DF75R12W1H4F-B11 INFINEON | Alldatasheet
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TechnischeInformation/TechnicalInformation DF75R12W1H4F_B11 IGBT-Module IGBT-modules preparedby:CM approvedby:MB dateofpublication:2013-11-25 revision:3.0 ULapproved(E83335) J VCES = 1200V IC nom = 75A / ICRM = 150A TypischeAnwendungen TypicalApplications
- •SolarAnwendungen SolarApplications ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures
- •NiedrigeSchaltverluste LowSwitchingLosses MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures
- •Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand Al2O3SubstratewithLowThermalResistance
- •IntegrierterNTCTemperaturSensor IntegratedNTCtemperaturesensor
- •KompaktesDesign Compactdesign
- •PressFITVerbindungstechnik PressFITContactTechnology ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber 1-5 ModuleMaterialNumber 6-11 ProductionOrderNumber 12-19 Datecode(ProductionYear) 20-21 Datecode(ProductionWeek) 22-23
TechnischeInformation/TechnicalInformation DF75R12W1H4F_B11 IGBT-Module IGBT-modules preparedby:CM approvedby:MB dateofpublication:2013-11-25 revision:3.0 Bypass-Diode/Bypass-Diode HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip MaximumRMSforwardcurrentperchip TC = 80°C IFRMSM 50 A GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput TC = 80°C IRMSM 60 A StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM 600 480 A A Grenzlastintegral I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 1800
1150 A²s
A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 50 A VF 0,80 V Sperrstrom Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1200 V IR 0,10 mA Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 0,40 0,45 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink proDiode/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,40 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 125 °C VerpolschutzDiodeA/Inverse-polarityprotectiondiodeA HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip MaximumRMSforwardcurrentperchip TC = 80°C IFRMSM 50 A GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput TC = 80°C IRMSM 60 A StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM 360 290 A A Grenzlastintegral I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 650
420 A²s
A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 30 A VF 0,95 V Sperrstrom Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1200 V IR 0,10 mA Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 0,80 0,90 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink proDiode/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,80 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 125 °C
TechnischeInformation/TechnicalInformation DF75R12W1H4F_B11 IGBT-Module IGBT-modules preparedby:CM approvedby:MB dateofpublication:2013-11-25 revision:3.0 VerpolschutzDiodeB/Inverse-polarityprotectiondiodeB HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip MaximumRMSforwardcurrentperchip TC = 80°C IFRMSM 30 A GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput TC = 80°C IRMSM 60 A StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM 290 245 A A Grenzlastintegral I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 420
300 A²s
A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 20 A VF 1,00 V Sperrstrom Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1200 V IR 0,10 mA Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 1,20 1,35 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink proDiode/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 1,15 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 125 °C
TechnischeInformation/TechnicalInformation DF75R12W1H4F_B11 IGBT-Module IGBT-modules preparedby:CM approvedby:MB dateofpublication:2013-11-25 revision:3.0 IGBT-Chopper/IGBT-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom IC 50 A A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 50 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 230 W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 25 A, VGE = 15 V IC = 25 A, VGE = 15 V VCE sat 2,10 2,45 2,65 V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 1,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 4,5 5,5 6,5 V Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 11,0 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,00 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,064 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 10 Ω td on 0,038 0,038 0,038 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 10 Ω tr 0,014 0,018 0,02 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 10 Ω td off 0,30 0,34 0,36 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 10 Ω tf 0,06 0,12 0,14 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 25 A, VCE = 600 V, LS = 40 nH VGE = ±15 V, di/dt = 1150 A/µs (Tvj = 150°C) RGon = 10 Ω Eon 0,52 0,65 0,67 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 25 A, VCE = 600 V, LS = 40 nH VGE = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs (Tvj = 150°C) RGoff = 10 Ω Eoff 1,15 1,70 1,90 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 150 A Tvj = 125°C tP ≤ 10 µs, Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 0,60 0,65 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink proIGBT/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,50 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
TechnischeInformation/TechnicalInformation DF75R12W1H4F_B11 IGBT-Module IGBT-modules preparedby:CM approvedby:MB dateofpublication:2013-11-25 revision:3.0 Diode-Chopper/Diode-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent IF 15 A PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 30 A Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C I²t 20,5 A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 15 A, VGE = 0 V IF = 15 A, VGE = 0 V VF 1,60 2,20 1,95 V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 15 A, - diF/dt = 1150 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V IRM 5,00 5,00 A A Tvj = 25°C Tvj = 125°C Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 15 A, - diF/dt = 1150 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V Qr 0,15 0,25 µC µC Tvj = 25°C Tvj = 125°C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 15 A, - diF/dt = 1150 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V Erec 0,03 0,03 mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 1,05 1,20 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink proDiode/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,80 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TC = 25°C R25 5,00 kΩ AbweichungvonR100 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω ΔR/R -5 5 % Verlustleistung Powerdissipation TC = 25°C P25 20,0 mW B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
TechnischeInformation/TechnicalInformation DF75R12W1H4F_B11 IGBT-Module IGBT-modules preparedby:CM approvedby:MB dateofpublication:2013-11-25 revision:3.0 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3 Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,5 6,3 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0 5,0 mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI > 200 min. typ. max. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule LsCE 30 nH Modulleitungswiderstand,Anschlüsse- Chip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch RCC'+EE' 5,00 mΩ HöchstzulässigeSperrschichttemperatur Maximumjunctiontemperature Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper Gleichrichter/rectifier Tvj max 175 150 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper Gleichrichter/rectifier Tvj op -40 -40 150 125 Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 125 °C Gewicht Weight G 24 g Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin. Designed for storage conditions according to Infineon TR14 (Application Note “Storage of Products Supplied by Infineon Technologies) Designed for climate conditions without condensation or precipitation
TechnischeInformation/TechnicalInformation DF75R12W1H4F_B11 IGBT-Module IGBT-modules preparedby:CM approvedby:MB dateofpublication:2013-11-25 revision:3.0 DurchlasskennliniederBypass-Diode(typisch) forwardcharacteristicofBypass-Diode(typical) IF=f(VF) VF [V] IF [A] 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 100 Tvj = 25°C Tvj = 150°C DurchlasskennliniederVerpolschutzDiodeA(typisch) forwardcharacteristicofInverse-polarityprotectiondiodeA (typical) IF=f(VF) VF [V] IF [A] 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 Tvj = 25°C Tvj = 150°C DurchlasskennliniederVerpolschutzDiodeB(typisch) forwardcharacteristicofInverse-polarityprotectiondiodeB (typical) IF=f(VF) VF [V] IF [A] 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 Tvj = 25°C Tvj = 150°C AusgangskennlinieIGBT-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT-Chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V VCE [V] IC [A] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation DF75R12W1H4F_B11 IGBT-Module IGBT-modules preparedby:CM approvedby:MB dateofpublication:2013-11-25 revision:3.0 AusgangskennlinienfeldIGBT-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT-Chopper(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C VCE [V] IC [A] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V SchaltverlusteIGBT-Chopper(typisch) switchinglossesIGBT-Chopper(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=10Ω ,RGoff=10Ω ,VCE=600V IC [V] E [mJ] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C SchaltverlusteIGBT-Chopper(typisch) switchinglossesIGBT-Chopper(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=25A,VCE=600V RG [Ω ] E [mJ] 100 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C TransienterWärmewiderstandIGBT-Chopper transientthermalimpedanceIGBT-Chopper ZthJH=f(t) t [s] ZthJH [K/W] 0,001 0,01 0,1 0,01 0,1 ZthJH : IGBT ri[K/W]: τi[s]: 0,048 0,0005 0,109 0,005 0,419 0,05 0,524 0,2
TechnischeInformation/TechnicalInformation DF75R12W1H4F_B11 IGBT-Module IGBT-modules preparedby:CM approvedby:MB dateofpublication:2013-11-25 revision:3.0 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT-Chopper(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT-Chopper(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=10Ω ,Tvj=150°C t [s] IC [A] 200 400 600 800 1000 1200 1400 IC, Modul IC, Chip DurchlasskennliniederDiode-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofDiode-Chopper(typical) IF=f(VF) VF [V] IF [A] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 Tvj = 25°C Tvj = 125°C SchaltverlusteDiode-Chopper(typisch) switchinglossesDiode-Chopper(typical) Erec=f(IF) RGon=10Ω ,VCE=600V IF [A] E [mJ] 0,00 0,02 0,04 0,06 Erec, Tvj = 125°C SchaltverlusteDiode-Chopper(typisch) switchinglossesDiode-Chopper(typical) Erec=f(RG) IF=15A,VCE=600V RG [Ω ] E [mJ] 100 0,00 0,02 0,04 0,06 Erec, Tvj = 125°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation DF75R12W1H4F_B11 IGBT-Module IGBT-modules preparedby:CM approvedby:MB dateofpublication:2013-11-25 revision:3.0 TransienterWärmewiderstandDiode-Chopper transientthermalimpedanceDiode-Chopper ZthJH=f(t) t [s] ZthJH [K/W] 0,001 0,01 0,1 0,1 ZthJH : Diode ri[K/W]: τi[s]: 0,23 0,0005 0,397 0,005 0,721 0,05 0,503 0,2 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) TC [°C] R[Ω ] 100 120 140 160 100 1000 10000 100000 Rtyp
TechnischeInformation/TechnicalInformation DF75R12W1H4F_B11 IGBT-Module IGBT-modules preparedby:CM approvedby:MB dateofpublication:2013-11-25 revision:3.0 Schaltplan/circuit_diagram_headline J Gehäuseabmessungen/packageoutlines Infineon
TechnischeInformation/TechnicalInformation DF75R12W1H4F_B11 IGBT-Module IGBT-modules preparedby:CM approvedby:MB dateofpublication:2013-11-25 revision:3.0 Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved.