DD171N..K..-A

DD171N_V01 INFINEON | Alldatasheet

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N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module Datenblatt / Data sheet DD171N IFBIP D AEC / 2016-01-28, A.Glunz A 13/11 1/9 Seite/page Kenndaten Elektrische Eigenschaften Thermische Eigenschaften Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values ND171N Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages Tvj = -40°C... Tvj max VRRM 1200 1600 1400 1800 V V Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Tvj = +25°C... Tvj max VRSM 1300 1700 1500 1900 V V Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current IFRMSM 270 A Dauergrenzstrom average on-state current TC = 100°C IFAVM 171 A Stoßstrom-Grenzwert surge current Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms IFSM 6.600 5.600 A A Grenzlastintegral I²t-value Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms I²t 218.000 157.000 A²s A²s Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage Tvj = Tvj max , iF = 500 A vF max. 1,26 V Schleusenspannung threshold voltage Tvj = Tvj max V(TO) 0,75 V Ersatzwiderstand slope resistance Tvj = Tvj max rT 0,8 mΩ Sperrstrom reverse current Tvj = Tvj max , vR = VRRM iR max. 20 mA Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec RMS, f = 50 Hz, t = 1 min VISOL 3,0 2,5 kV kV Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case pro Modul / per Module, Θ = 180° sin pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin pro Modul / per Module, DC pro Zweig / per arm, DC RthJC max. max. max. max. 0,130 0,260 0,126 0,252 °C/W °C/W °C/W °C/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per Module pro Zweig / per arm RthCH max. max. 0,03 0,06 °C/W °C/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj max 150 °C Betriebstemperatur operating temperature Tc op - 40...+150 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg - 40...+150 °C prepared by: A.Glunz date of publication: 2016-01-28 approved by: M.Leifeld revision: 3.1

N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module Datenblatt / Data sheet DD171N IFBIP D AEC / 2016-01-28, A.Glunz A 13/11 2/9 Seite/page Mechanische Eigenschaften Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex Seite 3 page 3 Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Innere Isolation internal insulation AlN Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse mounting torque Toleranz ±15% M1 6 Nm Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse terminal connection torque Toleranz ±10% M2 6 Nm Gewicht weight G typ. 310 g Kriechstrecke creepage distance 15 mm Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s² file-No. E 83336

N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module Datenblatt / Data sheet DD171N IFBIP D AEC / 2016-01-28, A.Glunz A 13/11 3/9 Seite/page Maßbild 1 2 3 DD 1 2 3 DD-K 1 2 3 DD-A 2 3 ND

N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module Datenblatt / Data sheet DD171N IFBIP D AEC / 2016-01-28, A.Glunz A 13/11 4/9 Seite/page R,T – Werte R,Tau-Glieder des Elements Transienter Wärmewiderstand Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC Pos. n 1 2 3 4 5 6 7 Rthn [°C/W] 0,0094 0,0224 0,0586 0,162 τn [s] 0,0014 0,0253 0,267 1,68 Analytische Funktion / Analytical function:   maxn n=1 thnthJC n – t - e1RZ Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t) Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ

N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module Datenblatt / Data sheet DD171N IFBIP D AEC / 2016-01-28, A.Glunz A 13/11 5/9 Seite/page R,Tau_Glieder des Kühlers Natürliche Kühlung / Natural cooling

3 Module pro Kühler / 3 modules per heatsink

Kühler / Heatsink type: KM17 (60W) Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA Pos. n 1 2 3 4 5 6 7 Rthn [°C/W] 0,0505 0,1235 1,616 τn [s] 2,97 21,4 1180 Verstärkte Kühlung / Forced cooling Kühler / Heatsink type: KM17 (Papst 4650) Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA Pos. n 1 2 3 4 5 6 7 Rthn [°C/W] 0,026 0,119 0,515 τn [s] 2,41 13,6 354 Analytische Funktion / Analytical function:   maxn n=1 thnthCA n – t - e1RZ

N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module Datenblatt / Data sheet DD171N IFBIP D AEC / 2016-01-28, A.Glunz A 13/11 6/9 Seite/page Diagramme Diagramme Durchgangsverluste Gehäusetemperatur Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PFAV = f(IFAV) Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAVM) Strombelastung je Zweig / Current load per arm Berechungsgrundlage PTAV Calculation base PTAV Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ

N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module Datenblatt / Data sheet DD171N IFBIP D AEC / 2016-01-28, A.Glunz A 13/11 7/9 Seite/page Maximaler Strom bei B2 und B6 0 50 100 150 200 250 300 350 400 ID [A] L-Last R-Last Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot Parameter: Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 ID [A] Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot Parameter: Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA

N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module Datenblatt / Data sheet DD171N IFBIP D AEC / 2016-01-28, A.Glunz A 13/11 8/9 Seite/page Sperrverzögerungsladung Grenzstrom Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt) Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iFM Grenzstrom je Zweig / Maximum overload on-state current per arm IF(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM a: Leerlauf / No-load conditions b: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm IFAV(vor) = IFAVM Ta = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (Papst 4650) Ta = 45°C, natürliche Luftkühlung / Natural air cooling Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (60W)

N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module Datenblatt / Data sheet DD171N IFBIP D AEC / 2016-01-28, A.Glunz A 13/11 9/9 Seite/page Überstrom Überstrom je Zweig / Overload on-state current IF(OV) B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular Kühlkörper / Heatsink type KM17 (60W) Natürliche Kühlung bei / Natural cooling at TA = 45°C Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm IFAV(vor) Überstrom je Zweig / Overload on-state current IF(OV) B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit 120° rectangular Kühlkörper / Heatsink type KM17 (Papst 4650) Verstärkte Kühlung bei / Forced cooling at TA = 35°C Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm IFAV(vor)