CD1100T5B JSMC | Alldatasheet

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R 版本：202404D 1/7 反向阻断三极晶闸管 REVER BLOCKING TRIODE THYRISTORS(SCR) CD1100T5B 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package IT(RMS) 1.25A VDRM/VRRM 1250V IGT 30-90μA 用途 APPLICATIONS ⚫ 半交流开关 ⚫ Half AC switching ⚫ 相位控制 ⚫ Phase control 产品特性 FEATURES ⚫ 玻璃钝化芯片， 高可靠性和一 致性 ⚫ Glass-passivated mesa chip for high reliability and uniform ⚫ 低通态电流和高 浪涌电流能力 ⚫ Low on-state voltage and High ITSM ⚫ 环保 RoHS 产品 ⚫ RoHS products 订货信息 ORDER MESSAGES 有卤-编带 无卤-编带 有卤-袋装 印记 Marking 封装 Package Halogen-Reel Halogen-Free-Reel Halogen-Bag CD1100T5B-NC-A CD1100T5B-NC-AR N/A CD1100T5B SOT-223 CD1100T5B-NL-A CD1100T5B-NL-AR N/A CD1100T5B SOT-223-2L SOT-223 SOT-223-2L

R CD1100T5B 版本：202404D 2/7 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (TC=25℃) 项 目 Parameter 符 号 Symbol 试 验 条 件 Condition 数 值 Value 单位 Unit 断态（反向）重复峰值电压 Repetitive peak off-state （reverse） voltage VDRM /VRRM 1250 V 通态平均电流Average on-state current IT（AV） 0.8 A 通态方均根电流 On-state RMS current IT（RMS） 1.25 A 非 重 复 浪 涌 峰 值 通 态 电 流Non- repetitive surge peak on-state current ITSM 50Hz，t=10ms 20 A 熔断 I2t I 2t for fusing I2t t=10ms 2.0 A2s 通态电流临界上升率Repetitive rate of rise of on-state current after riggering dI/dt (IG=2×IGT , Tj=110℃) 100 A/μs 峰值门极电流 Peak gate current IGM (tp=20μs, Tj=110℃) 1.0 A 平均门极功率 Average gate power PG(AV) (Tj=110℃) 0.1 W 存储温度 Storage temperature Tstg -40~150 ℃ 操作结温Operation junction temperature TVJ -40~110 ℃

R CD1100T5B 版本：202404D 3/7 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC (TC=25℃) 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测 试 条 件 Condition 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Unit 断态峰值重复电流 Peak Repetitive Blocking Current IDRM VDM=VDRM, Tj=110℃, RGK=1KΩ - - 0.3 mA 反向峰值重复电流 Peak Repetitive Reverse Current IRRM VRM=VRRM, Tj=110℃, RGK=1KΩ - - 0.3 mA 峰值通态电压 Peak on-state voltage VTM ITM=2.0A - － 1.7 V 门极触发电流 Gate trigger current IGT VAK=12V，RL=33Ω 30 - 90 μA 门极触发电压 Gate trigger voltage VGT VAK=12V，RL=33Ω - - 0.8 V 门极不触发电压 Gate non-trigger voltage VGD VD=VDRM Tj=110℃ 0.2 - - V 维持电流 Holding current IH IT=0.05A - - 3 mA 擎住电流 Latch current IL IG=1.2 IGT - - 4 mA 断态临界电压上升率 Rise of off- state voltage dV/dt VD=800V Tj=110℃ RGK=1KΩ 200 - - V/μs VD=800V Tj=110℃ RGK=220Ω 500 - - V/μs 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 符 号 Symbol 条 件 Condition 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Unit 结到管壳的热阻 Thermal resistance junction to case Rth(j-c) (DC) - - 25 ℃/W 结到环境的热阻 Thermal resistance junction to ambient Rth(j-a) (DC) - - 130 ℃/W

R CD1100T5B 版本：202404D 4/7 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) Ptot - IT（AV） 通态峰值耗散功率Ptot(W) 通态平均电流 IT（AV） （A） IT – VTM 通态电流IT (A) 通态电压 VTM （V） ITSM- Ts 浪涌电流ITSM(A) 脉冲时间 Ts（ms）

R CD1100T5B 版本：202404D 5/7 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA SOT-223 单位 Unit ：mm

R CD1100T5B 版本：202404D 6/7 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA SOT-223-2L 单位 Unit ：mm

R CD1100T5B 版本：202404D 7/7 注意事项 1. 吉林华微电子股份有限公司的产品销售分为直销和销售代理， 无论哪种方式， 订货时请与 公司核实。 2. 购买时请认清公司商标，如有疑问请与公司本部联系。 3. 在电路设计时请不要超过器件的绝对最大额定值，否则会影响整机的可靠性。 4. 本说明书如有版本变更不另外告知。 NOTE 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this. specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 吉林华微电子股份有限公司 公司地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址：www.hwdz.com.cn CONTACT JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel： 86-432-64678411 Fax：86-432-64665812 Web Site：www.hwdz.com.cn