CS210N4A JSMC | Alldatasheet
Document overview
- Manufacturer or author: Provided By alldatasheet.com(free datasheet download site)
- PDF pages: 6
Technical content
R 版本：202102C 1/6 双向晶闸管 TRIACS CS210N4A 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package 序号 Pin 引线名称
Description
1 主电极 1 MT1 2 门极 G 3 主电极 2 MT2 IT(RMS) 2.0A VDRM 800V IGT 10mA 用途 APPLICATIONS 交流开关 AC switching 相位控制 Phase control 产品特性 FEATURES 玻璃钝化芯片，高可 靠性和一致性 Glass-passivated mesa chip for reliability and uniform 低通态电流和高浪 涌电流能力 Low on-state voltage and High ITSM 环保RoHS产品 RoHS products 订货信息 ORDER MESSAGES 订 货 型 号 Order codes 印 记 Marking 封 装 Package 有卤-编带 无卤-编带 Halogen-Reel Halogen-Free-Reel CS210N4A-NC-A CS210N4A-NC-AR CS210N4A SOT-223 SOT-223
R CS210N4A 版本：202102C 2/6 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (TC=25℃) 项 目 Parameter 符 号 Symbol 试 验 条 件 Condition 数 值 Value 单位 Unit 重复峰值断态电压 Repetitive peak off-state voltage VDRM ± 800 V 通态方均根电流 On-state RMS current IT(RMS) full sine wave 2.0 A 非重复浪涌峰值通态电流 Non - repetitive surge peak on-state current ITSM full sine wave ,t=20ms 20 A I2t t=10ms 2.0 A2s 通态电流临界上升率 Repetitive rate of rise of on-state current after triggering dI/dt MT1(-),MT2(+),G(+)； MT1(-),MT2(+),G(-)； MT1(+),MT2(-),G(-)； MT1(+),MT2(-),G(+)；
50 A/μs
峰值门极功率 Peak gate power PGM 1 W 平均门极功率 Average gate power PG(AV) 0.1 W 峰值门极电压 Peak gate voltage VGM 6 V 峰值门极电流 Peak gate current IGM 1 A 存储温度 Storage temperature Tstg -40~150 ℃ 操作结温 Operation junction temperature TVJ -40~125 ℃
R CS210N4A 版本：202102C 3/6 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC (TC=25℃) 热特性THERMAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测 试 条 件 Condition 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Unit 峰值重复断态电流 Peak Repetitive Blocking Current IDRM VDM=VDRM, Tj=125℃, gate open - - 0.5 mA 峰值通态电压 Peak on-state voltage VTM ITM=2.8A - - 1.6 V 门极触发电压 Gate trigger voltage VGT VDM=12V,RL=100Ω - - 1.5 V 门极触发电流 Gate trigger current IGT MT1(-),MT2(+),G(+) - - 10 mA MT1(-),MT2(+),G(-) - - 10 mA MT1(+),MT2(-),G(-) - - 10 mA MT1(+),MT2(-),G(+) - - 20 mA 维持电流 Holding current IH VDM=12V, IGT=0.1A - - 20 mA 擎住电流 Latching current IL VDM=12V, IGT=0.1A - - 30 mA 断态临界电压上升率 Rise of off- state voltage dV/dt VDM=67% VDRM(MAX), Tj=125℃, gate open 50 - - V/μs 项 目 Parameter 符 号 Symbol 条 件 Condition 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Unit 结到基座的热阻 Thermal resistance junction to tab Rth(j-t) full cycle
R CS210N4A 版本：202102C 4/6 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) Ptot- IT(RMS) IT(RMS) – Ttab 态峰值耗散功率Ptot(W) 通态方均根电流IT（RMS）(A) 通态方均根电流IT（RMS）（A） 温度 Ttab 比值 VGT(Tj)/VGT(25℃)，IGT(Tj)/IGT(25℃) 电流 IT(A) 结温 Tj(℃) 通态压降 VTM(V)
R CS210N4A 版本：202102C 5/6 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA SOT-223 单位Unit ：mm
R CS210N4A 版本：202102C 6/6 注意事项 1. 吉林华微电子股份有限公司的产品销售分为直销和销售代理，无论哪种方式，订货时请 与公司核实。 2. 购买时请认清公司商标，如有疑问请与公司本部联系。 3. 在电路设计时请不要超过器件的绝对最大额定值，否则会影响整机的可靠性。 4. 本说明书如有版本变更不另外告知。 NOTE 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this. specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 吉林华微电子股份有限公司 公司地址：吉林省吉林市深圳街99 号 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址：www.hwdz.com.cn CONTACT JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel： 86-432-64678411 Fax：86-432-64665812 Web Site：www.hwdz.com.cn