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Technical content
www.bookly.co m © 上海百力微电子有限公司 1 / 4 200V高耐压DC-DC降压型转换器 概述 BM0650集成PFM控制器及200V高雪崩能力智能功率MOSFET， 用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源,固定 输出电压。BM0650内置200V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能， 包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外BM0650的降频调制技术有助于改善EMI特性。 应用领域 ■ 电动车控制器 ■ 车载设备 产品特征 ■ 内置200V高雪崩能力智能功率MOSFET ■ 内置高压启动电路 ■ 优化适用于14.7V输出非隔离应用 ■ SOP-8半封闭式稳态输出电流500mA @30VDC ■ 改善EMI的降频调制技术 ■ 优异的负载调整率和工作效率 ■ 全面的保护功能 过载保护（OLP） 过温保护（OTP） 欠压保护（UVLO） 典型应用 BM0650HV BM0650AHV 输出14.7V 输出5.0V 0.5A 1.5A
www. bookly.com © 上海百力微电 子有限公司 2 / 4 管脚定义 管脚名 管脚标号 管脚功能描述 VDD 1 芯片电源脚 NC 2,3,4 空脚（3脚为BS在5V版本） SW 5,6 高压MOSFET 漏极脚 VSS 8 VSS 功能框图 17.5V BM0650 HV
www.bookly.com © 上海百力微电子有限公司 3 / 4 极限工作范围 备注：1. 产品委托第三方严格按照芯片级ESD标准(ESDA/JEDEC JDS-001-2014)中的测试方式和流程进行测试。 2. 此项测试条件为静电测试仪对芯片引脚直接放电，企业内部标准，结果仅供参考。 电气特性 (TA = 25°C, 除非另有说明) 参数 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 功率部分 功率管耐压 BVDSS I SW =250uA 200 250 300 V 关态漏电流 IOFF V sw =200V 10 20 100 μA 导通电阻 RDS(on) ISW = 400mA, TJ =25°C 3 Ω 高压启动电压 VSW_START VDD=VDDon – 1V 20 V VDD电压部分 VDD启动阈值电压 VDDon 10.5 11.5 12.5 V VDD欠压保护阈值电压 VDDoff 8 9 10 V VDD回差 VDDhys 2.5 V VDD钳位保护电压 V DDclamp 16.5 17.5 19.0 V VDD反馈基准电压 VDD-REF 14.1 14.7 15.3 V VDD电流部分 启动管充电电流 IDDch VDD=10V,VSW =25V -2.8 -2 -1.2 mA 静态电流 IDD0 V DD=6V 0.3 0.6 0.9 mA 工作电流 IDD1 V DD =13V 0.8 1.5 2.5 mA 内部电流检测 尖峰电流限流值 Ilimit 0.8 0.95 1.1 A 过流检测前沿消隐时间 TLEB 300 ns 反馈输入 最小关断时间 Toffmin 11 13 16 μs 最大开启时间 Tonmax 10 15 19 μs 过温保护 过温保护温度 TSD 160 170 °C 过温保护回差 THYST 40 °C 重启保护 异常重启时间 TRESTART C VDD=4.7μF 3 S
www.bookly.com © 上海百力微电子有限公司 4/4 封装信息 SOP-8 封装外形及尺寸 尺寸 符号 最小(mm) 正常(mm) 最大(mm) 尺寸 符号 最小(mm) 正常(mm) 最大(mm) A — — 1.75 D 4.70 4.90 5.10 A3 0.60 0.65 0.70 e 1.27BSC b 0.39 — 0.48 h 0.25 — 0.50 c 0.21 — 0.26 L1 1.05BSC c1 0.19 0.20 0.21 θ 0° — 8° 表层丝印 封装 BM0650 HV YWWXXXXX SOP-8 备注: 1. 此制图可以不经通知进行调整; 2. 器件本体尺寸不含模具飞边；