,00 A A A TÝÎ5=525°C TÝÎ5=5125°C TÝÎ5=5150°C Sperrverzögerungsladung recovered5charge IŒ5=5105A,5Š5diŒ/dt5=55005A/µs5(TÝÎ=150°C) Vç5=56005V V•Š5=5Š155V QØ 5 0,90 1,70 1,90 µC µC µC TÝÎ5=525°C TÝÎ5=5125°C TÝÎ5=5150°C Abschaltenergie5pro5Puls reverse5recovery5energy IŒ5=5105A,5Š5diŒ/dt5=55005A/µs5(TÝÎ=150°C) Vç5=56005V V•Š5=5Š155V EØþÊ 5 0,24 0,52 0,59 mJ mJ mJ TÝÎ5=525°C TÝÎ5=5125°C TÝÎ5=5150°C Innerer5Wärmewiderstand thermal5resistance,5junction5to5case pro5Diode5/5per5diode RÚÌœ† 5 1,75 1,90 K/W ÜbergangsŠWärmewiderstand thermal5resistance,5case5to5heatsink pro5Diode5/5per5diode ð«ÈÙÚþ5=515W/(m·K)5/ðÃØþÈÙþ5=515W/(m·K) RÚ̆™ 5 1,30 K/W NTC-Widerstand / NTC-thermistor Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Nennwiderstand rated5resistance T†5=525°C Rèë 5 5,00 5 k Abweichung5von5Ræåå deviation5of5Ræåå T†5=5100°C,5Ræåå5=54935 ÆR/R Š5 55% Verlustleistung power5dissipation T†5=525°C Pèë 55 20,0 mW BŠWert BŠvalue Rè5=5Rèë5exp5[Bèëõëå(1/Tè5Š51/(298,155K))] Bèëõëå 5 33 75 5K BŠWert BŠvalue Rè5=5Rèë5exp5[Bèëõîå(1/Tè5Š51/(298,155K))] Bèëõîå 5 34 11 5K BŠWert BŠvalue Rè5=5Rèë5exp5[Bèëõæåå(1/Tè5Š51/(298,155K))] Bèëõæåå 5 3433 5K Angaben gemäß gültiger Application Note. Specification according to the valid application no te.
Technische Information / technical information FP15R12W1T4 IGBT-Module IGBT-modules prepared5by:5DK approved5by:5MB date5of5publication:52009Š10Š30 revision:52.2 Vorläufige Daten preliminary data Modul / module IsolationsŠPrüfspannung insulation5test5voltage RMS,5f5=5505Hz,5t5=515min Vš»¥¡ 5 2,5 5 kV Material5für5innere5Isolation material5for5internal5insulation 55 5 AIè0é 55 Kriechstrecke creepage5distance Kontakt5Š5Kühlkörper5/5terminal5to5heatsink5 Kontakt5Š5Kontakt5/5terminal5to5terminal 55 11,5 6,3 5 mm Luftstrecke clearance5distance Kontakt5Š5Kühlkörper5/5terminal5to5heatsink5 Kontakt5Š5Kontakt5/5terminal5to5terminal 55 10,0 5,0 5 mm Vergleichszahl5der5Kriechwegbildung comparative5tracking5index 5 CTI 5 >5200 55 min. typ. max. Modulinduktivität stray5inductance5module 5 LÙ†Š 5 30 5 nH Modulleitungswiderstand, Anschlüsse5Š5Chip module5lead5resistance, terminals5Š5chip T†5=525°C,5pro5Schalter5/5per5switch R††óôŠŠó Rƒƒóô††ó 5 8,00 6,00 5 m Höchstzulässige5Sperrschichttemperatur maximum5junction5temperature Wechselrichter,5BremsŠChopper5/5Inverter,5BrakeŠChopper Gleichrichter5/5rectifier TÝÎ5ÑÈà 55 175 150 Temperatur5im5Schaltbetrieb temperature5under5switching5conditions Wechselrichter,5BremsŠChopper5/5Inverter,5BrakeŠChopper Gleichrichter5/5rectifier TÝÎ5ÓÔ Š40 Š40 5 150 150 Lagertemperatur storage5temperature 5 TÙÚà Š40 5 125 °C Anpresskraft5für5mech.5Bef.5pro5Feder mountig5force5per5clamp 5F 20 Š 50 N Gewicht weight 5G 5 24 5g Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 30A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 30A rms per connector pin.
Technische Information / technical information FP15R12W1T4 IGBT-Module IGBT-modules prepared5by:5DK approved5by:5MB date5of5publication:52009Š10Š30 revision:52.2 Vorläufige Daten preliminary data Ausgangskennlinie5IGBTŠWechselr.5(typisch)Ausgangskennlinie5IGBTŠWechselr.5(typisch)Ausgangskennlinie5IGBTŠWechselr.5(typisch)Ausgangskennlinie5IGBTŠWechselr.5(typisch) output5characteristic5IGBTŠinverter5(typical)output5characteristic5IGBTŠinverter5(typical)output5characteristic5IGBTŠinverter5(typical)output5characteristic5IGBTŠinverter5(typical) I†5=5f5(V†Š)I†5=5f5(V†Š)I†5=5f5(V†Š)I†5=5f5(V†Š) V•Š5=5155VV•Š5=5155VV•Š5=5155VV•Š5=5155V V†Š5[V] I†5[A] TÝÎ5=525°C TÝÎ5=5125°C TÝÎ5=5150°C Ausgangskennlinienfeld5IGBTŠWechselr.5(typisch)Ausgangskennlinienfeld5IGBTŠWechselr.5(typisch)Ausgangskennlinienfeld5IGBTŠWechselr.5(typisch)Ausgangskennlinienfeld5IGBTŠWechselr.5(typisch) output5characteristic5IGBTŠinverter5(typical)output5characteristic5IGBTŠinverter5(typical)output5characteristic5IGBTŠinverter5(typical)output5characteristic5IGBTŠinverter5(typical) I†5=5f5(V†Š)I†5=5f5(V†Š)I†5=5f5(V†Š)I†5=5f5(V†Š) TÝÎ5=5150°CTÝÎ5=5150°CTÝÎ5=5150°CTÝÎ5=5150°C V†Š5[V] I†5[A] V•Š5=5195V V•Š5=5175V V•Š5=5155V V•Š5=5135V V•Š5=5115V V•Š5=55595V Übertragungscharakteristik5IGBTŠWechselr.5(typisch)Übertragungscharakteristik5IGBTŠWechselr.5(typisch)Übertragungscharakteristik5IGBTŠWechselr.5(typisch)Übertragungscharakteristik5IGBTŠWechselr.5(typisch) transfer5characteristic5IGBTŠinverter5(typical)transfer5characteristic5IGBTŠinverter5(typical)transfer5characteristic5IGBTŠinverter5(typical)transfer5characteristic5IGBTŠinverter5(typical) I†5=5f5(V•Š)I†5=5f5(V•Š)I†5=5f5(V•Š)I†5=5f5(V•Š) V†Š5=5205VV†Š5=5205VV†Š5=5205VV†Š5=5205V V•Š5[V] I†5[A] 5 6 7 8 9 10 11 12 13 TÝÎ5=525°C TÝÎ5=5125°C TÝÎ5=5150°C Schaltverluste5IGBTŠWechselr.5(typisch)Schaltverluste5IGBTŠWechselr.5(typisch)Schaltverluste5IGBTŠWechselr.5(typisch)Schaltverluste5IGBTŠWechselr.5(typisch) switching5losses5IGBTŠinverter5(typical)switching5losses5IGBTŠinverter5(typical)switching5losses5IGBTŠinverter5(typical)switching5losses5IGBTŠinverter5(typical) EÓÒ5=5f5(I†),5EÓËË5=5f5(I†)EÓÒ5=5f5(I†),5EÓËË5=5f5(I†)EÓÒ5=5f5(I†),5EÓËË5=5f5(I†)EÓÒ5=5f5(I†),5EÓËË5=5f5(I†) V•Š5=5±155V,5R•ÓÒ5=5395Â,5R•ÓËË5=5395Â,5V†Š5=56005VV•Š5=5±155V,5R•ÓÒ5=5395Â,5R•ÓËË5=5395Â,5V†Š5=56005VV•Š5=5±155V,5R•ÓÒ5=5395Â,5R•ÓËË5=5395Â,5V†Š5=56005VV•Š5=5±155V,5R•ÓÒ5=5395Â,5R•ÓËË5=5395Â,5V†Š5=56005V I†5[A] E5[mJ] 0 5 10 15 20 25 30 EÓÒ,5TÝÎ5=5125°C EÓÒ,5TÝÎ5=5150°C EÓËË,5TÝÎ5=5125°C EÓËË,5TÝÎ5=5150°C
Technische Information / technical information FP15R12W1T4 IGBT-Module IGBT-modules prepared5by:5DK approved5by:5MB date5of5publication:52009Š10Š30 revision:52.2 Vorläufige Daten preliminary data Schaltverluste5IGBTŠWechselr.5(typisch)Schaltverluste5IGBTŠWechselr.5(typisch)Schaltverluste5IGBTŠWechselr.5(typisch)Schaltverluste5IGBTŠWechselr.5(typisch) switching5losses5IGBTŠInverter5(typical)switching5losses5IGBTŠInverter5(typical)switching5losses5IGBTŠInverter5(typical)switching5losses5IGBTŠInverter5(typical) EÓÒ5=5f5(R•),5EÓËË5=5f5(R•)EÓÒ5=5f5(R•),5EÓËË5=5f5(R•)EÓÒ5=5f5(R•),5EÓËË5=5f5(R•)EÓÒ5=5f5(R•),5EÓËË5=5f5(R•) R•5[Â] E5[mJ] 0 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400 0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 9,0 EÓÒ,5TÝÎ5=5125°C EÓÒ,5TÝÎ5=5150°C EÓËË,5TÝÎ5=5125°C EÓËË,5TÝÎ5=5150°C Transienter5Wärmewiderstand5IGBTŠWechselr.Transienter5Wärmewiderstand5IGBTŠWechselr.Transienter5Wärmewiderstand5IGBTŠWechselr.Transienter5Wärmewiderstand5IGBTŠWechselr. transient5thermal5impedance5IGBTŠinvertertransient5thermal5impedance5IGBTŠinvertertransient5thermal5impedance5IGBTŠinvertertransient5thermal5impedance5IGBTŠinverter ZÚÌœ™5=5f5(t)ZÚÌœ™5=5f5(t)ZÚÌœ™5=5f5(t)ZÚÌœ™5=5f5(t) t5[s] ZÚÌœ™5[K/W] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 ZÚÌœ™5:5IGBT i:555 rÍ[K/W]:555 55Í[s]:555 1555 0,154555 0,0005555 2555 0,345555 0,005555 3555 0,865555 0,05555 4555 0,736555 0,2555 τ Sicherer5RückwärtsŠArbeitsbereich5IGBTŠWr.5(RBSOA)Sicherer5RückwärtsŠArbeitsbereich5IGBTŠWr.5(RBSOA)Sicherer5RückwärtsŠArbeitsbereich5IGBTŠWr.5(RBSOA)Sicherer5RückwärtsŠArbeitsbereich5IGBTŠWr.5(RBSOA) reverse5bias5safe5operating5area5IGBTŠinv.5(RBSOA)reverse5bias5safe5operating5area5IGBTŠinv.5(RBSOA)reverse5bias5safe5operating5area5IGBTŠinv.5(RBSOA)reverse5bias5safe5operating5area5IGBTŠinv.5(RBSOA) I†5=5f5(V†Š)I†5=5f5(V†Š)I†5=5f5(V†Š)I†5=5f5(V†Š) V•Š5=5±155V,5R•ÓËË5=5395Â,5TÝÎ5=5150°CV•Š5=5±155V,5R•ÓËË5=5395Â,5TÝÎ5=5150°CV•Š5=5±155V,5R•ÓËË5=5395Â,5TÝÎ5=5150°CV•Š5=5±155V,5R•ÓËË5=5395Â,5TÝÎ5=5150°C V†Š55[V] I†5[A] 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 I†,5Modul I†,5Chip Durchlasskennlinie5der5DiodeŠWechselr.5(typisch)Durchlasskennlinie5der5DiodeŠWechselr.5(typisch)Durchlasskennlinie5der5DiodeŠWechselr.5(typisch)Durchlasskennlinie5der5DiodeŠWechselr.5(typisch) forward5characteristic5of5diodeŠinverter5(typical)forward5characteristic5of5diodeŠinverter5(typical)forward5characteristic5of5diodeŠinverter5(typical)forward5characteristic5of5diodeŠinverter5(typical) IŒ5=5f5(VŒ)IŒ5=5f5(VŒ)IŒ5=5f5(VŒ)IŒ5=5f5(VŒ) VŒ5[V] IŒ5[A] TÝÎ5=525°C TÝÎ5=5125°C TÝÎ5=5150°C
Technische Information / technical information FP15R12W1T4 IGBT-Module IGBT-modules prepared5by:5DK approved5by:5MB date5of5publication:52009Š10Š30 revision:52.2 Vorläufige Daten preliminary data Schaltverluste5DiodeŠWechselr.5(typisch)Schaltverluste5DiodeŠWechselr.5(typisch)Schaltverluste5DiodeŠWechselr.5(typisch)Schaltverluste5DiodeŠWechselr.5(typisch) switching5losses5diodeŠinverter5(typical)switching5losses5diodeŠinverter5(typical)switching5losses5diodeŠinverter5(typical)switching5losses5diodeŠinverter5(typical) EØþÊ5=5f5(IŒ)EØþÊ5=5f5(IŒ)EØþÊ5=5f5(IŒ)EØþÊ5=5f5(IŒ) R•ÓÒ5=5395Â,5V†Š5=56005VR•ÓÒ5=5395Â,5V†Š5=56005VR•ÓÒ5=5395Â,5V†Š5=56005VR•ÓÒ5=5395Â,5V†Š5=56005V IŒ5[A] E5[mJ] 0 5 10 15 20 25 30 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 EØþÊ,5TÝÎ5=5125°C EØþÊ,5TÝÎ5=5150°C Schaltverluste5DiodeŠWechselr.5(typisch)Schaltverluste5DiodeŠWechselr.5(typisch)Schaltverluste5DiodeŠWechselr.5(typisch)Schaltverluste5DiodeŠWechselr.5(typisch) switching5losses5diodeŠinverter5(typical)switching5losses5diodeŠinverter5(typical)switching5losses5diodeŠinverter5(typical)switching5losses5diodeŠinverter5(typical) EØþÊ5=5f5(R•)EØþÊ5=5f5(R•)EØþÊ5=5f5(R•)EØþÊ5=5f5(R•) IŒ5=5155A,5V†Š5=56005VIŒ5=5155A,5V†Š5=56005VIŒ5=5155A,5V†Š5=56005VIŒ5=5155A,5V†Š5=56005V R•5[Â] E5[mJ] 0 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 EØþÊ,5TÝÎ5=5125°C EØþÊ,5TÝÎ5=5150°C Transienter5Wärmewiderstand5DiodeŠWechselr.Transienter5Wärmewiderstand5DiodeŠWechselr.Transienter5Wärmewiderstand5DiodeŠWechselr.Transienter5Wärmewiderstand5DiodeŠWechselr. transient5thermal5impedance5diodeŠinvertertransient5thermal5impedance5diodeŠinvertertransient5thermal5impedance5diodeŠinvertertransient5thermal5impedance5diodeŠinverter ZÚÌœ™5=5f5(t)ZÚÌœ™5=5f5(t)ZÚÌœ™5=5f5(t)ZÚÌœ™5=5f5(t) t5[s] ZÚÌœ™5[K/W] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 ZÚÌœ™5:5Diode i:555 rÍ[K/W]:555 55Í[s]:555 1555 0,404555 0,0005555 2555 0,664555 0,005555 3555 1,174555 0,05555 4555 0,808555 0,2555 τ Durchlasskennlinie5der5DiodeŠGleichrichter5(typisch)Durchlasskennlinie5der5DiodeŠGleichrichter5(typisch)Durchlasskennlinie5der5DiodeŠGleichrichter5(typisch)Durchlasskennlinie5der5DiodeŠGleichrichter5(typisch) forward5characteristic5of5diodeŠrectifier5(typical)forward5characteristic5of5diodeŠrectifier5(typical)forward5characteristic5of5diodeŠrectifier5(typical)forward5characteristic5of5diodeŠrectifier5(typical) IŒ5=5f5(VŒ)IŒ5=5f5(VŒ)IŒ5=5f5(VŒ)IŒ5=5f5(VŒ) VŒ5[V] IŒ5[A] TÝÎ5=525°C TÝÎ5=5150°C
Technische Information / technical information FP15R12W1T4 IGBT-Module IGBT-modules prepared5by:5DK approved5by:5MB date5of5publication:52009Š10Š30 revision:52.2 Vorläufige Daten preliminary data Ausgangskennlinie5IGBTŠBremsŠChopper5(typisch)Ausgangskennlinie5IGBTŠBremsŠChopper5(typisch)Ausgangskennlinie5IGBTŠBremsŠChopper5(typisch)Ausgangskennlinie5IGBTŠBremsŠChopper5(typisch) output5characteristic5IGBTŠbrakeŠchopper5(typical)output5characteristic5IGBTŠbrakeŠchopper5(typical)output5characteristic5IGBTŠbrakeŠchopper5(typical)output5characteristic5IGBTŠbrakeŠchopper5(typical) I†5=5f5(V†Š)I†5=5f5(V†Š)I†5=5f5(V†Š)I†5=5f5(V†Š) V•Š5=5155VV•Š5=5155VV•Š5=5155VV•Š5=5155V V†Š55[V] I†5[A] TÝÎ5=525°C TÝÎ5=5125°C TÝÎ5=5150°C Durchlasskennlinie5der5DiodeŠBremsŠChopper5(typisch)Durchlasskennlinie5der5DiodeŠBremsŠChopper5(typisch)Durchlasskennlinie5der5DiodeŠBremsŠChopper5(typisch)Durchlasskennlinie5der5DiodeŠBremsŠChopper5(typisch) forward5characteristic5of5DiodeŠbrakeŠchopper5(typical)forward5characteristic5of5DiodeŠbrakeŠchopper5(typical)forward5characteristic5of5DiodeŠbrakeŠchopper5(typical)forward5characteristic5of5DiodeŠbrakeŠchopper5(typical) IŒ5=5f5(VŒ)IŒ5=5f5(VŒ)IŒ5=5f5(VŒ)IŒ5=5f5(VŒ) VŒ5[V] IŒ5[A] TÝÎ5=525°C TÝÎ5=5125°C TÝÎ5=5150°C NTCŠTemperaturkennlinie5(typisch)NTCŠTemperaturkennlinie5(typisch)NTCŠTemperaturkennlinie5(typisch)NTCŠTemperaturkennlinie5(typisch) NTCŠtemperature5characteristic5(typical)NTCŠtemperature5characteristic5(typical)NTCŠtemperature5characteristic5(typical)NTCŠtemperature5characteristic5(typical) R5=5f5(T)R5=5f5(T)R5=5f5(T)R5=5f5(T) T†5[°C] R[Â] 0 20 40 60 80 100 120 140 160 100 1000 10000 100000 RÚáÔ
Technische Information / technical information FP15R12W1T4 IGBT-Module IGBT-modules prepared5by:5DK approved5by:5MB date5of5publication:52009Š10Š30 revision:52.2 Vorläufige Daten preliminary data Schaltplan / circuit diagram ϑ Gehäuseabmessungen / package outlines Infineon
Technische Information / technical information FP15R12W1T4 IGBT-Module IGBT-modules prepared5by:5DK approved5by:5MB date5of5publication:52009Š10Š30 revision:52.2 Vorläufige Daten preliminary data Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com, sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved.