4N65A YFWDIODE | Alldatasheet

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1 / 7 www.yfwdiode.com Dongguan YFW Electronics Co, Ltd. 4A 650V N沟道增强型场效应管 主要参数： ID 4A VDSS 650V RDSON-typ(@VGS=10V) 2.5Ω 性能特点： 开关速度快 低导通电阻 低反向传输电容 低栅极电荷量 100%单脉冲雪崩能量测试 提升了dv/dt能力 机械性能： 注塑成型封装 适用任何位置安装 封装材料符合UL 94V-0燃烧防火等级标准 加工焊接峰值最高温度 275°C ；时间丌大于 10s 封装形式: TO-220AB, TO-220F, TO-263, TO-252, TO-251 G.栅极 D.漏极S.源极 产品规格分类： 产品料号 封装形式 产品印字 包装方式 YFW4N65A1 TO-220AB 4N65AT 50PCS每管 YFW4N65A2 TO-220F(0.5mm) 4N65AF 50PCS每管 YFW4N65A3 TO-263 4N65AS 50PCS每管 YFW4N65A3-R TO-263 4N65AS 800PCS每盘 YFW4N65A4 TO-251 4N65AMJ 75PCS每管 YFW4N65A5-R TO-252 4N65AD 2500PCS每盘

2 / 7 www.yfwdiode.com Dongguan YFW Electronics Co, Ltd. 极限参数:(除非特殊说明，TC=25°C) 参数名称 符号 参数范围 单位 220AB/263 220F 251/252 漏源电压 VDS 650 V 栅源电压 VGS ±30 V 漏极电流-持续（TC=25°C） ID A -持续（TC=100°C） 2.6 漏极脉冲电流(注 1) IDM 16 A 耗散功率（TC=25°C）- PD 75 33 51 W -大于25°C每摄氏度减少 0.62 0.26 0.39 W/°C 单脉冲雪崩能量(注 2) EAS 220 mJ 雪崩电流(注 1) IAR 4 A 重复雪崩电压(注 1) EAR 10 mJ 工作结温范围 TJ 150 °C 贮存温度范围 TSTG -55 to +150 °C 芯片对管壳热阻 RθJC 1.26 3.94 2.5 °C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 62.5 62.5 83 °C/W 电气参数:(除非特殊说明，TC=25°C) 参数名称 测试条件 符号 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 VGS = 0 V,ID = 250 μA BVDSS 650 - - V 漏源击穿电流 VDS = 650 V, VGS = 0 V IDSS - - 1 UA VDS = 520 V, Tc =125°C - - 10 栅源漏电流 VGS = ± 30 V, VDS = 0 V IGSS - - ±100 nA 栅极开启电压 VDS = VGS , ID = 250 μA VGS(th) 2 - 4 V 导通电阻 VGS = 10 V, ID = 2 A RDS(on) - 2.5 2.8 Ω 正向跨导(注 3) VDS = 40 V, ID = 2 A gfs - 3.5 - S 输入电容 VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1MHz Ciss - 550 - pF 输出电容 Coss - 53 - 反向传输电容 Crss - 4 - 开启延迟时间 ID = 4A, VDD = 325 V, RG= 25Ω(注3,4) td(ON) - 14 - nS 开启上升时间 tr - 16 - 关断延迟时间 td(OFF) - 32 - 关断下降时间 tf - 11 - 栅极电荷量 ID = 4 A, VDD = 520 V, VGS = 10 V(注3,4) QG - 15 - nC 栅极-源极电荷量 QGS - 3 - 棚极-漏极电荷量 QGD - 7 -

3 / 7 www.yfwdiode.com Dongguan YFW Electronics Co, Ltd. 源-漏二极管特性参数:(除非特殊说明，TC=25°C) 参数名称 测试条件 符号 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 MOS管中源极、漏极构成的 反偏P-N结 IS - - 4 A 源极脉冲电流 ISM - - 16 A 源-漏二极管压降 ISD = 4 A, VSD - - 1.4 V 反向恢复时间 ISD = 4 A, VGS = 0 V, dIF / dt = 100 A/μs(注3) trr - 250 - nS 反向恢复电荷 Qrr - 1.2 - uC （注:） 1. L=25mH,IAS=4A, VDD=50V, RG=25Ω, 开始温度 TJ=25°C 2. 脉冲测试：脉冲宽度≦300uS,占空比≦2%; 3. 基本上不受工作温度的影响。 典型特性区线图

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