EG1501

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EG1501芯片用户手册 2014 ©屹晶微电子有限公司版权所有 REV 1.0 可编程电源芯片

屹晶微电子有限公司 EG1501 芯片用户手册 V1.0 可编程电源芯片 2014 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 版本变更记录 版本号 日期 描述 V1.0 2014 年11 月21 日 EG1501 用户手册初稿

屹晶微电子有限公司 EG1501 芯片用户手册 V1.0 可编程电源芯片 2014 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 目录

屹晶微电子有限公司 EG1501 芯片用户手册 V1.0 可编程电源芯片 2014 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com EG1501 芯片用户手册 V1.0 1. 特点  模拟电路和数字电路结合的可编程开关电源芯片  芯片内置加密ID码，保护客户MCU开发的程序  内置 Buck降压模块，Boost 升压模块和功率PMOS及 NMOS驱动器，驱动电流±100mA  模拟电路组成开关电源的电压环、电流环及逐周限流等功能  数字电路配置模拟环的基准值后，自动完成稳压、恒流、限流和短路保护功能  可配置同步续流功能  可配置MOS管死区时间发生器，可调死区范围：30nS～350nS  2.5V基准电压源，精度±1%  可配置PWM时钟振荡器，可设范围：42KHz～500KHz  2 路可配置逐周限流比较器，有效保护功率PMOS和NMOS的峰值电流，可设范围：50mV～250mV  1 路可配置电压环运放基准，可设范围：4.2V～5.5V  1 路可配置恒流环运放基准，可设范围：1mV～122mV  1 路可配置电流环放大器及斜波补偿电路  可配置短路保护控制器，配置短路检测延时时间及释放方式，延时时间可设范围：3uS～213uS  外部 MCU通过I²C总线对芯片内部寄存器进行配置  8 通道输入，10位ADC模数转换器，1 路可选可配置增益输入前级放大器  内置芯片温度传感器，支持外部MCU读取芯片内部温度  4 路可配置LED恒流驱动器，无需外接限流电阻，恒流可设范围:0.5mA ～ 6mA  1 路大功率LED驱动器，外接一个限流电阻，最大电流100mA  工作电压范围宽：+2.5V ～ +5.5V  封装形式：SOP16 2. 描述 EG1501 芯片内置了高精度2.5V基准电压源、可配置42KHz ～ 500KHz宽频率振荡器、可配置多路误差 放大器、Buck/Boost降升压开关电源控制模块、8 通道输入 10 位 ADC 模数转换器、I²C 总线控制器、数字 电路控制模块、LED恒流驱动器及功率MOS管驱动器等。 EG1501 是一款模拟和数字结合的可编程开关电源芯片，具有功耗低、灵活性强，外接一个低廉的8 脚单 片机（无需具备ADC 功能） ，既能实现高端的电源管理系统，非常适合于移动设备及电池管理的应用场合。 3. 应用领域  手机移动电源  电动车智能和非智能充电器  锂电池充电器  Buck 降压电源  移动设备电源系统  Boost 升压电源  AC/DC 开关电源  可编程数字电源

屹晶微电子有限公司 EG1501 芯片用户手册 V1.0 可编程电源芯片 2014 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 4. 引脚 4.1. SOP16 封装引脚定义 LED4 LX VCC EG1501 LED2 BLED LED1 OUTP IFB SCL VBAT COMP GND NMOS PMOS LED3 SDA 图4-1. EG1501 SOP16 封装管脚定义

屹晶微电子有限公司 EG1501 芯片用户手册 V1.0 可编程电源芯片 2014 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 4.2. SOP16 引脚描述 SOP16 引脚序号 引脚名称 I/O 描述

1 LED4 O 电池电量指示LED4。

2 LED3 O 电池电量指示LED3。

3 LED2 O 电池电量指示LED2。

4 LED1 O 电池电量指示LED1。

5 OUTP O 短路输出使能控制。

6 IFB I 电流检测反馈输入端。

7 SCL I/O I²C时钟线。复用下降沿唤醒睡眠功能。

8 SDA I/O I²C数据线。

9 VBAT I 降压模式下，输出电压的检测反馈输入端。

10 COMP O 运放输出补偿端。

11 GND GND 芯片地。

12 NMOS O 下管功率 MOSFET 门极驱动信号输出，外接 NMOS，驱动电流±

100mA。

13 LX O 开关端。

14 PMOS O 上管功率 MOSFET 门极驱动信号输出, 外接 PMOS，驱动电流±

100mA。

15 VCC Power 芯片电源脚。

16 BLED O 照明大功率LED输出脚，最大驱动能力100mA。

屹晶微电子有限公司 EG1501 芯片用户手册 V1.0 可编程电源芯片 2014 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 5. 结构框图 VCC VBAT IFB PMOS 2.5V基 准电源 功率PMOS 驱动 功率NMOS 驱动 NMOS 13 LX 峰值电流比 较器1 峰值电流比 较器2 REFG(2:0)可配置 振荡器 电流环 比较器 CLK(2:0) 可配置 放大器 ICOMP(2:0) 放大器 x10～x40 10位ADC I²C总线 控制器 数字控制电路 输出电压反 馈运放 恒流通道1 电流运放 选通器 MUX 可配置死 区发生器 升/降压 控制模块 10COMP AD0 AD2 AD3 AD4 AD5 AD6 5OUTP REFA(3:0) LED驱动 4 LED1 LED2 LED3 LED4 BLED SD(2:0) 7SCL SDA ICOMP(2:0) ADSEL(2:0) 求 平 均 二选一 选通器 MUX 二选一 选通器 MUX 二选一 选通器 MUX 二选一 选通器 MUX REFC(5:0) 二选一 选通器 MUX 可配置 延时器 REFE(1:0) 短路释放选择器 自锁 定时释放 短路保护电路 10位ADC电路 AD1 恒流源 可调 REFA(3:0) REFB(3:0) 可 配 置 自 动 10位数据 大电流 LED驱动 SD(2:0) REFC(5:0) REFD(5:0) REFF(2:0) CLK(2:0) 1.05V～1.425V 1mV～122mV 50mV～250mV Vcc-250mV AD2

10 GND

REFF(2:0) REFG(2:0) ADSEL(2:0) 二选一 选通器 MUX REFB(3:0) REFE(1:0) 50mV～150mV 斜波补偿 MOS管峰值 电流采样 1.05V～1.272V AD7 内部 温度 N(2:1) Y(2:1) MOC(2:0) DT(2:0) PRE(1:0) CONV SCP_EN(1:0) LED_EN PMOS_EN NMOS_EN OCP_EN ADC_EN SLP_EN LEDCTL(4:0) BLED LEDI(2:0) ADC_D(9:0) ADC_EN AD0 AD1 AD2 AD3 AD4 AD7 AD5 AD7 OCP_EN OCP_EN R VREF=2.5V 基准电压 AD4 图5-1. EG1501 结构框图

屹晶微电子有限公司 EG1501 芯片用户手册 V1.0 可编程电源芯片 2014 ©屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 6. 典型应用电路 6.1. EG1501 移动电源典型方案 图 6‐1. 基于EG1501 移动电源应用电路图双USB 口输出 Micro-USB USBAout LED1 LED2 LED3 BLED 照明LED 47Ω 4.7uHL1 20mΩ R17 SW-PB R12 20mΩ R15 43KR3 75K 51K 51K +5V 0.1uF MOS管电流采样 电池充电电流控制 LED1~LED4恒流驱动（1~6mA可配置)输出短路保护 基于EG1501移动电源应用图 www.EGmicro.com +5V EG4P12 智能适应充电器电流大小 ，最大充电电流 2.1A。 智能升压，最大化电池容量利用率，最大输出电流 2.1A。 输入防反接 22uF 22uF 0.1uF 22uF 22uF （利用MOS管导通电阻） 0.1uF 同步续流升降压功能，最高效率 90%以上；可扩展支持更大的输出电流。 双重电池保护功能，硬件、软件都可参与电池保护。 支持LED照明功能。 G2S2 NMOS 8205 G2S2 NMOS 8205 BAT- 1 OD CS OC TD VCC GND DW01 100Ω 0.1uF R13 BT- BT- BAT+ G2 S2 3 4 NMOS 8205 51Ω R16 BT+ BT+ 510Ω R14 220uF G2S2 NMOS 8205 R10 10K 10K +5V 单片机 R11 10K USBBout LED4 EG4P12 8 9 16LED4 LED3 LED2 LED1 OUTP IFB SCL SDA BLED VCC PMOS LX NMOS GND COMP VBAT U1 EG1501

屹晶微电子有限公司 EG1501 芯片用户手册 V1.0 可编程电源芯片 2013 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 7. 电气特性 7.1. 极限参数 无另外说明，在TA=25℃条件下 符号 参数名称 测试条件 最小 最大 单位 电源端 VCC - - 6 V 输入、输出 All - - 6 V Tj 结温 -55 150 ℃ TA 环境温度 - -45 85 ℃ Tstr 储存温度 - -65 150 ℃ TL 焊接温度 T=10S - 300 ℃ 注：超出所列的极限参数可能导致芯片内部永久性损坏，在极限的条件长时间运行会影响芯片的可靠性。 7.2. 典型参数 无另外说明，在TA=25℃，VCC=15V 参数名称 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 电源 Vcc - 2.5 5 5.5 V 睡眠模式电流 Iccs 关闭内部所有电路模块 - - 5 uA 待机电流 Iccq 关闭功率 MOSFET - 0.48 2 mA 工作静态电流 Icc f=200KHz，PWM 工作同步续流 开启 15 18 mA 基准电压 基准电压 VREF VCC=5V 2.475 2.5 2.525 V 线性调整率 Δ VREF VCC=3V to 5.5V - 10 20 mV 负载调整率 Δ VREF IL=0 to 1mA - 20 50 mV 最大输出电流 IO VCC=3V to 5.5V - - 1 mA 振荡器 频率范围 Δ f VCC=3 to 5V 42 - 500 KHz 电压抑制比 Δ f/Δ VCC VCC=3 to 5V - ±3 ±5 % 温度漂移 Δ f/Δ T - - ±5 ±8 % 最低频率 fMIN - 42 - KHz 最高频率 fMAX - 500 - KHz

屹晶微电子有限公司 EG1501 芯片用户手册 V1.0 可编程电源芯片 2013 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 误差放大器 输入失调电压 VOS VCC=5V - 2.0 10 mV 输入偏置电流 Ib - - 1.0 10 uA 输入失调电流 IOS - - - 1.0 uA 开环增益 AVOL - 60 75 - dB 输出低电平 VOL - - 0.2 0.5 V 输出高电平 VOH - 3.8 4.7 - V 共模抑制比 CMRR - 60 75 - dB 电源抑制比 PSRR - 50 60 - dB 输出 MOS 驱动能力 输出低电平I VOL I ISINK=20mA - 0.1 0.4 V 输出低电平 II VOL II ISINK=100mA - 1 2 V 输出高电平I VCH I ISOURCE=20mA 4 4.5 - V 输出高电平 II VCH II ISOURCE=100mA 3.5 4 - V 上升时间 tR CL=1nF，Tj=25℃ - 100 500 nS 下降时间 tF CL=1nF，Tj=25℃ - 70 300 nS 7.3. 升压效率曲线，放电效率 VS 输出电流 92.00% 92.50% 93.00% 93.50% 94.00% 94.50% 95.00% 95.50% 96.00% 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 BAT=3.6V BAT=3.8V BAT=4V BAT=4.2V USB 输出电流(A) （A）

屹晶微电子有限公司 EG1501 芯片用户手册 V1.0 可编程电源芯片 2013 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 7.4. 降压效率曲线，充电效率 VS 电池电流 7.5. 降压效率曲线，充电效率 VS 电池电压 91.00% 92.00% 93.00% 94.00% 95.00% 96.00% 97.00% 98.00% 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 输入4.8V 输入5V 输入5.2V 92.50% 93.00% 93.50% 94.00% 94.50% 95.00% 95.50% 96.00% 输入5V3A 输入5V2A 输入5V1A 输入5V0.5A 电池电流(A) 电池电压(V)

屹晶微电子有限公司 EG1501 芯片用户手册 V1.0 可编程电源芯片 2013 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 8. 应用设计 8.1. I²C 总线操作协议 EG1501 的I²C 总线是Slave 模式，写操作的地址为0xB4h，读操作的地址为0xB5h，最高速率达100K/bps， 符合标准I²C 协议，操作时序如下：  外部MCU 进行I²C 写操作访问： addr device (b1011010) 配置寄存器起始地址 (0x00–0x0d) wdata10 7位器件地址 8位 8位数据1 Start Ack Ack 0 wdata2Ack Ack …… wdataN Ack 8位数据2写 图8.1a I²C 写操作 I²C 写操作步骤：1. MCU 发 EG1501 的写操作地址0xB4h，既如图8.1a 所示的高位7 位器件地址的 b1011010 和写操作位bit0 为“0”。 2.发 EG1501 的内部寄存器地址0x00～0x0D，指定哪个寄存器进行写数据。 3.写数据。如果连续写多个地址的数据，第一个字节的数据写入前面给出的配置 寄存器起始地址，后面的地址依次加1，直到响应位为1，或者总线 start/stop， 停止写数据。  外部MCU 进行I²C 读操作访问： addr device (b1011010) rdata11 7位器件地址 读出8位数据 rdata2 读出8位数据 Start Ack Ack Ack 0 rdataN 读出8位数据 Ack addr device (b1011010) 配置寄存器起始地址 (0x00–0x0d)0 7位器件地址 8位 Start Ack Ack 写 读 图8.1b I²C 读操作

屹晶微电子有限公司 EG1501 芯片用户手册 V1.0 可编程电源芯片 2013 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com I²C 读操作步骤：1. MCU 发EG1501 的写操作地址0xB4h，既如图8.1b 所示的高位7 位器件地址的 b1011010 和写操作位bit0 为“0”。 2.发 EG1501 的内部寄存器地址0x00～0x0D，指定哪个寄存器进行读数据。 3.再发 EG1501 的读操作地址0xB5 h，读上述指定好的寄存器。 4.读数据。如果连续读多个地址的数据，第一个字节数据为前面给出的配置 寄存器起始地址对应的数据，后面的数据是地址依次加 1 所对应的配置寄存器 数据。直到响应位为1，或者总线start/stop，停止读数据。 8.2. 配置控制寄存器 寄存 器地 址 (Hex) Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 上电 复位值 (二进制) 0x00 SHORTO W1 K1 H1 G1 C1 B1 A1 11000000 0x01 REFB3 REFB2 REFB1 REFB0 REFA3 REFA2 REFA1 REFA0 00000110 0x02 GV2 GV1 REFC5 REFC4 REFC3 REFC2 REFC1 REFC0 00100111 0x03 IAPSET2 IAPSET1 - - - - - - 00100111 0x04 ICOMP2 ICOMP1 ICOMP0 SD2 SD1 SD0 REFE1 REFE0 00000000 0x05 - ISET2 ISET1 N2 N1 CLK2 CLK1 CLK0 00000000 0x06 OCP2SET2 OCP2SET1 REFG2 REFG1 REFG0 REFF2 REFF1 REFF0 00000000 0x07 SLOPECTL OCP2EN DT2 DT1 DT0 MOC2 MOC1 MOC0 00000000 0x08 GVSEL OVPEN OVPSEL Y2 Y1 LEDI2 LEDI1 LEDI0 00000000 0x09 - - BLED - LEDCTL3 LEDCTL2 LEDCTL1 LEDCTL0 00000000 0x0A SCP _EN1 SCP _EN0 LED _EN PMOS _EN NMOS _EN OCP _EN ADC _EN SLP _EN 00000001 0x0B EOC CONV PRE2 PRE1 PRE0 ADSEL2 ADSEL1 ADSEL0 00000000 0x0C AVE1 AVE0 - - - - ADC_D1 ADC_D0 00000000 0x0D ADC_D9 ADC_D8 ADC_D7 ADC_D6 ADC_D5 ADC_D4 ADC_D3 ADC_D2 00000000

屹晶微电子有限公司 EG1501 芯片用户手册 V1.0 可编程电源芯片 2013 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 8.3. 控制寄存器详细描述 1. 功能控制寄存器0x00h 寄存器地址0x00(Hex) 初始值 Bit7 SHORTO 升压输出短路保护信号，“1”输出短路保护， “0”无短路保护 1（只读） Bit6 W1 运放输出下拉能力选择位， “1”为强下拉， “0”为弱下拉 1 Bit5 K1 短路保护控制位 0 Bit4 H1 AD3 输入通道前置放大器选择位， “1”经内部增益放大， “0”不放大 0 Bit3 G1 AD3 的输入端口选择位， “1”选择IFB 引脚，“0”选择地 0 Bit2 C1 电压采样反馈， “1”使用VCC 脚的内部分压电阻， “0”选择内部2.5V 0 Bit1 B1 BAT 脚的反馈， “1”使用内部分压电阻， “0”使用外部分压电阻 0 Bit0 A1 升压降压选择位， “1”表示降压模式， “0”表示升压模式 0 2. 升压、降压基准电压控制寄存器0x01 寄存器地址0x01(Hex) 初始值 Bit7 REFB3 降压模式下，电压环运放基准电压选择位，非线性 0000 0001 0010 0011 0100 0101 0110 0111 1000 1001 1010 1011 1100 1101 1110 1111 Bit6 REFB2 1 Bit5 REFB1 0 Bit4 REFB0 0 Bit3 REFA3 升压模式电压环运放基准电压位，线性分辨率100mV 精度 0000 0001 0010 0011 0100 0101 0110 0111 1000 1001 1010 1011 1100 1101 1110 1111 Bit2 REFA2 1 Bit1 REFA1 1 Bit0 REFA0 0

屹晶微电子有限公司 EG1501 芯片用户手册 V1.0 可编程电源芯片 2014 ©屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 3. IFB1 内部基准电压控制寄存器 0x02 寄存器地址 0 x 0 2 ( H e x ) 初始值 Bit7 GV2 电流放大器增益配置， “00”10 倍放大， “01”20 倍放大， “10”30 倍 放大， “11”40 倍放大 Bit6 GV1 0 Bit5 REFC5 IFB1 内部基准电压设定寄存器： 1．000000～011110: 1mV～30mV, 线性分辨率 1mV 精度 2．011111～110001：32mV～70mV, 线性分辨率 2mV 精度 3．110001～111111：73mV～112mV, 线性分辨率 3mV 精度 Bit4 REFC4 0 Bit3 REFC3 0 Bit2 REFC2 1 Bit1 REFC1 1 Bit0 REFC0 1 4. 电流放大器正端电压控制寄存器 0x03 寄存器地址 0 x 0 3 ( H e x ) 初始值 Bit7 IAPSET2 电流放大器正端基准电压配置， “00”50mV， “01”75mV， “10”100mV， “11”150mV Bit6 IAPSET1 0 Bit5 - Bit4 - 0 Bit3 - 0 Bit2 - 1 Bit1 - 1 Bit0 - 1 5. 电流环放大器、短路保护基准电压和延时控制器 0x04 寄存器地址 0 x 0 4 ( H e x ) 初始值 Bit7 ICOMP2 电流环放大器及斜波补偿选择位 000 001 010 011 100 101 110 111 (无电流环) x1 x2 x3 x4 x5 x6 x7 Bit6 ICOMP1 0 Bit5 ICOMP0 0 Bit4 SD2 短路保护延时时间控制位 000 001 010 011 100 101 110 111 3uS 5uS 8uS 13uS 26uS 55uS 108uS 213uS Bit3 SD1 0 Bit2 SD0 0 Bit1 REFE1 短路保护基准电压比较器，线性分辨率 50mV 精度 00 01 10 11 50mV 100mV 150mV 200mV Bit0 REFE0 0

屹晶微电子有限公司 EG1501 芯片用户手册 V1.0 可编程电源芯片 2013 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 6. PWM 时钟频率设定寄存器0x05 寄存器地址0x05(Hex) 初始值 Bit7 - - 0 “11”标准值*2 Bit5 ISET1 0 Bit4 N2 最大占空比设定， “00”“10”最大占空比100% “01”最大占空比75%， “11”最大占空比41% Bit3 N1 0 Bit2 CLK2 PWM 时钟频率设定寄存器 000 001 010 011 100 101 110 111 42KHz 50KHz 64KHz 100KHz 200KHz 300KHz 400kHz 500KHz Bit1 CLK1 0 Bit0 CLK0 0 7. 功率 MOS 管峰值电流限制寄存器0x06 寄存器地址0x06(Hex) 初始 值 Bit7 OCP2SET2 同步续流开启， 副管过流保护基准电压配置， “00”为10mV，“01”为20mV， “10”为30mV，“11”同主管过流保护基准电压 Bit6 OCP2SET1 0 Bit5 REFG2 PMOS 功率管峰值电流基准电压控制位 000 001 010 011 100 101 110 111 Vcc- 50mV Vcc- 75mV Vcc- 100mV Vcc- 125mV Vcc- 150mV Vcc- 175mV Vcc- 200mV Vcc- 250mV Bit4 REFG1 0 Bit3 REFG0 0 Bit2 REFF2 NMOS 功率管峰值电流基准电压控制位 000 001 010 011 100 101 110 111 50mV 75mV 100mV 125mV 150mV 175mV 200mV 250mV Bit1 REFF1 0 Bit0 REFF0 0 8. PWM 死区、过流延时设定寄存器0x07 寄存器地址0x07(Hex) 初始值 Bit7 SLOPECTL 斜波补偿配置位， “0”有斜波补偿， “1”无斜波补偿 0 Bit6 OCP2EN 副管过流保护使能， “0”副管过流保护不起作用， “1”副管过流保护 起作用 Bit5 DT2 上下管死区时间设定 000 001 010 011 100 101 110 111 30nS 60nS 90nS 117nS 127nS 150nS 174nS 197nS Bit4 DT1 0 Bit3 DT0 0 Bit2 MOC2 MOS 管过流延时时间设定 000 001 010 011 100 101 110 111 9nS 71nS 125nS 183nS 204nS 255nS 303nS 356nS Bit1 MOC1 0 Bit0 MOC0 0

屹晶微电子有限公司 EG1501 芯片用户手册 V1.0 可编程电源芯片 2013 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 9. LED 恒流值设定寄存器0x08 寄存器地址0x08(Hex) 初始值 Bit7 GVSEL 系统环路增益配置， “0”标准值， “1”标准值/3 0 Bit6 OVPEN 升压过压保护使能， “0”过压保护不起作用， “1”过压保护起作用 0 Bit5 OVPSEL 过压保护基准选择位， “0”选择1.2V，对应VCC 5.7V 过压值； “1”选 择REFB3~REFB0 Bit4 Y2 REFC(5:0)和REFD（5:0）基准电压系数设定： “00”是REFC（5:0）和REFD（5:0）的基准电压值如寄存器0x02 和寄 存器0x03 的描述 “01”是REFC（5:0）和REFD（5:0）的基准电压值为原先的2 倍 “10”是REFC（5:0）和REFD（5:0）的基准电压值为原先的3 倍 “11”是REFC（5:0）和REFD（5:0）的基准电压值为原先的4 倍 Bit3 Y1 0 Bit2 LEDI2 LED 灯恒流驱动电流设定 000 001 010 011 100 101 110 111 Bit1 LEDI1 0 Bit0 LEDI0 0 10. LED ON/OFF 使能控制寄存器 0x09 寄存器地址0x09(Hex) 初始值 Bit5 BLED 照明 LED 灯的开启和关闭控制位 “0”是关闭照明LED 灯 “1”是开启照明LED 灯 Bit4 - - 0 Bit3 LEDCTL LED4 引脚灯的开启和关闭控制位 “0”是关闭LED4 引脚灯 “1”是开启LED4 引脚灯 Bit2 LEDCTL LED3 引脚灯的开启和关闭控制位 “0”是关闭LED3 引脚灯 “1”是开启LED3 引脚灯 Bit1 LEDCTL LED2 引脚灯的开启和关闭控制位 “0”是关闭LED2 引脚灯 “1”是开启LED2 引脚灯 Bit0 LEDCTL LED1 引脚灯的开启和关闭控制位 “0”是关闭LED1 引脚灯 “1”是开启LED1 引脚灯

屹晶微电子有限公司 EG1501 芯片用户手册 V1.0 可编程电源芯片 2014 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 11. 内部模块使能控制设定寄存器0x0A 寄存器地址0x0A(Hex) 初始值 Bit7 SCP_EN1 短路保护模块使能控制位 00 01 10 11 关闭 SCP 模块 OUTP 引脚输出高电平 关闭 SCP 模块 OUTP 引脚输出低电平 关闭 SCP 模块 OUTP 引脚输出高电平 开启SCP 模块 Bit6 SCP_EN0 0 Bit5 LED_EN LED 驱动模块使能控制位 “0”关闭LED 驱动模块 “1”开启LED 驱动模块 Bit4 PMOS_EN PMOS 管驱动器使能控制位 “0”关闭PMOS 驱动输出，19 脚输出一直为高电平 “1”开启PMOS 驱动输出，PWM 信号发送给外部PMOS 管门极 Bit3 NMOS_EN NMOS 管驱动器使能控制位 “0”关闭NMOS 驱动输出，17 脚输出一直为低电平 “1”开启NMOS 驱动输出，PWM 信号发送给外部NMOS 管门极 Bit2 OCP_EN MOS 管过流保护模块使能控制位 “0”关闭过流保护模块OCP “1”开启过流保护模块OCP Bit1 ADC_EN ADC 模块使能控制位 “0”关闭ADC 模块 “1”开启ADC 模块 Bit0 SLP_EN 待机模式控制位 “0”关闭内部所有电路模块，详细操作参考8.4 节 12. 模数转换器ADC 控制设定寄存器0x0B 寄存器地址0x0B(Hex) 初始值 Bit7 EOC ADC 转换结束标志位 “0”为 ADC 转换未结束 “1”为 ADC 转换已结束 Bit6 CONV ADC 转换开启控制位 “0”为 ADC 未开启转换 “1”为 ADC 转换已开启 Bit5 PRE2 ADC 时钟频率选择位 000 001 010 011 150KHz 75KHz 37.5KHz 18.75KHz 100 101 110 111 9.375KHz 4.6875 KHz 2.344 KHz 1.172 KHz Bit4 PRE1 0 Bit3 PRE0 0 Bit2 ADSEL2 ADC 输入通道选择位 000 001 010 011 100 101 110 111 AD0 AD1 AD2 AD3 AD4 AD5 AD6 AD7 Bit1 ADSEL1 0 Bit0 ADSEL0 0

屹晶微电子有限公司 EG1501 芯片用户手册 V1.0 可编程电源芯片 2013 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 13. ADC 数据位低2 位寄存器0x0C 寄存器地址0x0C(Hex) 初始值 Bit7 AVE1 ADC 求平均配置， “00”不进行平均， “01”64 次平均， “10”128 次 平均， “11”256 次平均 Bit6 AVE0 0 Bit1 ADC_D1 ADC 低数据位1，只读位 0（只读） Bit0 ADC_D0 ADC 低数据位0，只读位 0（只读） 14. ADC 数据位高 8 位寄存器0x0D 寄存器地址0x0D(Hex) 初始值 Bit7 ADC_D9 ADC 数据位9，只读位 0（只读） Bit6 ADC_D8 ADC 数据位8，只读位 0（只读） Bit5 ADC_D7 ADC 数据位7，只读位 0（只读） Bit4 ADC_D6 ADC 数据位6，只读位 0（只读） Bit3 ADC_D5 ADC 数据位5，只读位 0（只读） Bit2 ADC_D4 ADC 数据位4，只读位 0（只读） Bit1 ADC_D3 ADC 数据位3，只读位 0（只读） Bit0 ADC_D2 ADC 数据位2，只读位 0（只读）

屹晶微电子有限公司 EG1501 芯片用户手册 V1.0 可编程电源芯片 2013 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 8.4. ADC 操作时序 EG1501 内置了一个 8 通道 10 位高精度的模数转换器ADC，8 通道的输入选择由寄存器0x0B 的 bit2～ bit0 控制，外部单片机可以通过I²C 来操作 ADC 的采样，操作时序参考图8.3a。其中 CLK 为 ADC 的采样时 钟，由寄存器0x0B 的PRE1 和 PRE0 选择控制（bit3:bit2）；ADC_EN 为ADC 的使能控制信号，由寄存器0x0B 的 bit1 控制；CONV 为ADC 的转换使能控制信号，对应寄存器0x0B 的bit6 控制；EOC 为ADC 的转换结束信 号，对应寄存器bit5 控制。ADC 的内部基准电压为VREF。 图 8.3a ADC 采样工作时序图 8.5. 芯片休眠和唤醒模式 为了降低电源的待机功耗，EG1501 有两种工作模式，分别为休眠模式和正常工作模式。  休眠模式设置 1. MCU 通过I²C 对寄存器0x0A 的 bit0SLP_EN 写“0”操作，EG1501 立即进入休眠状态，休眠 模式下，EG1501 芯片内部的所有模块都停止工作，进入最低待机功耗模式， 2. EG1501 被唤醒后，如果想再次进入休眠模式，必须先设置0x0A 的bit0SLP_EN 到“1”，再设 置SLP_EN 到“0” ，则芯片立即进入休眠模式。  唤醒到正常工作模式设置 1. 在休眠模式下，通过I²C 总线的SCL 下降沿唤醒EG1501 到正常工作模式，同时EG1501 在SDA 上输出一个脉宽为1ms 的低电平脉冲，表示芯片已经唤醒到正常工作模式。 8.6. I²C 总线复位 I²C 总线复位时间受EG1501 内部时钟频率影响，SCL 持续低电平时间超过1000 个芯片时钟周期(2～ 5ms)，EG1501 就会被复位，直到 SCL 恢复高电平，复位结束。所以为了保证可靠的总线复位，SCL 低 电平持续时间最好大于5ms，而SCL 低电平时间小于2ms，则被认为是安全的，芯片不会被复位。 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 0x000 0xxxx 0xxxx 0xxxx 0x000 2 0 个 时 钟 2 0 个 时 钟 2 0 个 时 钟 CLK ADC_EN CONV EOC ADC_D

屹晶微电子有限公司 EG1501 芯片用户手册 V1.0 可编程电源芯片 2013 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 9. 封装尺寸 9.1. SOP16 封装尺寸 符号 尺寸（mm） Min Max A 1.350 1.750 A1 0.100 0.250 A2 1.350 1.550 B 0.330 0.510 C 0.190 0.250 D 9.800 10.000 E 3.800 4.000 E1 5.800 6.300 e 1.270（TYP） L 0.400 1.270 Θ 0° 8°