FP15R12KE3G INFINEON | Alldatasheet
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EconoPIM™2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode EconoPIM™2modulewithtrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode TechnischeInformation/TechnicalInformation FP15R12KE3G IGBT-Module IGBT-modules preparedby:AS approvedby:RS dateofpublication:2013-10-03 revision:3.2 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC nom IC 25 A A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 30 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot 105 W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 15 A, VGE = 15 V IC = 15 A, VGE = 15 V VCE sat 1,70 2,00 2,15 V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,50 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,0 5,8 6,5 V Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,15 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,10 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,04 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 15 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 75 Ω td on 0,09 0,09 µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 15 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 75 Ω tr 0,03 0,05 µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 15 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 75 Ω td off 0,42 0,52 µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 15 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 75 Ω tf 0,07 0,09 µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 15 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH VGE = ±15 V, di/dt = 400 A/µs RGon = 75 Ω Eon 1,50 2,10 mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 15 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH VGE = ±15 V, du/dt = 3500 V/µs RGoff = 75 Ω Eoff 1,10 1,50 mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC A Tvj = 125°C tP ≤ 10 µs, Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 1,20 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink proIGBT/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,385 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 125 °C
TechnischeInformation/TechnicalInformation FP15R12KE3G IGBT-Module IGBT-modules preparedby:AS approvedby:RS dateofpublication:2013-10-03 revision:3.2 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent IF 15 A PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 30 A Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C I²t 60,0 A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 15 A, VGE = 0 V IF = 15 A, VGE = 0 V VF 1,65 1,65 2,15 V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 15 A, - diF/dt = 400 A/µs (Tvj=125°C) VR = 600 V VGE = -15 V IRM 16,0 15,0 A A Tvj = 25°C Tvj = 125°C Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 15 A, - diF/dt = 400 A/µs (Tvj=125°C) VR = 600 V VGE = -15 V Qr 1,80 3,00 µC µC Tvj = 25°C Tvj = 125°C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 15 A, - diF/dt = 400 A/µs (Tvj=125°C) VR = 600 V VGE = -15 V Erec 0,55 1,10 mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 1,50 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink proDiode/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,485 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 125 °C Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1600 V DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip MaximumRMSforwardcurrentperchip TC = 80°C IFRMSM 50 A GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput TC = 80°C IRMSM 60 A StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM 315 260 A A Grenzlastintegral I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 495
340 A²s
A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 15 A VF 0,90 V Sperrstrom Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1600 V IR 1,00 mA Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 1,00 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink proDiode/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,32 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op °C
TechnischeInformation/TechnicalInformation FP15R12KE3G IGBT-Module IGBT-modules preparedby:AS approvedby:RS dateofpublication:2013-10-03 revision:3.2 IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 80°C VCES 1200 V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC nom IC 18 A A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 20 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot 83,5 W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 10 A, VGE = 15 V IC = 10 A, VGE = 15 V VCE sat 1,85 2,25 2,45 V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,0 5,8 6,5 V Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,10 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 0,60 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,026 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 10 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 100 Ω td on 0,09 0,09 µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 10 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 100 Ω tr 0,03 0,05 µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 10 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 100 Ω td off 0,42 0,52 µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 10 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 100 Ω tf 0,07 0,09 µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 10 A, VCE = 600 V, LS = t.b.d. nH VGE = ±15 V RGon = 100 Ω Eon 1,00 1,40 mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 10 A, VCE = 600 V, LS = t.b.d. nH VGE = ±15 V RGoff = 100 Ω Eoff 0,90 1,20 mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC A Tvj = 125°C tP ≤ 10 µs, Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 1,50 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink proIGBT/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,485 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 125 °C
TechnischeInformation/TechnicalInformation FP15R12KE3G IGBT-Module IGBT-modules preparedby:AS approvedby:RS dateofpublication:2013-10-03 revision:3.2 Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 80°C VRRM 1200 V Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent IF 10 A PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 20 A Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C I²t 20,0 A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 10 A, VGE = 0 V IF = 10 A, VGE = 0 V VF 1,80 1,85 2,25 V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 10 A, - diF/dt = 400 A/µs (Tvj=125°C) VR = 600 V IRM 14,0 15,0 A A Tvj = 25°C Tvj = 125°C Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 10 A, - diF/dt = 400 A/µs (Tvj=125°C) VR = 600 V Qr 1,00 1,80 µC µC Tvj = 25°C Tvj = 125°C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 10 A, - diF/dt = 400 A/µs (Tvj=125°C) VR = 600 V Erec 0,26 0,56 mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 2,30 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink proDiode/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,74 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 125 °C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TC = 25°C R25 5,00 kΩ AbweichungvonR100 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω ΔR/R -5 5 % Verlustleistung Powerdissipation TC = 25°C P25 20,0 mW B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 t.b.d. K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 t.b.d. K AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
TechnischeInformation/TechnicalInformation FP15R12KE3G IGBT-Module IGBT-modules preparedby:AS approvedby:RS dateofpublication:2013-10-03 revision:3.2 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min VISOL 2,5 kV MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate Cu InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) AI203 Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 7,5 mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI > 225 min. typ. max. Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink proModul/permodule λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,02 K/W Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule LsCE 60 nH Modulleitungswiderstand,Anschlüsse- Chip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch RCC'+EE' RAA'+CC' 4,00 3,00 mΩ Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 125 °C Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 - 6,00 Nm Gewicht Weight G 180 g
TechnischeInformation/TechnicalInformation FP15R12KE3G IGBT-Module IGBT-modules preparedby:AS approvedby:RS dateofpublication:2013-10-03 revision:3.2 AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V VCE [V] IC [A] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 Tvj = 25°C Tvj = 125°C AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=125°C VCE [V] IC [A] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 VGE = 19 V VGE = 17 V VGE = 15 V VGE = 13 V VGE = 11 V VGE = 9 V ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V VGE [V] IC [A] Tvj = 25°C Tvj = 125°C SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=75Ω ,RGoff=75Ω ,VCE=600V IC [A] E [mJ] Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation FP15R12KE3G IGBT-Module IGBT-modules preparedby:AS approvedby:RS dateofpublication:2013-10-03 revision:3.2 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=15A,VCE=600V RG [Ω ] E [mJ] 100 110 120 130 140 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) t [s] ZthJC [K/W] 0,001 0,01 0,1 0,01 0,1 ZthJC : IGBT ri[K/W]: τi[s]: 0,1363 0,003345 0,5453 0,0282 0,3066 0,1128 0,2118 0,282 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=75Ω ,Tvj=125°C VCE [V] IC [A] 200 400 600 800 1000 1200 1400 IC, Modul IC, Chip DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) VF [V] IF [A] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation FP15R12KE3G IGBT-Module IGBT-modules preparedby:AS approvedby:RS dateofpublication:2013-10-03 revision:3.2 SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=75Ω ,VCE=600V IF [A] E [mJ] 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 Erec, Tvj = 125°C SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=15A,VCE=600V RG [Ω ] E [mJ] 100 110 120 130 140 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 Erec, Tvj = 125°C TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) t [s] ZthJC [K/W] 0,001 0,01 0,1 0,01 0,1 ZthJC : Diode ri[K/W]: τi[s]: 0,1514 0,003333 0,9778 0,03429 0,2816 0,1294 0,0892 0,7662 DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical) IF=f(VF) VF [V] IF [A] 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1 1,2 Tvj = 25°C Tvj = 150°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation FP15R12KE3G IGBT-Module IGBT-modules preparedby:AS approvedby:RS dateofpublication:2013-10-03 revision:3.2 AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V VCE [V] IC [A] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0,0 2,0 4,0 6,0 8,0 10,0 12,0 14,0 16,0 18,0 20,0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical) IF=f(VF) VF [V] IF [A] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 Tvj = 25°C Tvj = 125°C NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) TC [°C] R[Ω ] 100 120 140 160 100 1000 10000 100000 Rtyp
TechnischeInformation/TechnicalInformation FP15R12KE3G IGBT-Module IGBT-modules preparedby:AS approvedby:RS dateofpublication:2013-10-03 revision:3.2 Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehäuseabmessungen/packageoutlines
TechnischeInformation/TechnicalInformation FP15R12KE3G IGBT-Module IGBT-modules preparedby:AS approvedby:RS dateofpublication:2013-10-03 revision:3.2 Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved.