DATASHEET SEARCH SITE | WWW.ALLDATASHEET.COM
Document overview
- Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
- PDF pages: 2
Technical content
Features
High forward surge current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheit Hohe Stoßstromfestigkeit Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped in ammo pack 1250 Gegurtet in Ammo-Pack Weight approx. 1.15 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] BY500-50 50 50 BY500-100 100 100 BY500-200 200 200 BY500-400 400 400 BY500-600 600 600 BY500-800 800 800 BY500-1000 1000 1000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50°C IFAV 5 A 3) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 20 A 3) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 200/220 A Rating for fusing,t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 200 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+175°C -50...+175°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Type Ø ±0.05 1.2 Ø ±0.1 5.4 62.5 ±0.5 7.5 ±0.1 Pb ELV W EEE RoHS
BY500-50 ... BY500-1000 Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 5 A VF < 1.3 V Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 5 µA Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapzität VR = 4 V Cj 15 pF Reverse recovery time Sperrverzugszeit IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A trr < 200 ns Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 19 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 8 K/W Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 120 100 [%] IFAV Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) [°C]TA 150100500 [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T = 25°Cj T = 125°Cj 200a-(5a-1.3v)