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EG1120 芯片用户手册 高性能、低成本离线式PWM控制开关 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 REV 1.0
屹晶微电子有限公司 EG1120 芯片数据手册V1.0 高性能、低成本离线式PWM 控制开关 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 版本变更记录 版本号 日期 描述 V1.0 2017 年04 月20 日 EG1120 数据手册初稿
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屹晶微电子有限公司 EG1120 芯片数据手册V1.0 高性能、低成本离线式PWM 控制开关 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com EG1120 芯片数据手册 V1.0 1. 特性 默认高精度5V输出 集成 500V高压MOSFET 高压启动电路 超低系统成本 支持降压和升降压电路 开关式峰值电流模式控制 待机功率小于50mW 集成 31KHz带抖频功能振荡器 内置软启动 超低 VDD工作电流 内置保护保护功能： 过载保护（OLP） 过热保护(OTP) 逐周期电流限制(OCP) 前沿消隐(LEB) VDD欠压保护 封装 SOT23-3L 2. 描述 EG1120是一款非隔离型、高集成度且低成本的PWM功率开关，适用于降压型和升降压型电路。 EG1120采用高压单晶圆工艺， 在同一片晶圆上集成有500V高压MOSFET和采用开关式峰值电流模式控制 的控制器。在全电压输入的范围内可以保证高精度的5V 默认输出。在芯片内部，PWM 频率固定为 31kHz 且 带有抖频功能。同时，芯片设计有轻重载模式，可轻松获得低于50mW的待机功耗。 EG1120内置有完备的保护功能： VDD欠压保护、逐周期电流限制、过热保护、过载保护和短路保护等。 3. 应用领域 小家电 线性稳压器
屹晶微电子有限公司 EG1120 芯片数据手册V1.0 高性能、低成本离线式PWM 控制开关 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 4. 引脚 4.1 引脚定义 EG1120 1 2 图4-1. EG1120 管脚定义 4.2 引脚描述 引脚序号 引脚名称 I/O 描述
1 Drain P 功率MOSFET漏极
2 VDD P 芯片的电源引脚
3 CS P 集成电路的接地。此引脚也用于峰值电流控制
屹晶微电子有限公司 EG1120 芯片数据手册V1.0 高性能、低成本离线式PWM 控制开关 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 5. 结构框图 -Vref 128mS OLP AND 31KHz振 荡器 25%占空 比 S R Q 栅极驱 动 PWM 4.87V VDD - POR 热关断 OTP OLP 故障管理 OR LEB Comp 0.48 差分采 样 Ton VDD Drain CS 图5-1. EG1120 结构框图
屹晶微电子有限公司 EG1120 芯片数据手册V1.0 高性能、低成本离线式PWM 控制开关 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 6. 典型应用电路 图 6-1.降压型电路 图6-2.升降压型电路 7. 电气特性 7.1 极限参数 参数名称 数值 单位 直流电源电压 7 V 漏极 -0.3~500 V 封装的热阻（SOT23-3l） 260 ℃/W 最高结温 160 ℃ 存储温度 -65~150 ℃ 焊接温度（10s） 260 ℃ ESD(HBM) 3 kV ESD(MM) 250 V 工作温度 -40~125 ℃ 注：超出所列的极限参数可能导致芯片内部永久性损坏，在极限的条件长时间运行会影响芯片的可靠性。
屹晶微电子有限公司 EG1120 芯片数据手册V1.0 高性能、低成本离线式PWM 控制开关 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 7.2 典型参数 无另外说明，在TA=25℃ 参数名称 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 电源电压部分（VDD 引脚） 待机电流 IVDD_standby VDD=6V 150 300 uA VDD 工作电压 VDD_Op 5.34 5.46 5.58 V VDD 欠压锁定进入 VDD_OFF 4.38 V VDD 欠压锁定退出 VDD_ON 4.87 V 系统的输出调节 Vout_Reg 4.95 5 5.075 V 振荡器部分 振荡器频率 FOSC VDD=5.46V 28.2 31 34.5 KHz 频率抖动范围 F(shuffle) / FOSC -5 5 % 频率偏移周期 T(shuffle) 32 ms 最大PWM 开关占空 比 DMAX 24.9 25 25.1 % 过载反跳时间 TD_OLP VDD=5.46V 128 ms 电流检测输入部分（CS 引脚） 输入前沿消隐时间 TLEB 300 ns 限流阈值 Vcs(max) 440 480 520 mV 过电流检测与控制 延时 TD_OCP 100 过温保护 热关机触发点 TSD 155 °C 功率MOSFET 部分 功率 MOSFET 漏， 源 极击穿电压 VBR 500 V 漏， 源极静态电流源 Rdson I(Drain)=50mA 13 ohm 高压VDD 充电电流 源 IDrain_to_VDD Drain=500V, VDD=0V 1 3 mA 漏电流 IDrain_leakage HV=500V, VDD=6V 50 uA
屹晶微电子有限公司 EG1120 芯片数据手册V1.0 高性能、低成本离线式PWM 控制开关 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 7.3 典型特征 图 7-1. Vout_Reg vs 温度 图7-2. VDD_OFF vs 温度 图 7-3. Vcs(max) vs 温度 图7-4 FOSC vs 温度 图 7-5. IVDD_standby vs 温度
屹晶微电子有限公司 EG1120 芯片数据手册V1.0 高性能、低成本离线式PWM 控制开关 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 8. 封装尺寸