TSK2520D2 DIOTEC | Alldatasheet

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Protectifiers® – LowVF-Rectifier with Overvoltage protection Protectifiers® – LowVF-Gleichrichter mit Überspannungs-Schutz Version 2009-05-08 Dimensions - Maße [mm] Nominal Current Nennstrom 25 A Stand-off voltage Sperrspannung 20 V Plastic case Kunststoffgehäuse TO-263AB (D²PAK) Weight approx. Gewicht ca. 1.8 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen Low forward losses, high reverse pulse power capability Niedrige Durchlass-Verluste, hohe Rückwärts-Pulsbelastbarkeit Maximum ratings and Charactistics (TJ = 25°C) Grenz- und Kennwerte (TJ = 25°C) Type Typ Stand-off voltage Sperrspannung Max. rev. current Max. Sperrstrom at/bei VWM Breakdown voltage Abbruch-Spannung Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) VWM [V] ID [µA] VBR min [V] IT [mA] IF = 5A IF = 25A TSK2520D2 20 200 22 5 < 0.45 < 0.55 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TC = 100°C IFAV 25 A 1) Total steady state power dissipation Gesamtverlustleistung im Dauerbetrieb TC = 100°C Ptot 25 W Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 60 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 300/340 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 450 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur ... in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj Tj TS -50...+150°C ≤ 200°C -50...+175°C

1 Both anode pins need to be connected – Beide Anodenanschlüsse müssen kontaktiert werden

© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 0.4 4.5 0.2± 0.4 5.08 0.8 1.3 10.25 -0.1 Type Typ

Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VWM VR = VWM IR IR < 200 µA < 15 mA ESD rating according to JESD22-A114 / contact discharge ESD-Festigkeit gemäß JESD22-A114 / Kontaktentladung C = 100pF R = 1.5kΩ 20 kV 1) Max. reverse peak pulse current 10/1000µs pulse 2) Max. Impuls-Strom in Sperr-Richtung TA = 25°C IPPM 18 A 1) Max. reverse peak pulse current 8/20µs pulse 3) Max. Impuls-Strom in Sperr-Richtung TA = 25°C IPPM 400 A 1) Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 1.5 K/W

2 See curve IPP = f (t) 10/1000µs – Siehe Kurve IPP = f (t) 10/1000µs

3 See curve IPP = f (t) 8/20µs – Siehe Kurve IPP = f (t) 8/20µs

4 Comparable to a Schottky diode – Vergleichbar einer Schottky-Diode

2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 120 100 [%] IFAV Rated forward current vs. temp. of the case [°C]TC 150100500 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) [A] IF 0 VF 0.4 0.6 [V] 1.0

© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3 10/1000µs - pulse waveform 10/1000µs - Impulsform IPP PPP 100 0 t 1 2 3 4[ms] [%] tP I /2PPM P /2PPM t = 10 µsr 8/20µs - pulse waveform 8/20µs - Impulsform IPP PPP 100 0 t 20 40 60 [µs] [%] tP I /2PPM P /2PPM t = 8 µsr