DATASHEET SEARCH SITE | WWW.ALLDATASHEET.COM

Document overview

  • Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
  • PDF pages: 2

Technical content

Features

Extremely low reverse recovery time Low forward voltage drop High power dissipation Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Extrem niedrige Sperrverzugszeit Niedrige Fluss-Spannung Hohe Leistungsfähigkeit Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Packed in tubes/cardboards On request: on 13” reel 800 Verpackt in Stangen/Kartons Auf Anfrage: uf 13” Rolle Weight approx. 1.6 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 245°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] UGB8AT 50 50 UGB8BT 100 100 UGB8DT 200 200 UGB8GT 400 400 UGB8JT 600 600 Max. average forward rectified current Dauergrenzstrom in Einwegschaltung TC = 100°C 3) IFAV 8 A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz TC = 100°C 3) IFRM 22 A Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle

50 Hz (10 ms)

60 Hz (8.3 ms) IFSM 112 A 125 A Rating for fusing Grenzlastintegral t < 10 ms i2t 62 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+175°C

1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book

Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches

2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben

3 Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne

© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Pb ELV W EEE RoHS 0.4 4.5 0.2± 1.2 5.08 0.8 1.3 Type Typ 1 2 3 K 10.25 ±0.5

UGB8AT ... UGB8JT Characteristics Kennwerte Type Typ Forward voltage Durchlass-Spannung Forward voltage Durchlass-Spannung Reverse recovery time Sperrverzugszeit Tj = 25°C VF [V] @ IF [A] VF [V] @ IF [A] trr [ns] 1) trr [ns] 2) UGB8GT < 1.15 5 < 1.25 8 < 35 < 45 UGB8JT < 1.60 5 < 1.75 8 < 35 < 45 Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 5 µA Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapazität VR = 4 V Cj 50 pF Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 2.5 K/W 3) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A 2 IF = 1.0 A, di/dt = -50 A/µs, VR = 30 V 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T = 25°Cj T = 125°Cj 200a-(5a-0.95v) Rated forward current vs. temp. of the case in Abh. v. d. GehäusetemperaturZul. Richtstrom 120 100 IFAV [%] [°C]TC 150100500