FP120F60ADNS1 JSMC | Alldatasheet

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R 版本：202209B 1/5 快恢复二极管 FAST RECOVERY DIODE FP120F60ADNS1 订 货 型 号 Order codes 印 记 Marking 封 装 Package 包 装 Packaging 器件重量 Device Weight FP120F60ADNS1-NS1-BR FP120F60ADNS1 SOT-227 条管 165g 封装 Package 产品特性  平面钝化芯片  低功耗，高效率  短恢复时间  软恢复特性

FEATURES

 Planar passivated chips  Low power loss, high efficiency  Very short recovery time  Soft Recovery Characteristics SOT-227 订货信息 ORDER MESSAGE 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IF(AV) 60*2 A VRRM 600 V VF(typ) 1.8 V trr（typ） 48ns

APPLICATIONS

 UPS  PFC  Inversion Welder  Solar inverter 用途  UPS  PFC  逆变焊机  光伏逆变

R FP120F60ADNS1 版本：202209B 2/5 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项 目 Parameter 符 号 Symbol 数 值 Value 单 位 Unit 最大反向重复峰值电压 Repetitive peak reverse voltage VRRM 600 V 正向平均整流电流 Average forward Current TB C B=100℃ per module per diode IF(AV) 120 A 峰值单脉冲浪涌电流 Peak one Cycle Surge Forward Current(Non-Repetitive) t= 8.3ms IFSM 480 A 结温 Junction Temperature Tj -50~+175 ℃ 储存温度 Storage temperature range TSTG -50~+175 ℃ 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25℃ PER DIODE ) 热特性 THERMAL CHARACTERISTICS 项 目 Parameter 符 号 Symbol 最大值 Value(max) 单 位 Unit 结到管壳的热阻 per diode Thermal resistance from junction to case per module Rth(j-c) 0.6 0.35 ℃/W 项 目 Parameter 测试条件 Tests conditions 最小值 Value(min) 典型值 Value(typ) 最大值 Value(max) 单位 Unit VR IR =50μA 600 - - V IR Tj =25℃ VR=VRRM - - 10 μA Tj =125℃ - - 800 μA VF Tj =25℃ IF=60A - 1.8 2.2 V Tj =125℃ - 1.5 2.0 V trr IF=0.5A, IR=1A, IRR=0.25A - 48 55 ns trr IF=1A, VR=30V, diF/dt=-100A/μs - - 45 ns trr IF=60A, VR=200V, diF/dt=-200A/μs Tc =25℃ - 27 - ns Qrr - 33 - nc IRRM - 1.5 - A trr IF=60A, VR=200V, diF/dt=-200A/μs Tc =125℃ - 91 - ns Qrr - 173 - nc IRRM - 3.8 - A

R FP120F60ADNS1 版本：202209B 3/5 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) Fig.1 TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS Fig.2 TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS Fig.3 TYPCAL JUNCTION CAPACITANCE Fig.4 Reverse recovery time versus dIF/dt (typical values) Fig.6 Peak reverse recovery current versus dIF/dt dIF/dt (typical values) Fig.5 Reverse recovery charges versus dIF/dt (typical values) TJ=125 ℃ VR=200V TJ=125 ℃ VR=200V TJ=125 ℃ VR=200V

R FP120F60ADNS1 版本：202209B 4/5 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA SOT-227 单位 Unit ：mm

R 版本：202209B 5/5 快恢复二极管 FAST RECOVERY DIODE 注意事项 1. 吉林华微电子股份有限公司的产品销售分为直销和销售代理，无论哪种方式，订货时请 与公司核实。 2. 购买时请认清公司商标，如有疑问请与公司本部联系。 3. 在电路设计时请不要超过器件的绝对最大额定值，否则会影响整机的可靠性。 4. 本说明书如有版本变更不另外告知。 NOTE 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this. specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 吉林华微电子股份有限公司 公司地址：吉林省吉林市深圳街99 号 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址：www.hwdz.com.cn CONTACT JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel： 86-432-64678411 Fax：86-432-64665812 Web Site：www.hwdz.com.cn