DD1200S17H4_B2_16 INFINEON | Alldatasheet

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TechnischeInformation/TechnicalInformation DD1200S17H4_B2 IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:WB approvedby:IB dateofpublication:2016-01-21 revision:V3.1 ULapproved(E83335) IHM-BModul IHM-Bmodule VCES = 1700V IC nom = 1200A / ICRM = 2400A TypischeAnwendungen TypicalApplications

  • •3-Level-Applikationen 3-level-applications
  • •AktiverEingang(Rückspeisung) Activefrontend(energyrecovery)
  • •Hochleistungsumrichter Highpowerconverters
  • •Multi-LevelUmrichter Multilevelinverter
  • •Traktionsumrichter Tractiondrives
  • •Windgeneratoren Windturbines ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures
  • •ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop ExtendedoperatingtemperatureTvjop
  • •HoheStromdichte Highcurrentdensity
  • •Tvjop=150°C Tvjop=150°C MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures
  • •4kVAC1minIsolationsfestigkeit 4kVAC1mininsulation
  • •AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische Lastwechselfestigkeit AlSiC base plate for increased thermal cycling capability
  • •GehäusemitCTI>400 PackagewithCTI>400
  • •GroßeLuft-undKriechstrecken Highcreepageandclearancedistances
  • •HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit Highpowerandthermalcyclingcapability
  • •HoheLeistungsdichte Highpowerdensity
  • •IHMBGehäuse IHMBhousing ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber 1-5 ModuleMaterialNumber 6-11 ProductionOrderNumber 12-19 Datecode(ProductionYear) 20-21 Datecode(ProductionWeek) 22-23

TechnischeInformation/TechnicalInformation DD1200S17H4_B2 IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:WB approvedby:IB dateofpublication:2016-01-21 revision:V3.1 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = -40°C Tvj = 25°C Tvj = 150°C VRRM 1570 1700 1700 V Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent IF 1200 A PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 2400 A Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 140 130 kA²s kA²s Spitzenverlustleistung Maximumpowerdissipation Tvj = 125°C PRQM 1200 kW Mindesteinschaltdauer Minimumturn-ontime ton min 10,0 µs CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 1200 A, VGE = 0 V IF = 1200 A, VGE = 0 V IF = 1200 A, VGE = 0 V VF 1,80 1,90 1,95 2,10 2,10 V V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 1200 A, - diF/dt = 7900 A/µs (Tvj=150°C) VR = 900 V VGE = -15 V IRM 1250 1350 1400 A A A Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 1200 A, - diF/dt = 7900 A/µs (Tvj=150°C) VR = 900 V VGE = -15 V Qr 280 460 510 µC µC µC Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 1200 A, - diF/dt = 7900 A/µs (Tvj=150°C) VR = 900 V VGE = -15 V Erec 180 310 350 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 31,9 K/kW Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink proDiode/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 32,5 K/kW TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C

TechnischeInformation/TechnicalInformation DD1200S17H4_B2 IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:WB approvedby:IB dateofpublication:2016-01-21 revision:V3.1 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 4,0 kV MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate AlSiC Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 32,2 32,2 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 19,1 19,1 mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI > 400 min. typ. max. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule LsCE 18 nH Modulleitungswiderstand,Anschlüsse- Chip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch RAA'+CC' 0,24 mΩ Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 150 °C Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 4,25 5,75 Nm Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 1,8 8,0 2,1 Nm Nm Gewicht Weight G 800 g Dynamische Daten gehen in Verbindung mit FD1200R17HP4-K_B2 Modul Dynamic data valid in conjunction with FD1200R17HP4-K_B2 module

TechnischeInformation/TechnicalInformation DD1200S17H4_B2 IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:WB approvedby:IB dateofpublication:2016-01-21 revision:V3.1 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) VF [V] IF [A] 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 2200 2400 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=Ω ,VCE=900V IF [A] E [mJ] 0 400 800 1200 1600 2000 2400 100 200 300 400 500 600 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=1200A,VCE=900V RG [Ω ] E [mJ] 100 150 200 250 300 350 400 450 500 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) t [s] ZthJC [K/kW] 0,001 0,01 0,1 1 10 100 ZthJC : Diode ri[K/kW]: τi[s]: 7,06 0,00141 15,64 0,0309 6,33 0,233 2,87 5,4

TechnischeInformation/TechnicalInformation DD1200S17H4_B2 IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:WB approvedby:IB dateofpublication:2016-01-21 revision:V3.1 SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA) safeoperationareaDiode,Inverter(SOA) IR=f(VR) Tvj=150°C VR [V] IR [A] 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 400 800 1200 1600 2000 2400 2800 IR, Modul

TechnischeInformation/TechnicalInformation DD1200S17H4_B2 IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:WB approvedby:IB dateofpublication:2016-01-21 revision:V3.1 Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines

TechnischeInformation/TechnicalInformation DD1200S17H4_B2 IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:WB approvedby:IB dateofpublication:2016-01-21 revision:V3.1 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©InfineonTechnologiesAG2015. AllRightsReserved. Nutzungsbedingungen WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung. SofernInfineonTechnologiesnichtausdrücklichineinemschriftlichen,vonvertretungsberechtigtenInfineonMitarbeiternunterzeichneten Dokumentzugestimmthat,dürfenProduktevonInfineonTechnologiesnichtinAnwendungeneingesetztwerden,inwelchen vernünftigerweiseerwartetwerdenkann,dasseinFehlerdesProduktesoderdieFolgenderNutzungdesProdukteszu Personenverletzungenführen. Terms&Conditionsofusage IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics (“Beschaffenheitsgarantie”).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,InfineonTechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. Inaddition,anyinformationgiveninthisdocumentissubjecttocustomer’scompliancewithitsobligationsstatedinthisdocumentandany applicablelegalrequirements,normsandstandardsconcerningcustomer’sproductsandanyuseoftheproductofInfineonTechnologies incustomer’sapplications. Thedatacontainedinthisdocumentisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Itistheresponsibilityofcustomer’stechnical departmentstoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductinformationgivenin thisdocumentwithrespecttosuchapplication. Forfurtherinformationontheproduct,technology,deliverytermsandconditionsandpricespleasecontactyournearestInfineon Technologiesoffice(www.infineon.com). WARNINGS Duetotechnicalrequirementsproductsmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactyour nearestInfineonTechnologiesoffice. ExceptasotherwiseexplicitlyapprovedbyInfineonTechnologiesinawrittendocumentsignedbyauthorizedrepresentativesofInfineon Technologies,InfineonTechnologies’productsmaynotbeusedinanyapplicationswhereafailureoftheproductoranyconsequencesof theusethereofcan reasonablybeexpectedtoresultinpersonalinjury.