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EG1121 芯片用户手册 多模式准谐振降压恒压恒流原边控制器 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 REV 1.0
屹晶微电子有限公司 EG1121 芯片数据手册V1.0 多模式准谐振降压恒流原边控制器 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 版本变更记录 版本号 日期 描述 V1.0 2017 年04 月20 日 EG1121 数据手册初稿
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屹晶微电子有限公司 EG1121 芯片数据手册V1.0 多模式准谐振降压恒流原边控制器 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com EG1121 芯片数据手册 V1.0 1. 特性 支持反激和降压拓扑 反激原边控制 （SEL悬空） 准谐振降压恒流控制 （SEL=GND） 多模式原边控制方式 工作无异音 优化动态响应 待机功耗<70mW ±4%恒流、恒压精度 集成线电压和负载电压的恒流补偿 集成完善的保护功能： 短路保护（SLP） 过温保护（OTP） 逐周期限流保护（OCP） 前沿消隐（LEB） 管脚悬空保护 2. 描述 EG1121 是一款高性能的原边控制器，其高精度的恒压恒流控制可用于充电器产品中。当把SEL 接地时， 这款芯片也可以用作LED照明中的准谐振恒流拓扑应用。 在恒压模式下，EG1121采用多模式工作方式，其使用调幅调频相结合来提高系统的效率和可靠性。 在恒流模式下，芯片采用调频控制方式，同时集成了线电压和负载电压的恒流补偿。 本芯片既可以工作无异音，又有优异的动态响应。利用集成的线损补偿功能，可获得高性能的恒压输出 表现。 EG1121有多种保护功能：VDD欠压保护（UVLO）、VDD过压保护（OVP） 、逐周期限流保护（OCP） 、短路保 护（SLP）、Gate箝位和VDD箝位等。
屹晶微电子有限公司 EG1121 芯片数据手册V1.0 多模式准谐振降压恒流原边控制器 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 3. 应用领域 手机充电器 电源适配器 LED 照明驱动 4. 引脚 4.1 引脚定义 EG1121 图4-1. EG1121 管脚定义 4.2 引脚描述 引脚序号 引脚名称 描述
1 GND 芯片地
2 GATE 外部功率MOSFET 栅极驱动
3 CS 电流检测端
4 FB 根据辅助绕组的反激电压，CC 模式的输出电流和CV 模式的输出电
压的系统反馈引脚
5 SEL 选择降压或反激式拓扑。PSR 控制反激式 （SEL 悬空） ；谐振降压
恒流控制 （SEL=GND）
6 VDD 芯片电源，就近接旁路电容
屹晶微电子有限公司 EG1121 芯片数据手册V1.0 多模式准谐振降压恒流原边控制器 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 5. 结构框图 QR-Buck PSR-CCM PSR-CVM 定时器 OR 多路复 用器 S R Q 栅极驱 动 PWM GATE SEL Isel 错误 管理 SLP OTP VDD OVP 热关断 OR CDC FB 采样 CV 信号 Vea Vea PWM 0.7V FB_sample comp 短路保 护 电流检测 Tdem Tdem 0.7V comp CS LEB 原边控制 Ton FB_sample 30V 16.3V/9V CS 调节器 34.5V VDD OVP POR 电压电流基准 图5-1. EG1121 内部电路图
屹晶微电子有限公司 EG1121 芯片数据手册V1.0 多模式准谐振降压恒流原边控制器 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 6. 典型应用电路 图6-1. EG1121 充电器运用 图6-2. EG1121 LED 照明应用
屹晶微电子有限公司 EG1121 芯片数据手册V1.0 多模式准谐振降压恒流原边控制器 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 7. 电气特性 7.1 极限参数 参数名称 数值 单位 直流电源电压 34.5 V 直流钳位电流 10 mA GATE引脚 20 V CS,SEL电压范围 -0.3~7 V FB电压范围 -0.7~7 V SOT-26封装热阻 250 ℃/W 最大结温度 150 ℃ 工作温度 -40~85 ℃ 贮藏温度 -65~150 ℃ 焊接温度 260 ℃ ESD 保护，HBM 3 kV ESD 保护，MM 250 V 注：超出所列的极限参数可能导致芯片内部永久性损坏，在极限的条件长时间运行会影响芯片的可靠性。 7.2 典型参数 无另外说明，在 TA=25℃ 参数名称 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 电源电压部分 VDD 脚启动电流 Ivdd_st 2 20 uA 工作电流 Vdd_op V(FB)=3V,GATE=0.5nf VDD=20V 1 1.5 mA 待机电流 Ivdd_standby 0.5 1 mA 退出VDD 欠压锁定 电压 Vdd_on 15 16.3 17.5 V 进入VDD 欠压锁定 电压 Vdd_off 8 9 10 V VDD OVP 阈值 Vdd_ovp 28 30 32 V VDD 钳位电压 Vdd_clamp I（VDD）=7mA 32.5 34.5 36.5 V
屹晶微电子有限公司 EG1121 芯片数据手册V1.0 多模式准谐振降压恒流原边控制器 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 参数名称 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 控制功能部分 内部误差放大器参 考输入 Vfb_ref 1.97 2.0 2.03 V 短路保护门限 Vfb_slp 0.7 V 短路保护去抖动时 间 Tfb_short 10 ms 去磁比较器阈值 Vfb_dem 25 mV 最短关闭时间 Toff_min 2 us 最长关闭时间 Toff_max 5 ms 最大集成线压降补 偿电流 Icable_max 63 uA 电流检测输入部分 CS 前沿消隐时间 Tleb 500 ns 限流阈值 Vcs(max) 490 500 510 mV 过流检测与控制延 时 Td_ocp GATE=0.5nF 100 ns 栅极驱动部分 GATE 输入前沿消隐 时间 Vg_clamp VDD=24V 16 V 输出上升沿时间 T_R GATE=0.5nF 700 ns 输出下降沿时间 T_F GATE=0.5nF 40 ns 反激或降压选择部分 SEL 管脚空载电压 Vsel(空载) 5.7 V SEL 管脚内部拉电流 Isel 35 uA 热关断 Tsd 165 ℃ 热还原 Trc 135 ℃
屹晶微电子有限公司 EG1121 芯片数据手册V1.0 多模式准谐振降压恒流原边控制器 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 7.3 特性曲线 图 7-1. 退出VDD 欠压锁定电压VS 温度 图7-2. 进入VDD 欠压锁定电压VS 温度 图 7-3. 内部误差放大器参考输入VS 温度 图7-4. 限流阈值VS 温度 图 7-5. 最长关闭时间VS 温度 图7-6. 待机电流VS 温度
屹晶微电子有限公司 EG1121 芯片数据手册V1.0 多模式准谐振降压恒流原边控制器 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 8. 封装尺寸