BY251_07 DIOTEC | Alldatasheet
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Si-Rectifiers – Si-Gleichrichter Version 2005-09-20 Dimensions - Maße [mm] Nominal Current Nennstrom 3 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 200...2000 V Plastic case Kunststoffgehäuse ~ DO-201 Weight approx. Gewicht ca. 0.8 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings Grenzwerte Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] BY251 200 200 BY252 400 400 BY253 600 600 BY254 800 800 BY255 1300 1300 BY1600 1600 1600 BY1800 1800 1800 BY2000 2000 2000 higher voltages see höhere Spannungen siehe Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last T A = 50°C I FAV 3 A 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz I FRM 20 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C I FSM 100/110 A Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms T A = 25°C i 2t 50 A 2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+175°C
1 Valid, if leads are kept at ambient temp erature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Type Ø ±0.05 1.2 Ø ±0.1 4.5 62.5 ±0.5 7.5 ±0.1
Forward voltage – Durchlass-Spannung T j = 25°C I F = 3 A V F < 1.1 V Leakage current – Sperrstrom T j = 25°C V R = VRRM I R < 20 µA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 25 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 10 K/W Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Rated forward current versus ambient temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. IFAV [%] 120 100 [°C]T A 150100500 [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T = 25° Cj T = 125°Cj 100a-(3a-1.1v) Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz [A] îF 1 10 10 [n] 10 2 3