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EG358 芯片用户手册 三端正电源电压调节芯片 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 REV 1.0
屹晶微电子有限公司 EG358 芯片数据手册 V1.0 双低功率运算放大器芯片 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 版本变更记录 版本号 日期 描述 V1.0 2017 年04 月20 日 EG358 数据手册初稿
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屹晶微电子有限公司 EG358 芯片数据手册 V1.0 双低功率运算放大器芯片 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com EG358 芯片数据手册 V1.0 1. 特性 可单电源或双电源工作 包含两个运算放大器 逻辑电路匹配 内部频率补偿 短路保护输出 功耗小 频率范围宽 2. 描述 EG358是由两个独立的高增益运算放大器组成。可以是单电源工作，也可以是双电源工作，电源的功耗 电流与电源电压大小无关。应用范围包括音频放大器、工业控制、DC增益部件和所有常规运算放大电路。 采用 DIP8或 SOP8封装形式。 3. 应用领域 便携式DVD 电池充电器 稳压电源
屹晶微电子有限公司 EG358 芯片数据手册 V1.0 双低功率运算放大器芯片 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 4. 引脚 4.1 功能框架 A B + + -- 图4-1. EG358 功能框架 4.2 引脚描述 引脚序号 引脚名称 1 输出A 2 反相输入A 3 同相输入A
4 GND
5 同相输入B 6 反相输入B 7 输出B
8 VCC
屹晶微电子有限公司 EG358 芯片数据手册 V1.0 双低功率运算放大器芯片 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 5. 原理框图 图5-1. EG358 原理框图
屹晶微电子有限公司 EG358 芯片数据手册 V1.0 双低功率运算放大器芯片 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 6. 典型应用电路 1/2EG358 100K 100k 100k 100k 100k 100k Vo 其中:为保持 Vo>0V，Vo=V1+V2+V3+V4，(V1+V2)≥(V3+V4) 图 6-1. 加法放大器 1/2EG358 100k 100k Vo 100kV+ C1=1n 100k 图 6-2. 方波振荡器
屹晶微电子有限公司 EG358 芯片数据手册 V1.0 双低功率运算放大器芯片 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 1/2EG358 Vo -93k +Vin 910k 100k V+RL 对于 Vin=0V,Av=10,Vo=0V 图 6-3. 功率放大器 1/2EG358 1/2EG358 100k 100kVin 10M 470k 1/2EG358 C1=330pF C2=330pF 100K 470K 100K 100K C3=10uF Vo fo=1kHz, Q=50, Av=100(40dB) 图6-4. RC 有源带通滤波器
屹晶微电子有限公司 EG358 芯片数据手册 V1.0 双低功率运算放大器芯片 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 7. 电气特性 7.1 极限参数 无另外说明，在TA=25℃条件下 参数名称 数值 单位 电源电压 32 或±16 V 差分输入电压 32 V 输入电压 -0.3~32 V 功耗 (注 1) DIP 封装 550 mW SOP 封装 530 mW 输出端对地短路电流 （1 放大器） 输入电流（VIN<-0.3V） 50 mA 工作环境温度 -25~85 ℃ 贮存温度 -65~150 ℃ 注：超出所列的极限参数可能导致芯片内部永久性损坏，在极限的条件长时间运行会影响芯片的可靠性。
屹晶微电子有限公司 EG358 芯片数据手册 V1.0 双低功率运算放大器芯片 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 7.2 典型参数 若无其它规定，V+=5.0V 特性 测试条件 最 小 典型 最大 单位 输入失调电压 Ta=25℃ 2 5 mV 输入偏流 Ta=25℃，IIN(+)或IIN（-），VCM=0V 45 150 nA 输入失调电流 Ta=25℃，IIN(+) - IIN（-），VCM=0V 3 30 nA 输入共模电压范围 Ta=25℃，V+=30V 0 V -1.5 V 电源电流 在整个温度范围上， RL=∞在所有运算放大器上， V+=30V 1 2 mA V+=5V 0.5 1.2 大信号电压增益 V+=15V，Ta=25℃，RL≥2kΩ （对于Vo=1~11V） 50 100 V/mV 共模抑制比 DC,Ta=25℃，Vcm=0~ V+ -1.5V 70 90 dB 电源抑制比 DC,Ta=25℃，V+=5~30V 65 100 dB 放大器之间的耦合系数 Ta=25℃，f=1~20kHz（所有的输入） -120 dB 输出源电流 VIN(+)=1V,VIN(-)=0V,V+=15V,Vo=2V,Ta=25℃ 20 40 mA 输出吸电流 VIN(-)=1V,VIN(+)=0V,V+=15V,Vo=2V,Ta=25℃ 10 20 mA VIN(-)=1V,VIN(+)=0V,V+=15V,Vo=200mV,Ta=25℃ 12 50 μA 对地短路电流 V+=15V， Ta=25℃ 40 60 mA 输入失调电压 7 mV 输入失调电压漂移 Rs=0Ω 7 μ V/℃ 输入失调电流 Iin(+)-Iin(-) 100 nA 输入失调电流漂移 Rs=0Ω 10 pA/℃ 输入偏置电流 Iin(+)或 Iin(-) 40 300 nA 输入共模电压范围 V+=30V 0 V -2 V 大信号电压增益 V+=15V，（Vo=1~11V）， RL≥2kΩ 25 V/mV 输出电 压 摆幅 VOH V+=30V RL=2kΩ 26 V RL=10kΩ 27 28 V VOL V+=5V，RL=10kΩ 5 20 mV 输出电 流 源电流 VIN(+)=1V，VIN(-)=0V，V+=15V，Vo=2V 10 20 mA 吸电流 VIN(-)=1V，VIN(+)=0V，V+=15V，Vo=2V 5 8 mA
屹晶微电子有限公司 EG358 芯片数据手册 V1.0 双低功率运算放大器芯片 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 7.3 典型特性曲线 图7-1. 开环频率曲线 图7-2. 电压增益曲线 图 7-3. 大信号频率响应曲线 图7-4. 电源偏置电流和输入电压关系 图7-5. 电源电压和电源电流关系 7-6. 小信号电压跟随器脉冲响应曲线
屹晶微电子有限公司 EG358 芯片数据手册 V1.0 双低功率运算放大器芯片 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 图 7-7 输入电压范围 图7-8 电压跟随器脉冲响应曲线
屹晶微电子有限公司 EG358 芯片数据手册 V1.0 双低功率运算放大器芯片 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 8. 封装尺寸