ATT030N065EQ

ATT030N065EQ JSMC | Alldatasheet

Document overview

• Manufacturer or author: Provided By alldatasheet.com(free datasheet download site)
• PDF pages: 10

Technical content

R 版本：202401A 1/10 N 沟绝缘栅双极晶体管 N-CHANNEL IGBT ATT030N065EQ 订 货 型 号 Order codes 印 记 Marking 封 装 Package 无卤-条管 Halogen-Free-Tube ATT030N065EQ-GE-BR ATT030N065EQ TO-247 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IC 30A VCE 650V VCE（sat）-TYP 1.7V 用途  逆变器  UPS 电源  电机控制

APPLICATIONS

 General purpose inverters  UPS  Motor Control 产品特性  低栅极电荷  Trench FS 技术  RoHS 产品

FEATURES

 Low gate charge  Trench FS Technology  RoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE

R ATT030N065EQ 版本：202401A 2/10 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) *连续集电极电流由最高结温限制 *Collector current limited by maximum junction temperature 项 目 Parameter 符 号 Symbol 数 值 Value 单 位 Unit 最高集电极－发射极直流电压 Collector-emmiter voltage VCE 650 V *连续集电极电流 Collector current-continuous TC=25℃ TC =100℃ IC A 最大脉冲集电极极电流 Collector current – pulse （pw＜1ms， duty cycle ≤0.01） ICM 120 A 二极管正向测试电流 Diode RMS forward current TC=25℃ TC =100℃ IF A 二极管正向脉冲电流 Diode pulse current （pw＜1ms， duty cycle ≤0.01） IFSM 120 A 栅极发射极电压 Gate-emmiter voltage VGE ± 20 V 耗散功率 Power dissipation TC=25℃ TC =100℃ PD 234 117 W 存储温度 Storage temperature range TSTG -55～+150 ℃ 结温 Junction temperature range TJ -40～+175 ℃ 最高焊接温度 Soldering temperature wave soldering 1.6 mm from case for 10 s TL 260 ℃

R ATT030N065EQ 版本：202401A 3/10 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Units 关态特性 Off –Characteristics 集电极－发射极击穿电压 Collector-emmiter voltage BVCES Ic=1mA, VGE =0V，Tvj=25℃ 650 - - V 零栅压下集电极漏电流 Zero gate voltage collector current ICES VCE =650V, VGE =0V, Tvj =25℃ - - 30 μA 正向栅极体漏电流 Gate-body leakage current,forward IGESF VCE =0V, VGE =20V，Tvj =25℃ - - 200 nA 反向栅极体漏电流 Gate-body leakage current,reverse IGESR VCE =0V, VGE =-20V，Tvj =25℃ - - -200 nA 通态特性 On-Characteristics 阈值电压 Gate threshold voltage VGE(th) VCE = VGE, Ic=1mA， Tvj =25℃ 4.5 - 6.5 V 饱和压降 Collector-emmiter saturation voltage VCESAT VGE =15V, Ic=30A, Tvj =25℃ - 1.7 2.1 V VGE =15V, Ic=30A, Tvj =125℃ - 1.9 - V VGE =15V, Ic=30A, Tvj =175℃ - 2.1 - V 动态特性 Dynamic Characteristics 输入电容 Input capacitance Cies VCE =25V, VGE =0V, f=1.0MHZ - 1830 - pF 输出电容 Output capacitance Coes - 160 - pF 反向传输电容 Reverse transfer capacitance Cres - 50 - pF 栅极电荷总量Total gate charge Qg Vcc=520V,Ic=30A,Rg=7.9Ω, VGE =15 V Tvj =25℃ - 64.5 - nC 栅极-发射极 Gate to emitter charge Qge - 18.1 - 栅极-集电极Gate to collector charge Qgc - 23.7 - 栅极电阻-Gate resistance Rg f=1 MHz, open collector - 1.1 - Ω 短路电流-short current Isc VGE=15V,VCE=360V, TJ≤150° C,t≤10µ s - 150 - A

R ATT030N065EQ 版本：202401A 4/10 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 开关特性 Switching Characteristics 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Units 开启延迟时间Turn-on delay time td(on) Vcc=400V,Ic=30A,Rg=7.9Ω VGE =15 V Tvj =25℃ - 27.0 - ns 上升时间Turn-on rise time tr - 67.0 - ns 关断延迟时间Turn-off delay time td(off) - 67.0 - ns 下降时间Turn-off Fall time tf - 44.0 - ns 开通损耗Turn-on energy Eon - 0.83 - mJ 关断损耗 Turn-off energy Eoff - 0.36 - mJ 总开关损耗 Total switching energy Etot - 1.19 - mJ 开启延迟时间Turn-on delay time td(on) Vcc=400V,Ic=30A,Rg=7.9Ω VGE =15 V Tvj =175℃ - 27.0 - ns 上升时间Turn-on rise time tr - 68.0 - ns 关断延迟时间Turn-off delay time td(off) - 90.0 - ns 下降时间Turn-off Fall time tf - 59.0 - ns 开通损耗Turn-on energy Eon 1.09 mJ 关断损耗 Turn-off energy Eoff 0.58 mJ 总开关损耗 Total switching energy Etot 1.67 mJ 反并联二极管特性及最大额定值 Anti-Parallel Diode Characteristics and Maximum Ratings 正向压降Diode forward voltage VF IF =30A, Tvj =25℃ - 1.7 2.2 V 反向恢复时间Reverse recovery time trr VGE =0V, VR =400V,IF =30A dIF /dt=100A/μs Tvj =25℃ - 155 - ns 反向恢复电荷Reverse recovery charge Qrr - 85.0 - nC 反向恢复电流 Diode reverse recovery current Irrm - 1.14 - A 反向恢复时间 Diode reverse recovery time trr VGE =0V, VR =400V IF =30A dIF /dt=100A/μs Tvj =175℃ - 307 - ns 反向恢复电荷 Diode reverse recovery charge Qrr - 685 - nC 反向恢复电流 Diode reverse recovery current Irrm - 3.98 - A 项 目 Parameter 符 号 Symbol Max 单 位 Unit IGBT 结到管壳的热阻 IGBT thermal resistance, Junction -Case Rth(j-c) 0.64 ℃/W Diode 结到管壳的热阻 Diode thermal resistance, Junction -Case Rth(j-c) 40 ℃/W

R ATT030N065EQ 版本：202401A 5/10 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) Output Characteristics（25℃） Output Characteristics（175℃） Transfer Characteristics VCE =20 V VCEsat vs. Tj VGE =15V, Ic=15A、30A、60A Vth vs. Tj Ic=1mA Capacitance Characteristic VGE =0V,f=1.0MHZ

R ATT030N065EQ 版本：202401A 6/10 Switching Time vs. Ic(25℃) VCE=400V, VGE=15V, RG =7.9Ω Switching Time vs. Ic(175℃) VCE=400V, VGE =15V, RG=7.9Ω Switching Time vs. Rg(25℃) VGE 15V, VCE =400V, Ic=30A Switching Time vs. Rg(175℃) VGE=15V, VCE=400V, Ic=30A Switching Time vs.Tj VGE =15V, VCE=400V,Ic=30A,RG =7.9Ω Switching Loss vs. Tj VGE =15V, VCE=400V,Ic=30A ,RG=7.9Ω

R ATT030N065EQ 版本：202401A 7/10 Switching Loss vs. Ic(25℃) VGE=15V, VCE=400V,RG=7.9Ω Switching Loss vs. Ic(175℃) VGE=15V, VCE=400V,RG=7.9Ω Switching Loss vs. Rg(25℃) VGE=15V, VCE=400V, Ic=30A Switching Loss vs. Rg(175℃) VGE=15V, VCE=400V, Ic=30A Switching Loss vs. VCE(175℃) VGE=15V, Ic=30A , RG=7.9Ω Diode Characteristic

R ATT030N065EQ 版本：202401A 8/10 Transient Thermal Impedance IGBT Forward Bias Safe Operating Area Tc=25° C, VGE=15V,Tvj≤175℃

R ATT030N065EQ 版本：202401A 9/10 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-247 单位 Unit ：mm

R ATT030N065EQ 版本：202401A 10/10 1. 吉林华微电子股份有限公司的产品销售分为直销和销售代理，无论哪种方式，订货时请与公司核实。 2. 购买时请认清公司商标，如有疑问请与公司本部联系。 3. 在电路设计时请不要超过器件的绝对最大额定值，否则会影响整机的可靠性。 4. 本说明书如有版本变更不另外告知。 NOTE 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this. specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 吉林华微电子股份有限公司 公司地址：吉林省吉林市深圳街99 号 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址：www.hwdz.com.cn CONTACT JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel： 86-432-64678411 Fax：86-432-64665812 Web Site：www.hwdz.com.cn