CS410M1A JSMC | Alldatasheet

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R 版本：202108A 1/9 反向阻断三极晶闸管 Thyristors(SCR) CS410M1A 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IT(AV) 4A VDRM/VRRM 600V IGT 1-15mA 封装 Package 序号 Pin 引线名称

Description

1 阴极 K 2 阳极 A 3 门极 G 用途 ⚫ 半交流开关 ⚫ 相位控制

APPLICATIONS

⚫ Half AC switching ⚫ Phase control 产品特性 ⚫ 玻璃钝化芯片，高可靠性和一致性 ⚫ 低通态电流和高浪涌电流能力 ⚫ 环保 RoHS 产品

FEATURES

⚫ Glass-passivated mesa chip for reliability and uniform ⚫ Low on-state voltage and High ITSM ⚫ RoHS products TO-220 TO-220C DPAK TO-220MF-K1 IPAK TO-263

版本：202108A 2/9 订 货 型 号 Order codes 印 记 Marking 封 装 Package 有卤-条管 无卤-条管 有卤-袋装 无卤-袋装 BT151 TO-220 Halogen-Tube halogen-Free-Tube Halogen- Bag Halogen-Free-Bag CS410M1A-CA-B CS410M1A-CA-BR CS410M1A-CA-C CS410M1A-CA-CR 有卤-条管 无卤-条管 有卤-袋装 无卤-袋装 TO-220C Halogen-Tube halogen-Free-Tube Halogen- Bag Halogen-Free-Bag CS410M1A-C-B CS410M1A-C-BR CS410M1A-C-C CS410M1A-C-CR 有卤-条管 无卤-条管 有卤-袋装 无卤-袋装 TO-220MF-K1 Halogen-Tube halogen-Free-Tube Halogen- Bag Halogen-Free-Bag CS410M1A-F1-B CS410M1A-F1-BR CS410M1A-F1-C CS410M1A-F1-CR 有卤-条管 无卤-条管 有卤-袋装 无卤-袋装 TO-263 Halogen-Tube halogen-Free-Tube Halogen- Bag Halogen-Free-Bag CS410M1A-S-B CS410M1A-S-BR CS410M1A-S-C CS410M1A-S-CR 有卤-编带 无卤-编带 有卤-袋装 无卤-袋装 DPAK Halogen-Reel Halogen-Free-Reel Halogen- Bag Halogen-Free-Bag CS410M1A-R-A CS410M1A-R-AR CS410M1A-R-C CS410M1A-R-CR 有卤-条管 无卤-条管 有卤-袋装 无卤-袋装 IPAK Halogen-Tube halogen-Free-Tube Halogen- Bag Halogen-Free-Bag CS410M1A-V-B CS410M1A-V-BR CS410M1A-V-C CS410M1A-V-CR 订货信息 ORDER MESSAGE

版本：202108A 3/9 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项 目 Parameter 符 号 Symbol 数 值 Value 单 位 Unit 断态重复峰值电压 Repetitive peak off-state voltage VDRM 600 V 反向重复峰值电压 Repetitive peak reverse voltage VRRM 600 V 通态平均电流 Average on-state current ( half sine wave) IT（AV） 4 A 通态方均根电流 On-state RMS current ( all conduction angles ) IT(RMS) 12 A 非重复浪涌峰值通态电流 Non- repetitive surge peak on-state current ( half sine wave ,t=10ms) ITSM 110 A I2t for fusing ( t=10ms) I2t 60 A2s 门极峰值电流 Peak gate current IGM 2 A 门极峰值电压 Peak gate voltage VGM 5 V 反向门极峰值电压 Peak reverses gate voltage VRGM 5 V 门极峰值功率 Peak gate power PGM 5 W 门极平均功率 Average gate power ( over any 20ms period ) PG(AV) 0.5 W 存储温度 Storage temperature Tstg -40~150 ℃ 操作结温 Operation junction temperature TJ 125 ℃

版本：202108A 4/9 静态特性 STATIC CHARACTERISTICS (TC=25℃ unless otherwise stated) 动态特性 DYNAMIC CHARACTERISTICS (TC=25℃ unless otherwise stated) 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 电绝缘特性 ELECTRICAL ISOLATION 项 目 Parameter 符号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 min 典型 typ 最大 max 单位 Unit 断态峰值重复电流 Peak Repetitive Blocking Current IDRM VDM= VDRM(MAX), Tj=125℃ - - 1.0 mA 反向峰值重复电流 Peak Repetitive Reverse Current IRRM VRM= VRRM(MAX), Tj=125℃ - - 1.0 mA 峰值通态电压 Peak on-state voltage VTM ITM=23A - 1.40 1.75 V 门极触发电流 Gate trigger current IGT VDM=12V,IT=0.1A 1 4 15 mA 门极触发电压 Gate trigger voltage VGT VDM=12V,IT=0.1A - 0.8 1.5 V 维持电流 Holding current IH VDM=12V, IGT=0.1A - - 25 mA 擎住电流 Latching current IL VDM=12V, IGT=0.1A - - 40 mA 项 目 Parameter 符号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 min 典型 typ 最大 max 单位 Unit 断态临界电压上升率 Critical rate of rise of off- state voltage dV/dt VDM=67% VDRM(MAX), Tj=125℃ 100 - - V/μs 项 目 Parameter 符 号 Symbol 值 value 单位 Unit 结到管壳的热 Thermal resistance junction to case TO-220(C)\\TO-263 Rth(j-c) 1.3 max ℃/W DPAK\\IPAK Rth(j-c) 1.8 max 结到散热片的热阻 Thermal resistance junction to heatsink TO-220MF-K1 Rth(j-hs) 4.5 max 结到环境的热阻 Thermal resistance junction to ambient ( half cycle) Rth(j-a) 60 typ 项 目 Parameter 符号 Symbol 测试条件 Tests conditions 数值 Value 单位 Unit 绝缘电压 Isolation voltage VISOL 1 minute, leads to mounting tab TO-220MF-K1 2000 V

版本：202108A 5/9 通 态 峰 值 耗 散 功 率Ptot(W) 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) 通态平均电流 IT（AV） （A） 通态电压 VTM （V） 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-220C 单位 Unit ：mm A 4.30-4.70 B 1.22-1.40 b 0.70-0.95 c 0.40-0.65 D 15.2-16.2 D2 9.00-9.40 E 9.70-10.10 e 2.39-2.69 F 1.25-1.40 L 12.60-13.60 L2 2.80-3.20 Q 2.60-3.00 Q1 2.20-2.60 P 3.50-3.80 通 态 电 流IT (A) Pt- IT（AV） IT – VTM

版本：202108A 6/9 TO-220 单位 Unit ：mm DPAK 单位 Unit ：mm A 4.40-4.80 B 1.10-1.40 b 0.70-0.95 c 0.28-0.48 c1 0.32-0.52 D 14.45-16.00 D2 8.20-9.20 E 9.60-10.40 e 2.39-2.69 F 1.20-1.35 L 13.05-14.05 L2 3.70-3.90 Q 2.40-3.00 Q1 2.20-2.90 P 3.50-4.00 A 2.16-2.41 A1 0.97-1.17 A2 0.00-0.15 b 0.63-0.93 b1 5.13-5.53 b2 0.66-0.96 c 0.40-0.60 D 5.80-6.40 E 6.30-6.90 e 2.286 BSC L 2.50-3.30 L1 1.20-1.80 L2 0.60-1.00 L3 0.85-1.30

版本：202108A 7/9 TO-220MF-K1 单位 Unit ：mm IPAK 单位 Unit ：mm

版本：202108A 8/9 TO-263 单位 Unit ：mm

版本：202108A 9/9 注意事项 1. 吉林华微电子股份有限公司的产品销售分为直销和销售代理，无论哪种方式，订货时请 与公司核实。 2. 购买时请认清公司商标，如有疑问请与公司本部联系。 3. 在电路设计时请不要超过器件的绝对最大额定值，否则会影响整机的可靠性。 4. 本说明书如有版本变更不另外告知。 NOTE 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this. specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 吉林华微电子股份有限公司 公司地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址：www.hwdz.com.cn CONTACT JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel： 86-432-64678411 Fax：86-432-64665812 Web Site：www.hwdz.com.cn