CD2635T3A JSMC | Alldatasheet
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R 版本：202004A 1/7 双向晶闸管 TRIACS CD2635T3A/CD2650T3A 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package 序号 Pin 引线名称
Description
1 主电极 1 MT1 2 主电极 2 MT2 3 门极 G TO-220S Insulated TO-220S-B IT(RMS) 26A VDRM/VRRM 1200V IGT（1,2,3） (CD2635T3A) <35mA IGT(1,2,3) (CD2650T3A) <50mA 用途 APPLICATIONS 交流开关 AC switching 相位控制 Phase control 产品特性 FEATURES 玻璃钝化芯片，高可 靠性和一致性 环保RoHS产品 三象限可控硅，触发 电流的一致性好 Glass-passivated mesa chip for reliability and uniform RoHS products Uniform gate trigger currents in three quadrants 订货信息 ORDER MESSAGES 订货型号 Order codes 印记 Marking 封装 Package 有卤-条管 无卤-条管 有卤-编带 无卤-编带 Halogen-Tube halogen-Free-Tube Halogen -Reel Halogen- Free-Reel CD2635T3A-GF-B CD2635T3A-GF-BR N/A N/A CD2635T3A TOP3 CD2650T3A-GF-B CD2650T3A-GF-BR N/A N/A CD2650T3A TOP3 CD2635T3A-CB-B CD2635T3A-CB-BR N/A N/A CD2635T3A TO-220S CD2650T3A-CB-B CD2650T3A-CB-BR N/A N/A CD2650T3A TO-220S CD2635T3A-CD-B CD2635T3A-CD-BR N/A N/A CD2635T3A TO-220S-B CD2650T3A-CD-B CD2650T3A-CD-BR N/A N/A CD2650T3A TO-220S-B TOP3 （Insulated）
R CD2635T3A/CD2650T3A 版本：202004A 2 / 7 绝对最大额定值ABSOLUTE RATINGS(TC=25℃) 项目 Parameter 符号 Symbol 试验条件 Condition 数值 Value 单位 Unit 重复峰值断态电压 Repetitive peak off-state voltage VDRM ±1200 V 通态方均根电流On-state RMS current IT(RMS) full sine wave, 26 A 非 重 复 浪 涌 峰 值 通 态 电 流Non- repetitive surge peak on-state current ITSM full sine wave,t=20ms 250 A full sine wave ,t=16.7ms 260 A I2t t=10ms 340 A2s 通态电流临界上升率Repetitive rate of rise of on-state current after triggering dI/dt ITM=30A, IG=0.2A, dIG/dt=0.2A/μs
50 A/μs
峰值门极电流Peak gate current IGM 2 A 峰值门极电压Peak gate voltage VGM 5 V 峰值门极功率Peak gate power PGM 5 W 平均门极功率Average gate power PG(AV) over any 20ms period 1.0 W 存储温度Storage temperature Tstg -40~150 ℃ 操作结温Operation junction temperature TVJ -40~125 ℃ 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC (TC=25℃) 项目 Parameter 符号 ymbol 测试条件 Condition 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Unit 峰值重复断态电流 Peak Repetitive Blocking Current IDRM VDM=VDRM,Tj=125℃, gate open - - 3.0 mA 峰值通态电压 Peak on-state voltage VTM ITM=30A - 1.6 V 门 极 开 通 时 间Gate controlled turn-ontime tgt ITM=20A,VDM=VDRM(MAX), IG=0.1A, dIG/dt=5A/μS - 2 - μs 电绝缘特性 ELECTRICAL ISOLATION 项目 Parameter 符号 Symbol 条件 Condition 数值Value 单位 Unit 绝缘电压 Isolationvoltage VISOL 1 minute,leads tomounting tabTO-220S TOP3 2000 V
R CD2635T3A/CD2650T3A 版本：202004A 3 / 7 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC (TC=25℃) 项目 Parameter 符号 Symbol 测试条件 Condition CD2635 T3A CD2650 T3A 单位 Unit 门极触发电流 Gate trigger current IGT VDM=12V, RL=100Ω I - II - III MAX 35 50 mA 门极触发电压 Gate trigger voltage VGT ALL MAX 1.5 1.5 V 维持电流 Holding current IH VDM=12V, IGT=0.1A MAX 60 80 mA 擎住电流 Latching current IL VDM=12V, IGT=0.1A I - III MAX 70 90 mA II MAX 90 120 mA 断态临界电压上升率 Rise of off- state voltage dV/dt VDM=67% VDRM(MAX), Tj=125℃, gate open MAX 1000 1000 V/μs 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项目 Parameter 符号 Symbol 条件 Condition 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Unit 结到管壳的热阻 Thermal resistance junction to case Rth(j-c) full cycle(TOP3) 1.0 ℃/W full cycle(TO-220S-B) 1.1 ℃/W full cycle(TO-220S) 1.5 ℃/W
R CD2635T3A/CD2650T3A 版本：202004A 4 / 7 特征曲线ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) Ptot- IT(RMS) IT(RMS) – Tc P(W) IT(RMS) (A) IT(RMS)(A) 管壳温度Tc ITSM - tp IT(RMS)- ts IT(RMS) (A) ITSM (A) 脉冲宽度tp(ms) 冲击持续时间ts(s) IGT(Tj)/IGT(25℃) - Tj VTM - ITM IGT(Tj)/IGT(25℃) ITM (A) 结温Tj(℃) 通态压降VTM(V)
R CD2635T3A/CD2650T3A 版本：202004A 5 / 7 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TOP3 单位 Unit ：mm
R CD2635T3A/CD2650T3A 版本：202004A 6 / 7 外形尺寸PACKAGE MECHANICAL DATA TO-220STO-220S-B 单位 Unit ：mm
R CD2635T3A/CD2650T3A 版本：202004A 7 / 7 注意事项 NOTE 1. 吉林华微电子股份有限公司的产品销售 分为直销和销售代理，无论哪种方式， 订货时请与公司核实。 2. 购买时请认清公司商标，如有疑问请与 公司本部联系。 3. 在电路设计时请不要超过器件的绝对最 大额定值，否则会影响整机的可靠性。 4. 本说明书如有版本变更不另外告知 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, whenordering, please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in thisspecification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 吉林华微电子股份有限公司 CONTACT JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 公司地址：吉林省吉林市深圳街99 号 ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. 邮编：132013 Post Code:132013 总机：86-432-64678411 Tel：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 Fax：86-432-64665812 销售业务部 MARKET DEPARTMENT 地址：吉林省吉林市深圳街99 号 ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. 邮编：132013 Post Code:132013 电话：86-432-64675588 64675688 64678411 Tel: 86-432-64675588 64675688 64678411 传真：86-432-64671533 Fax: 86 -432-64671533