BM05P06A JSMC | Alldatasheet

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Technical content

R 版本： 202 402C P NP 低饱和压降 晶体管 PNP LOW Vce sat TRANSISTOR BM P 订 货 型 号 Order codes 印 记 Marking 封 装 Package 有卤 条管 H alogen Tube 无卤 条管 H alogen Free Tube 有卤 编带 H alogen R eel 无卤 编带 H alogen Free R eel NA N/A N/A BM0 P A NB AR P SOT NA N/A N/A BM0 N C AR 05P06 SOT 223 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS I C A V CE O V P C a (SOT 89) 1.5 W P C b (SOT 223) W 封装 Package SOT 223 SOT 用途 静音开关 电池充电器 线性开关电源 电机驱动器

APPLICATIONS

S witching and muting Battery charger S upply line switching circuits motor drivers 产品特性 硅外延 饱和压降低 电流大 与 BM N 互补 环保（ RoHS ）产品

FEATURES

V CE(sat high current Complementary to BM N 06A RoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE

R BM P 版本： 202 402C 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 电特性 El ECTRICAL C HARACTERISTIC 热特性 T HERMAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 符 号 Symbol 最小值 Value(min) 最大值 Value(max) 单 位 Unit 结到环境的热阻 SOT a Thermal Resistance, Junction to Ambient Rth(j a 结到环境的热阻 SOT 223 b Thermal Resistance, Junction to Ambient Rth(j a (a) F or a device surface mounted on 25mm x 25mm x 1.6mm FR4 PCB with high coverage of single sided 35um copper, in still air conditions. b ) For a device surface mounted on 52mm x 52mm x 1.6mm FR4 PCB with high coverage of single sided um copper, in still air conditions 项 目 Parameter 符 号 Symbol 数 值 Value 单 位 Unit 集电极 基极 直流电压 Collector Base Voltage I E V C BO V 集电极 发射极直流电压 Collector Emitter Voltage I B V CEO V 发射极 基极直流电压 Emitter Base Voltag e I C V EBO V 最大集电极直流电流 Collector Current DC I C A 最大集电极耗散功率 SOT Total Dissipation P C (a) 1.5 W 最大集电极耗散功率 SOT 223 Total Dissipation P C (b) W 最高结温 Junction Temperature T j 150 贮存温度 Storage Temperature T stg 55~+150 项 目 Parameter 测试条件 Tests conditions 最小值 Value(min) 最大值 Value(max) 单位 Unit BV CBO I C 100 µ V BV CES I C 100 µ V BV CEO I C mA V BV EBO I E 100 µ A,Ic=0 V I CBO V CB I E n A I C ES V CB V, I E n A I EBO V EB V, I C n A h FE (1) V CE 1V,Ic= 10mA 100 h FE (2) V CE 1V,Ic= 100 300 h FE (3) V CE 1V,Ic= h FE (4) V CE 1V,Ic= 10A Vcesat1 IC= 100mA, IB= mA mV Vcesat2 IC= 1A, IB= 100 mA mV Vcesat3 IC= A, IB= 0mA 110 mV Vcesat4 IC= A, IB= 0mA mV Vbesat IC= A , IB= mA V Vbe on V CE 1V,Ic= A 0.95 V

R BM P 版本： 202 402C 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) hFE I C V BE on I C V CE(sat) I C V CE(sat) I C V B E(sat) I C SOA

R BM P 版本： 202 402C 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA S O T 223 单位 Unit mm S O T 单位 Unit mm

R BM P 版本： 202 402C 注意事项 吉林华微电子股份有限公司的产品销售分为直销和销售代理，无论哪种方式，订货时请 与公司核实。 购买时请认清公司商标，如有疑问请与公司本部联系。 在电路设计时请不要超过器件的绝对最大额定值，否则会影响整机的可靠性。 本说明书如有版本变更不另外告知。 N OTE Jilin Sino microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. Please do not exceed the abso lute maximum ratings of the device when circuit designing. Jilin Sino microelectronics co , Ltd reserves the right to make changes in this specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 吉林华微电子股份有限公司 公司地址：吉林省吉林市深圳街 号 邮编： 132013 总机 432 4678411 传真： 432 4665812 网址： www.hwdz.com.cn C ONTACT JILIN SINO MICROELECTRONICS CO., LTD. ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel 432 4678411 Fax 432 4665812 Web Site www.hwdz.com.cn