XPD636A

XPD636A FUMAN | Alldatasheet

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深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. XPD636A/B (文件编号：S&CIC1701) USB Power Delivery 控制器 Version 1.0 第1 页 共7 页 Copyright©2017, 云矽半导体 1 特性  支持 USB Type -C 协议 - 配置为 DFP（Source） - 广播 3A/1.5A 电流  支持 USB Power Delivery（PD）3.0 协议 - 集成完整 PD3.0 分层通信协议 - PDO：通过 PSEL 引脚选择  支持 Quick Charge 3.0/2.0 协议  支持华为 FCP/SCP 协议  支持三星 AFC 协议  支持 USB BC1.2 DCP  支持 Apple 2.4A 充电规范  集成 VBUS 通路低阻抗功率开关管  内置 VBUS Discharge 功能  支持线损补偿功能  支持 USB Type-A 和 Type-C 双口工作模式  安全性 - 过压/欠压保护 - 过流保护 - 过温保护  CC1/CC2/DP/DM 过压保护  ESD 特性± 4KV  Package: TSSOP-16 2 应用  AC-DC 适配器  USB 充电设备 3 应用简图 XPD636 CC2 CC1 VBUSVPWR DM1 FBO GND DM2 DP2 DP1 PS GD2 ISP2 PSEL Power Supply Feedback USB TYPE-C USB-A 10mΩ VPWR VBUS CVBUS

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. XPD636A/B (文件编号：S&CIC1701) USB Power Delivery 控制器 Version 1.0 第2 页 共7 页 Copyright©2017, 云矽半导体 4 概述 XPD636 是一款集成 USB Type-C、USB Power Delivery（PD）3.0、QC3.0/2.0 CLASS A 快充协议、华为FCP/SCP 快充协议、三星 AFC 快充协议、BC1.2 DCP 以及苹果设备 2.4A 充电规范的多功能 USB 端口控制器, 为 AC-DC 适配器、移动电源、车载充电器等设备提 供完整的A+C 端口充电解决方案。 XPD636 内置的 TYPE-C 协议可以支持 TYPE-C 设备插入自动唤醒系统， 智能识别插头 的正插与反插，实现连接。集成的 TYPE-C PD3.0 协议支持双向标记编码（BMC），集成 硬件的物理层协议和协议引擎，无需软件参与编解码。 在仅接入一个端口的时候，端口都可以实现独立的快充功能，如果同时接入两个口 充电，芯片会将电压降至 5V 下充电； XPD636 内建多种保护机制确保设备安全：包括动态过压/欠压/过流保护（可根据设 备请求的工作电压/电流按照比例调整保护点）；启动监测（VBUS 输出前会监测端口电 压是否处于安全状态）。 XPD636 集成 25mΩ VBUS 通路功率开关管和内部放电通路，节省了外围器件，在发 生错误时也可以更快关闭输出并恢复到安全状态。 XPD636 采用 TSSOP16 封装。

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. XPD636A/B (文件编号：S&CIC1701) USB Power Delivery 控制器 Version 1.0 第3 页 共7 页 Copyright©2017, 云矽半导体 5 引脚定义 XPD636 CC2 CC1 VBUSVPWR DM1 FBO PSEL DM2 DP2 DP1 PS GD2 ISP2 GND VBUSVPWR 引脚序号 名称 描述 1/2 VPWR 电源输入

3 FBO 电压调节端口（接到系统电压反馈点）

4 PSEL PDO 配置

5 GND 接地

6 ISP2 A 口电流检测

7 GD2 A 口 nmos 开关驱动

8 PS A 口插入检测

9 DP2 C 口 USB DP

10 DM2 C 口 USB DM

11 DP1 A 口 USB DP

12 DM1 A 口 USB DM

13 CC1 Type-C 检测引脚CC1

14 CC2 Type-C 检测引脚CC2

15/16 VBUS VBUS 输出 6 订购信息 料号 印字 默认 PDO 封装 XPD636A XPD636X XXXXXX PDO:5V/3A, 9V/2A TSSOP16 XPD636B PDO:5V/3A, 9V/2A, 12V/1.5A XPD636A2 XPD636X XXXXXX2 PDO:5V/2.5A, 9V/2A XPD636B2 PDO:5V/2.5A, 9V/2A, 12V/1.5A 印字说明： 第一行，XPD636X：芯片型号； 第二行，XXXXXX+X：Lot Number+封装或软件版本。

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. XPD636A/B (文件编号：S&CIC1701) USB Power Delivery 控制器 Version 1.0 第4 页 共7 页 Copyright©2017, 云矽半导体 7 规格参数 7.1 极限工作参数(1) 参数 最小值 最大值 单位 耐压（对GND） VBUS, VPWR, PS， CC -0.3 15 V 其他 -0.3 6 V 结温 -40 150 存储温度 -65 150 (1) 超出极限工作范围值可能会造成器件永久性损坏。长期工作在极限额定值下可能会影响器件 的可靠性。

7.2 ESD 性能

符号 参数 值 单位 VESD HBM ±4000 V ESD 测试基于人体放电模型（HBM）。 7.3 推荐工作条件 参数 最小值 典型值 最大值 单位 VPWR 输入电压 3.6 12 V CVBUS VBUS 电容 2.2 10 µF RFBUP 系统电压分压电阻 100 kΩ TA 工作环境温度 -40 85 7.4 热阻值 符号 参数 值 单位 RθJA 结温和周围温度之间的热阻(1) 100 /W RθJCtop 结温和封装外壳表面温度之间的热阻 36 RθJB 结温和板温度之间的热阻 45 7.5 电气特性 如无特殊说明，下述参数均在该条件下取得：TJ= 25℃，5V≤VPWR≤12V 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位 芯片供电相关（VPWR，VBUS） VVPWR_TH VPWR UVLO 门限 Rising edge 3.5 V Falling edge 3.2 Hysteresis 0.3 VVBUS_TH VBUS UVLO 门限 Rising edge 4.45 V

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. XPD636A/B (文件编号：S&CIC1701) USB Power Delivery 控制器 Version 1.0 第5 页 共7 页 Copyright©2017, 云矽半导体 Falling edge 3.9 Hysteresis 0.55 ISUPP 典型工作电流 VPWR=5V，VBUS=5V 2.6 mA Voltage Protection (VBUS) VFOVP Fast OVP 门限， always enabled Ref to target voltage +20% V VSOVP Slow OVP 门限 Ref to target voltage +15% V VSUVP VBUS UVP 门限 Ref to target voltage -22% V Switch MOSFET RDSON 25 mΩ Transmitter (CC1, CC2) RTX Output resistance During transmission 50 Ω VTXHI Transmit HIGH 1.15 V VTXLO Transmit LOW -75 75 mV tUI Bit unit interval 3.3 us tBMC Rise/fall time of BMC Rload=5.1k,Cload=1nF 300 600 ns Receiver (CC1, CC2) VRXHI Receive HIGH 800 840 885 mV VRXLO Receive LOW 485 525 570 IRP_SRC CC1/CC2 Broadcasting current 3A DFP mode, 0 304 330 356 uA 1.5A DFP mode, 0 166 180 194 uA OCP VITRIP Ref to Power Capability(pd) +30% A USB-A 2.6 A OTP (internal) TJ1 Die temperature Temperature rising edge 125 135 145 ℃ Hysteresis 20 ℃ HVDCP interface (DP, DM) VDAT(REF) 数据线检测电压 0.25 0.325 0.4 V VSEL(REF) 输出电压选择 1.8 2 2.2 V TGLITCH(DP)HIGH D+高电平扰动滤 波时间 1 1.25 1.5 s TGLITCH(DM)LOW D-低电平扰动滤 波时间 1 ms TGLITCH(V)CHANGE 输出电压扰动滤 波时间 20 40 60 ms TGLITCH(CONT)CHANGE 连续模式的扰动 滤波时间 100 150 200 us RDAT(LKG) D+漏泄电阻 300 500 800 KΩ RDM(DWN) D-下拉电阻 14.25 19.53 24.5 KΩ RON(N1) 开关N1 导通电 阻 40 100 Ω

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. XPD636A/B (文件编号：S&CIC1701) USB Power Delivery 控制器 Version 1.0 第6 页 共7 页 Copyright©2017, 云矽半导体 VTH(PD) 受电设备连接检 测电压阈值 0.25 0.325 0.4 V TDPD 受电设备连接检 测滤波时间 120 160 200 ms ΔIT(UP) 电压升高时电流 源阶跃步长 RIREF=100KΩ 2 uA ΔIT(DO) 电压降低时电流 源阶跃步长 RIREF=100KΩ 2 uA Apple 2.4A 充电模式 VDAT(2.7V) D+/D-数据线电压 2.57 2.7 2.84 V RDAT(2.7V) D+/D-数据线输出 阻抗 15 KΩ FCP 充电模式 VTX-VOH D- FCP TX Valid High 2.7 V VTX-VOL D- FCP TX Valid Low 0.3 V VRX-VIH D- FCP RX Valid High 1.2 V VRX-VIL D- FCP RX Valid High 0.9 V Trise FCP Pulse Rise Time 10% - 90% 2.5 us Tfall FCP Pulse Fall Time 90% - 10% 2.5 us 8 功能描述

8.1 PDO 广播

XPD636 可通过 PSEL 对地连接一个电阻来实现PDO 的选择，阻值与PDO 关系如下表： 18W（0） 24W（8-16k） 30W（26-40k） 36W（62-92k） Floating 5V 3A 3A 3A 3A 默认 9V 2A 2.5A 3A 3A 默认 12V 1.5A 2A 2.5A 3A 默认 PSEL 悬空的时候广播内部默认 PDO。

9 PCB Layout 注意事项

1．10mohm 采样电阻的走线采用开尔文连接方式，注意芯片管脚GND 与该电阻的连接时应 先连接到电阻末端然后再与整个PCB 的GND 网络连在一起，走线尽量粗而短。 2．尽量避免FBO 连线受到干扰

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