EG6501 | DigiCamel IC Datasheet

Online Datasheet

Read EG6501 online.

DATASHEET SEARCH SITE | WWW.ALLDATASHEET.COM

Document overview

Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
PDF pages: 10

Technical content

屹晶微电子有限公司 EG6501 用户手册 V1.0 低静态功耗LDO 芯片 2011 © 屹晶微电子有限公司版权所有 www.EGmicro.com EG6501 芯片用户手册 V1.0 1. 特点  输入电压范围：1.6V～6.0V  输出电压设定范围：1.25V～5.0V  输入输出电压差：150mV@IOUT=100mA  低消耗电流：30uA@VOUT=3.3V  待机电流：0.1uA以下  电源抑制比： 50dB@1kHz,VOUT=3.3V  保护电路：电流限制电路（230mA,TYP）/短路保护(25mA，TYP)  无需输出电容：内部相位补偿  封装：SOT-25 2. 描述 EG6501是一款高精度、低噪声、低压差的高速CMOS LDO电压调整器芯片，无需输出电容，内部由基准电压源，误差放大器，驱动功率管，恒定电流限制电路，相位补偿电路等组成，输出电压范围为 1.25V～ 5.0V。采用内部相位补偿,即使不使用电容也能得到稳定的工作状态。由于不使用输出电容,可以节省电路板的空间, 实现降低成本。从CE 端子输入低电平,使 EG6501芯片进入待机状态,消耗电流为0.1μ A 以下。此外,本芯片具有低消耗和高速性, 优越的负载瞬态响应。采用小型SOT-25封装最适用于节省空间的电路设计。 3. 应用领域  手机  数码相机  LCD 模块  数字机顶盒  便携式游戏机  无线LAN 模块  蓝牙设备  红外热释电设备产品信息器件编号： EG6501-xx 输出电压（V）产品型号范例： “EG6501-33”是表示典型输出电压为3.3V 的电源芯片 “EG6501-50”是表示典型输出电压为5V 的电源芯片

2 VSS VSS 芯片地端

3 CE I 使能 On/Off 控制端，高电平开启输出，低电平关闭输出

4 NC NC 空脚

5 VOUT O 输出端

屹晶微电子有限公司 EG6501 用户手册 V1.0 低静态功耗LDO 芯片 2011 © 屹晶微电子有限公司版权所有 www.EGmicro.com 5. 结构框图 Current Limit Vref ON/OFF Control Error Amp VIN CE Vss VOUT Each circuit CFB 图5-1. EG6501 结构框图 6. 典型应用电路 EG6501 VIN CE Vss VOUT 0.1uF 0.1uF CIN CL VIN CE VOUT 图 6-1. EG6501 典型应用电路图

屹晶微电子有限公司 EG6501 用户手册 V1.0 低静态功耗LDO 芯片 2011 © 屹晶微电子有限公司版权所有 www.EGmicro.com 7. 电气特性 7.1 极限参数无另外说明，在TA=25℃条件下符号参数名称测试条件最小最大单位 Vin 电源输入端 Vin 引脚相对 Vss的电压 -0.3 7 V IOUT 输出电流 - - 250 mA VOUT 输出脚耐压 OUT 引脚相对 VSS的电压 -0.3 7 V Vce CE 端输入电压 Vce 引脚相对 Vss的电压 -0.3 7 V TA 环境温度 - -45 85 ℃ Tstr 储存温度 - -65 125 ℃ TL 焊接温度 T≤10S - 300 ℃ PD 承受功率 - - 0.25 W 注：超出所列的极限参数可能导致芯片内部永久性损坏，在极限的条件长时间运行会影响芯片的可靠性。

屹晶微电子有限公司 EG6501 用户手册 V1.0 低静态功耗LDO 芯片 2011 © 屹晶微电子有限公司版权所有 www.EGmicro.com 7.2 典型参数无另外说明，在 TA=25℃,Vin=5V 符号参数名称测试条件最小典型最大单位 Vout 输出电压 Vce=Vin，Iout=10mA Vout*0.95 Vout*1.05 V Iout(max) 最大输出电流 Vce=Vin，Iout=10mA 200 - - mA △Vout 负载调整率 Vce=Vin，0.1mA≤Iout≤10mA - - 60 mV Vdif 低压差电压 Vce=Vin， Iout=100mA - 150 - mV Idd 静态电流 Vin=Vce=6.0V， Iout=0mA - 35 45 uA Istdy 待机电流 Vin=6.0V，Vce=Vss - 0.01 0.1 uA △Vout △𝑉𝑖𝑛∗𝑉out 线性调整率 Vout+0.5V≤Vin≤6.0V， Vce=Vin，Iout=30mA - 0.3 - %/V Vin 输入电压 - 1.6 - 6.0 V △Vout △𝑇𝑎∗𝑉out 温度调整率 Vce=Vin， Iout=30mA -40℃≤Ta≤85℃ - 600 - ppm/℃ PSRR 电源电压抑制比 Vin=(Vout+1.0V)+0.5Vp-pAC Vce=Vin，Iout=30mA，f=1KHz - 50 - dB Ilim 限流 Vce=Vin 210 230 - mA Ishort 短路电流 Vce=Vin,Vout is short-circuited at the Vss level - 25 - mA Vceh CE 脚高电平 - 1.0 - 6.0 V Vcel CE 低电平 - Vss - 0.25 V Iceh CE 脚高电平电流 Vin=Vce=6.0V -0.1 - 0.1 uA Icel CE 脚低电平电流 Vce=Vss -0.1 - 0.1 uA

屹晶微电子有限公司 EG6501 用户手册 V1.0 低静态功耗LDO 芯片 2011 © 屹晶微电子有限公司版权所有 www.EGmicro.com 8. 应用设计 8.1 工作原理描述 EG6501 芯片内部的分压电阻R1 和R2 用于检测输出电压与内部基准电压进行比较，得出误差信号经内部运放放大后送入功率PMOS 管的门极控制端，调整相应的输出电压达到稳压的目的。EG6501 内部的负反馈系统实时检测Vout 端输出电压和负载的变化情况，快速的调整输出电压到稳定的状态。EG6501 内部的限流和短路保护电路是通过检测负载的电流大小来实现过流和短路保护，降低输出电压来达到保护芯片的目的。另外，通过控制CE 端到低电平，将 EG6501 的内部电路被彻底关闭，实现最低功耗的状态。 Current Limit Vref ON/OFF Control Error Amp VIN CE Vss VOUT Each circuit CFB 8.2 限流和短路保护 EG6501 内部的限流和短路保护电路是通过检测负载的电流大小来实现过流和短路保护，当负载电流超过限流点时，EG6501 的输出电压下降，使输出电流不会被继续增大，达到保护芯片的目的。当输出电压短路到 Vss 时，短路的大电流和低的输出电压触发了内部短路保护电路，使 EG6501 进入低的短路保护电流（25mA 左右）状态，达到保护芯片的目的。

8.3 CE 引脚应用

为了降低待机功耗，EG6501 芯片设计了 shutdown 关断引脚 CE 端，当 CE 端为低电平时能使内部电路彻底被关闭，在关闭模式下，Vout 输出端将被内部分压电阻R1 和 R2 下拉到Vss。当 CE 端为高电平时，开启输出电压，进入正常工作模式。CE 端不能被悬空，否则会引起输出电压不稳定。CE 端不能被接到中间电平，否则会引起静态电流增大。

Product Information

EG6501 specifications and overview.

Summary

Low output capacity, low power consumption, high speed LDO voltage regulator

Description

Low output capacity, low power consumption, high speed LDO voltage regulator

Source title EG6501 Datasheet(PDF) - Jingjing Microelectronics Co., Ltd

Related Parts

More parts from the same family.

Browse manufacturer