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SLS SEMICONDUCTOR (SHENZHEN) CO.,LTD. SOT-23 封装半导体晶体管/SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors A733( PNP ) 印章/Marking：CS 用途/Applications： 与C945 互补。 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数/Parameter 符号/ Symbol 数值/Value 单位/Unit 集电极-基极电压/Collector-Base Voltage VCBO -60 V 集电极-发射极电压/Collector-Emitter Voltage VCEO -50 V 发射极-基极电压/Emitter-Base Voltage VEBO -5 V 集电极连续电流/Collector Current Continuous IC -0.15 A 集电极耗散功率/Collector Power Dissipation PC 0.2 W 结温/Junction Temperature Tj 150 ℃ 储存温度/Storage Temperature Tstg -55～150 ℃ 电性能参数/Electrical characteristics (Ta=25℃) 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 集电极-基极击穿电压 VBR(CBO) IC=-50μA,IE=0 -60 V 集电极-发射极击穿电压 VBR(CEO) IC=-1mA,IB=0 -50 V 发射极-基极击穿电压 VBR(EBO) IE=-50μA,IC=0 -5 V 集电极截止电流 ICBO VCB=-60V,IE=0 -0.1 μA 发射极截止电流 IEBO VEB=-5V,IC=0 -0.1 μA 直流电流增益 hFE VCE=-6V,IC=-1mA 120 475 集电极-发射极饱和压降 VCE(sat) IC=-100mA,IB=-10mA -0.18 -0.3 V 基极-发射极饱和压降 VBE(ON) VCE=-6V,IC=-1mA -0.58 -0.62 -0.68 V 特征频率 fT VCE=-10V,IC=-10mA 50 MHz 输出电容 COB VCB=-10V,IE=0,f=1MHz 4.5 7 pF 噪声系数 NF VCE=-6V,IC=-0.3mA Rg=10kΩ，f=100Hz 6 20 dB hFE 分档/Classification of hFE 档位/Rank L H 范围/Range 120～220 220～475
SLS SEMICONDUCTOR (SHENZHEN) CO.,LTD. SOT-23 封装半导体晶体管/SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors 典型特性曲线图/Typical Characteristics