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EG3001芯片用户手册 2011 © 上海屹晶微电子有限公司版权所有 REV 1.0 单通道功率MOSFET驱动芯片
屹晶微电子有限公司 EG3001 芯片用户手册 V1.0 单通道MOSFET 管驱动芯片 2011 © 上海屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 版本变更记录 版本号 日期 描述 V1.0 2011 年04 月28 日 EG3001 用户手册初稿
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屹晶微电子有限公司 EG3001 芯片用户手册 V1.0 单通道MOSFET 管驱动芯片 2011 © 上海屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com EG3001 芯片用户手册 V1.0 1. 特点 源出峰值驱动电流达1A和吸入峰值驱动电流达1.2A 宽电压输入范围：+3V - +30V 输入端IN可承受最高为+30V的输入电压 低输入供电电流： 逻辑1输入— 200uA（典型值） 逻辑0输入— 0uA（典型值） 独立的拉电流和灌电流输出结构可独立调节上升沿和下降沿时间 SD 引脚实现逐周关断控制，可用于短路或过流保护处理电路 封装形式：SOP-8 2. 描述 EG3001是一款单通道高性价比的功率MOSFET管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片，内部 集成了输入逻辑信号处理电路、SD 快速关断处理电路及大电流输出驱动电路，专用于电源转换器及电机控 制器等的功率MOSFET管驱动器。 EG3001 电源电压范围宽3V～30V，静态功耗低仅2mA，输出结构具有独立的源出电流OUTD端和吸入电 流 OUTS端引脚，可以用来独立地调节输入到 MOSFET管G 极的上升沿时间和下降沿时间。 3. 应用领域 电机驱动器 逆变器 步进电机驱动 DC/DC 转换器 驱动大功率双极型晶体管 UPS 不间断电源 Class-D 功率放大器 开关电源 脉冲变压器驱动器 无刷风扇
屹晶微电子有限公司 EG3001 芯片用户手册 V1.0 单通道MOSFET 管驱动芯片 2011 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 4. 引脚 4.1. 引脚定义 NC GNDOUTSOUTD EG3001 1 2 3 4 5678 IN SD Vcc NC 图4-1. EG3001 管脚定义 4.2. 引脚描述 引脚序号 引脚名称 I/O 描述
1 NC NC 空脚
2 IN I
驱动输入信号，控制 MOSFET 管的导通与截止，输入电压范围为 -0.3V~+Vcc ： “0”是关闭功率MOSFET 管 “1”是开启功率MOSFET 管
3 SD I
驱动输出关断控制脚： “0”是开启输出驱动 “1”是关闭输出驱动
4 NC NC 空脚
5 GND GND 输入、输出公共地端，必须靠近被驱动的MOSFET源极
6 OUTS O 驱动输出吸入端,能吸入1.2A 的灌电流输出能力
7 OUTD O 驱动输出源出端,能源出1A的拉电流输出能力
8 Vcc Power 芯片工作电源及MOSFET驱动电源，电压范围为3V至30V
屹晶微电子有限公司 EG3001 芯片用户手册 V1.0 单通道MOSFET 管驱动芯片 2011 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 5. 结构框图 逻辑输入 HIN GND Vcc OUTD 10K 17K SD 20K Vcc S R OUTS I Q 图5-1. EG3001 结构框图 6. 典型应用电路 +15V NC NC GND OUTS OUTD EG3001 4 5 IN VCC SD +Vin R1 10 SD Q1IN 0.1uF/25V10uF/25V Rsense
0.01 Ohm
470uF/25V 0.1uF/25V Vout R3 C7 10K + +15V +0.5VSD脚应用于过流或短路保护功能 图6-1. EG3001 典型应用电路图（带SD 端短路保护功能）
屹晶微电子有限公司 EG3001 芯片用户手册 V1.0 单通道MOSFET 管驱动芯片 2011 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 7. 电气特性 7.1 极限参数 无另外说明，在TA=25℃条件下 符号 参数名称 测试条件 最小 最大 单位 输出端 OUTD - -0.3 35 V 输出端 OUTS - -0.3 35 V 电源 VCC - -0.3 35 V 逻辑信号输入 高 电平 IN - -0.3 35 V 逻辑信号输入低 电平 IN - -0.3 35 V SD控制端 SD - -0.3 7 V TA 环境温度 - -45 85 ℃ Tstr 储存温度 - -65 125 ℃ TL 焊接温度 T=10S - 300 ℃ 注：超出所列的极限参数可能导致芯片内部永久性损坏，在极限的条件长时间运行会影响芯片的可靠性。
屹晶微电子有限公司 EG3001 芯片用户手册 V1.0 单通道MOSFET 管驱动芯片 2011 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 7.2 典型参数 无另外说明，在TA=25℃，负载电容CL=1nF条件下 参数名称 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 电源 Vcc - 3 15 30 V 静态电流 Icc 输入悬空，Vcc=12V - 2 2.5 mA IN 输入逻辑 “1” 高电平输入电压 IN(H) 输入控制信号 2.5 5.0 30 V IN 输入逻辑 “0” 低电平输入电压 IN(L) 输入控制信号 -0.3 0 1.0 V IN 输入逻辑“1” 高电平的电流 Iin(H) Vin=5V 150 200 300 uA IN 输入逻辑“0” 低电平的电流 Iin(L) Vin=0V - 0 - uA SD 输入逻辑 “1” 高电平输入电压 SD(H) 关断控制信号 2.5 5.0 6 V SD 输入逻辑 “0” 低电平输入电压 SD(L) 关断控制信号 -0.3 0 1.0 V SD 输入逻辑 “1” 高电平的电流 SDin(H) Vin=5V 150 210 300 uA SD 输入逻辑 “0” 低电平的电流 SDin(L) Vin=0V - 0 - uA 输出开关时间特性 上升时间 Tr 见图 7-3a，CL=0 - 80 120 nS 见图 7-3a，CL=1000pF 160 180 nS 下降时间 Tf 见图 7-3a，CL=0 - 20 30 nS 见图 7-3a，CL=1000pF 50 80 nS 开延时 Ton 见图 7-3a - 200 250 nS 关延时 Toff 见图 7-3a - 80 100 nS IO 输出最大驱动能力 IO 输出拉电流 IO+ Vo=0V,IN=HIGH PW≤10uS 0.8 1 - A IO 输出灌电流 IO- Vo=12V,IN=LOW PW≤10uS 1 1.2 - A
屹晶微电子有限公司 EG3001 芯片用户手册 V1.0 单通道MOSFET 管驱动芯片 2011 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 7.3 开关时间特性 10uF0.1uF IN SD OUTD OUTS GND VCC CL=1000pF VCC=+12V 输入 输出 关断控制 EG3001 Ton Tr Toff Tf 10% 90% 90% 90% 10% 10% IN OUT 输入：100kHz 方波 Trise=Tfall≤10nS 图7-3a. 开关时间测试电路 图7-3b. 输入输出开关时间波形图 8. 应用设计 8.1 电源电压输入（Vcc） Vcc端是EG3001的工作电源及驱动电源输入端， 其考虑有足够的驱动电压去驱动N沟道功率MOSFET管， 推荐电源Vcc 工作电压典型值为12V-15V。Vcc端需外接一个旁路电容到地。 8.2 控制输入(IN) EG3001主要功能有逻辑信号输入处理电路、大电流输出驱动电路。逻辑信号输入端高电平阀值为2.5V 以上，低电平阀值为 1.0V 以下，要求逻辑信号的输出电流小，MCU 的输出逻辑信号直接连接到 EG3001 的 输入通道上。 输入信号和输出信号逻辑真值表： 输入 输出 输入、输出逻辑 SD 控制端（引脚 3） IN（引脚 2） OUT（引脚 6,7 短路） 0 0 0 0 1 1
1 X 0
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8.3 SD 驱动输出关断控制端
EG3001的SD脚驱动输出关断控制逻辑如图8-3 所示，当SD引脚的电平为“0”时，OUT端输出同相 于输入信号 IN 端；当 SD 引脚的电平为“1”时，OUT 端输出低电平关断 MOSFET，关断后如果 IN 输入信号 仍处于持续高电平和SD 输入信号跳入到低电平如图 8-3 的 SD 输入的第二个脉冲逻辑，此时OUT 端输出仍 处于关闭状态，只有当IN 输入信号重新由低到高时，SD 端关断控制再执行逻辑控制。应用时 SD 端能实现 逐周关断控制，可用于功率MOSFET管短路或过流保护处理电路，短路关断具体应用电路可参考图6-1 典型 应用图中的SD脚外接电路部分。 IN SD OUT 图8-3. SD 端驱动输出关断逻辑图 8.4 驱动输出（OUTD,OUTS） EG3001输出端具有独立的拉电流OUTD和灌电流OUTS引脚， 可用来独立调节上升沿时间和下降沿时间， 方法是在OUTD引脚和OUTS引脚上外接电阻到MOSFET管门极输入端，引脚7（OUTD）拉电流输出能提供1A 的峰值电流输出能力，引脚6（OUTS）灌电流输入能吸入1.2A 的峰值电流能力。
屹晶微电子有限公司 EG3001 芯片用户手册 V1.0 单通道MOSFET 管驱动芯片 2011 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 9. 封装尺寸