ER501G HDSEMI | Alldatasheet
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Technical content
Features
o 5.0A
- VRRM 100V-600V
- High surge current capability
Applications
- Rectifier Marking Polarity: Color band denotes cathode ER50XG X:From 1 to 6 DO-2 DO-27 Plastic-Encapsulate Diodes Super Fast Recovery Rectifier Diode Glass passivated chip ● Electrical Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified) ER50 Item Symbol Unit Test Condition Peak Forward Voltage V FM V I FM =5.0A I RRM1 Ta=25℃ 5 Peak Reverse Current I RRM2 μA V RM RRM Ta=125℃ 50 Reverse Recovery time t rr ns I F =0.5A I R =1A I RR =0.25A 35 R θJ-A Between junction and ambient 55 Thermal Resistance(Typical) R θJ-L /W℃ Between junction and lead 20 0.95 1.7 1.25 Item Symbol Unit I F(AV) I FSM I 60Hz Half-sine wave, Resistance load, Ta=50℃ 60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ ER50 100 200 300 400 600 5.0 150 70 140 210 280 420 Maximum RMS V RMS V Voltage Junction Capacitance CJ pF 100 50 1G 2G 3G 4G 6G 1G 2G 3G 4G 6G ER50 1G THRU ER50 6 G
H igh Diode Semiconductor FIG.4:TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS Voltage(%) IR(uA) Tj=25 Tj=125 Tj=100 0.01 0.1 0 20 40 60 80 100 1.0 100 1000 V R D R L I F IF I R I RR t t rr I FIG.5: Diagram of circuit and Testing wave form of reverse recovery time /134 /135 /193 /188 /195 /135 /134 /160 /161 /203 /142 □ /172 /185 /186 /134 /187 /188 /133 □ /135 /205 /131 /206 /188 /131 /132 □ /187 /191 /188 /131 /188 /187 /172 /189 /131 /134 /190 /172 /134 /187 /190 /172 /207 /197 /198 /141 /199 /186 /169 /192 /174 /173 □ /175 /162 /171 /137 /208 /197 /203 /136 /136 /169 /174 /200 /194 □ /132 /169 /137 /177 □ /187 /177 /168 /192 /173 /136 /161 /136 /200 /136 /161 /136 /198 /136 /161 /178 /136 /161 /200 /200 /161 /198 /198 /161 /178 /203 /161 /201 /141 /161 /136 /201 /161 /136 /200 /136 /198 /136 /130 /135 /193 /130 /195 /136 /161 /201 /136 /161 /202 /200 /161 /136 /200 /161 /198 /200 /161 /178 /200 /161 /201 /200 /161 /202 /79 /94 /58 /110 /49 /97 /53 /94 /79 /95 /44 /108 □ /87 □ /110 /97 /124 /79 /110 /100 /110 □ /102 /96 /102 /125 /75 /101 /65 /101 /103 /79 /103 /79 /104 /101 □ /94 /96 /75 /71 /97 /75 /98 □ /58 /100 /75 /95 /101 □ /99 /100 /75 /75 /101 /102 /103 /129 /101 /98 /101 /99 □ /110 /63 /76 /66 /77 /80 /85 /108 /109 /73 /126 /85 /43 /108 /43 /85 /43 /43 /85 /43 /85 /43 /43 /85 /47 /43 0 50 100 150 FIG.1: FORWARD CURRENT DERATING CURVE IO(A S ingle Phase Half Wave 60HZ Resisteve or Inductive Load 0.375''(9.5mm) Lead Length Ta (℃) 1.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 ER501G-ER502G ER503G-ER504G ER506G
H igh Diode Semiconductor DO-2 Unit: in inches (millimeters) MIN 0.96(24.5) MIN 0.96(24.5)
H igh Diode Semiconductor Ammo Box Packaging Specifications For Axial Lead Rectifiers