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Technical content
Features
Extremely low reverse recovery time Low forward voltage drop Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Extrem niedrige Sperrverzugszeit Niedrige Fluss-Spannung Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 7500 / 13“ Gegurtet auf Rolle Weight approx. 0.07 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Type Typ DC blocking voltage Sperrgleichspannung VDC [V] 3) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] ES1A 50 50 ES1B/-Q 100 100 ES1C 150 150 ES1D/-Q 200 200 ES1F 300 300 ES1G 400 400 ES1J/-AQ 480 600 600 Average forward current Dauergrenzstrom TT = 100°C IFAV 1 A Repetitive peak forw. Current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz TT = 100°C IFRM 6 A Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms) IFSM 30 A 33 A Rating for fusing Grenzlastintegral t < 10 ms i2t 4.5 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Defined for -AQ parts only – Nur definiert für -AQ Bauteile
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Pb ELV W EEE RoHS Type Typ 0.15 + 0.1 1.1 ± 0.3 4.5± 0.3 1.5±0.1 2.1± 0.2 2.2± 0.2 5± 0.2 2.7± 0.2
ES1A ... ES1J Characteristics Kennwerte Type Typ Tj = 25°C Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr [ns] 1) Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] at / bei IF [A] ES1A, ES1B/-Q...ES1D/-Q < 15 < 0.92 1 ES1F...ES1G < 25 < 1.3 1 ES1J/-AQ < 35 < 1.7 1 Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM IR < 5 µA < 100 µA Typ. thermal resistance junction to ambient – Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung Typ. thermal resistance junction to terminal – Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschluss RthA RthT
70 K/W 2)
30 K/W
Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A 2 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 120 100 IFAV [%] [°C]TA 150100500 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) [V]VF 0.1 ES1A...D T = 25°Cj ES1F...G ES1J [µA] IR
0 VRRM 40 60 100[%]
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung T = 25°Cj T = 125°Cj T = 85°Cj [pF] [V] Cj VR T = 25°Cj f = 1.0 MHz Junction capacitance vs. reverse voltage (typical)