BM8N08A JSMC | Alldatasheet

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R 版本：202008A 1/6 NPN 硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTORS BM8N08A 订 货 型 号 Order codes 印 记 Marking 封 装 Package 有卤-条管 Halogen-Tube 无卤-条管 Halogen Free-Tube 有卤-编带 Halogen-Reel 无卤-编带 Halogen Free-Reel N/A N/A BM8N08A -R-A N/A BM8N08A DPAK N/A N/A BM8N08A -NC-A N/A 8N08A SOT-223 用途  分流和开关稳压器  工作频率从直流到大于 1MHz 的放大器 的输出和驱动  低频和高频逆变器/转换器 封装 Package

APPLICATIONS

 shunt and switching regulators  output and driver stages of amplifiers operating at frequencies from DC to greater than 1MHz  low and high frequency inverters/converters 产品特性  高电流容量  高可靠性  环保（RoHS）产品

FEATURES

 High current capability  High reliability  RoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE DPAK SOT-223

R BM8N08A 版本：202008A 2/5 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 电特性 ElECTRICAL CHARACTERISTIC * Pulse Test: Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2% 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 符 号 Symbol 最大值 Value(max) 单 位 Unit 结到管壳的热阻SOT-223 Thermal Resistance Junction Ambient SOT-223 Rth(j-a) 25 ℃/W 结到管壳的热阻DPAK Thermal Resistance Junction Case DPAK Rth(j-c) 6.25 ℃/W 项 目 Parameter 符 号 Symbol 数 值 Value 单 位 Unit 集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage（VBE=0） VCES 80 V 集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage（IB=0） VCEO 80 V 发射极—基极直流电压 Emitter-Base Voltage VEBO 5 V 最大集电极直流电流 Collector Current（DC） IC 8 A 最大基极直流电流 Base Current（DC） IB 5 A 最大集电极耗散功率 Total Dissipation (SOT-223) PC 5 W 最大集电极耗散功率 Total Dissipation (DPAK) PC 20 W 最高结温 Junction Temperature Tj 150 ℃ 贮存温度 Storage Temperature Tstg -55~+150 ℃ 项 目 Parameter 测试条件 Tests conditions 最小值 Value(min) 典型值 Value(typ) 最大值 Value(max) 单位 Unit BVCEO IC=30mA ,IB=0 80 - - V BVCES IC=1 mA ,IE=0 80 - - V BVEBO IE=1 mA ,IC=0 5 - - V ICES VCB=80V, V EB=0 - - 10 uA IEBO VEB=5V, IC=0 - - 50 uA hFE(1) VCE =1V, I C=2A 60 - - hFE(2) VCE =1V, I C=4A 40 - - VCE(sat) IC=8A, I B=0.4A - - 1.0 V VBE(sat) IC=8A, I B=0.8A - - 1.5 V COB VCB=10V - 130 - pF fT VCE =10V, IC=500A,f=20MHz - 50 - MHz

R BM8N08A 版本：202008A 3/5 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) hFE – IC IF vs VF PC-TC IF(AV) vs TC hFE, VCE=1V Ic(A) VCE(sat)- IC 100 1000 0.01 0.1 1 10 IC/IB=20 Ic(A) VCEsat VCE(sat)- IC 100 1000 10000 0.1 1 10 VCEsat IC/IB=10 POWER DERATING FACTOR Ic(A)

R BM8N08A 版本：202008A 4/5 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA DPAK 单位 Unit ：mm 符号 尺寸（mm） A 2.16-2.41 A1 0.97-1.17 A2 0.00-0.15 b 0.63-0.93 b1 5.13-5.53 b2 0.66-0.96 c 0.40-0.60 D 5.80-6.40 E 6.30-6.90 e 2.286BSC L 2.50-3.30 L1 1.20-1.80 L2 0.60-1.00 L3 0.85-1.30 SOT-223 单位 Unit ：mm 符号 尺寸（mm） A 6.65-7.25 A1 3.30-3.70 B 6.20-6.60 B1 2.80-3.20 C 0.64-0.84 D 2.20-2.40 D1 4.40-4.80 E 1.40-1.80 E1 1.40-1.95 E2 0.00-0.15 G 0.23-0.37 H 0.18-0.32 L 0.70-1.20 L1 0.80MAX θ 10°

R BM8N08A 版本：202008A 5/5 注意事项 1. 吉林华微电子股份有限公司的产品销售分为直销和销售代理，无论哪种方式，订货时请 与公司核实。 2. 购买时请认清公司商标，如有疑问请与公司本部联系。 3. 在电路设计时请不要超过器件的绝对最大额定值，否则会影响整机的可靠性。 4. 本说明书如有版本变更不另外告知。 NOTE 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this. specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 吉林华微电子股份有限公司 公司地址：吉林省吉林市深圳街99 号 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址：www.hwdz.com.cn CONTACT JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel： 86-432-64678411 Fax：86-432-64665812 Web Site：www.hwdz.com.cn