TP9920 TPOWER | Alldatasheet
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LED 驱动控制 IC V1.3 Shen Zhen TPOWER Semiconductor 1 概述 TP9920 是一款固定 off-time 控制模式的降压型 LED 恒流驱动 IC,用于高效地驱动一颗或者多颗 串联 LED。输出电流外部可调。IC 内部集成温度 保护电路,将 IC 与外部 MOS 靠近可以监测外部 MOS的温度。 TP9920的工作频率可高达 2MHz,可以减小外部电 感和电容的体积。EN端可以接受PWM信号进行PWM 调光。 特点 过温保护可监测外部 MOS 和灯的温度 宽输入电压范围: 2.5V ~100V 工作频率 30KHz~2MHz EN 引脚进行 PWM 调光 效率可达 95% 封装形式: SOT23-6L 应用 12V/24V 汽车 LED 灯杯 低压工业 LED 照明 LED 装饰照明 交通警示 LED 灯 平板显示 LED 背光 强光手电筒 典型应用电路
LED 驱动控制 IC V1.3 Shen Zhen TPOWER Semiconductor 2 管脚 管脚描述 管脚号 管脚名称 描述
1 DRV 功率管栅极驱动信号
2 GND IC 地
3 EN IC 使能端和 PWM 调光输入端
4 VDD 电源输入端,必须紧挨引脚接旁路电容到地
5 TOFF 可接电容到地调节 off-time
6 CS 电流采样端
极限参数(注 1) 参数 额定值 单位 VDD 电压 -0.3~+5 V 所有引脚电压 -0.3~+7 V 储存环境温度 -50~+150 ℃ 工作结温范围 -40~150 ℃ HBM 2000 V MM 200 V 注 1:最大极限值是指超出该工作范围芯片可能会损坏。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保 证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电气参数规范。对于未给定的上下限参数,该规范不予保 证其精度,但其典型值合理反映了器件性能。
LED 驱动控制 IC V1.3 Shen Zhen TPOWER Semiconductor 3 电气参数 无特殊说明, VIN=12V,Ta=25℃ 符号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 输入电压 VDD 输入电压 2.5 5 V VUVLO 欠压保护 VDD 上升 2.5 V VUVLO,HYS 欠压保护滞回 VDD 下降 2.2 V ISD 静态工作电流 负载断开,VEN=VDD 130 uA VCS CS 采样电压 240 250 260 mV FSW 工作频率 0.25 2 MHz VEN_H EN 输入高电平 1.3 V VEN_L EN 输入低电平 0.3 V TOFF 固定关断时间 TOFF悬空 700 nS TSD 过温保护 110 ℃ TSD_HYS 过温保护滞回 20 ℃ 工作原理 TP9920采用峰值电流检测和固定关断时间的控制方式。 电路工作在开关管导通和关断两种状态: 导通状态: MOS开关处于导通状态,输入电压VIN通过电感L1、LEDs、MOS开关、电流检测电阻R2 向电感充电,电感L的电流随充电时间增加而增加,当电感电流达到250mV/R2时,TP9920的DRV输 出低电平关断MOS开关。 关断状态: MOS开关处于关断状态,电感通过由LEDs,二极管D1及电感 L1本身组成的环路对LEDs 放电,MOS开关在关断一个固定的时间Toff后,TP9920的DRV输出高电平,MOS开关重新回到导通状 态。TP9920按照上述原理重复导通与关端过程达到LED恒流控制的目的。 TOFF 设定 TP9920内部将固定关断时间设定为: Toff=700nS. 如果需要增大Toff时间,可以在TOFF于GND之间接电容CTOFF实现, Toff时间与电容CTOFF关系为: Toff=70000*(10pF+CTOFF) 峰值电流 LEDs的峰值电流由CS电阻RCS设定为:IPK=250mV/RCS VDD 供电电阻选择 如果输入电压大于 5V,则需要在输入电压与 IC的 VDD引脚之间加供电电阻,供电电阻的大小与 VDD所加稳压管电压和 MOS 管栅极电容有关,若不考虑上述关系,电阻值选择大概可以参考下表(实际应用可以在此基础上微调):更高输入电压时 建议使用三极管供电。 输入电压 VIN 5V 6V 8V 12V 24V 30V 供电电阻 R1阻值 (欧姆) 无需供电电阻 和 VDD电容 C2 200 470 1K 2K 3K
LED 驱动控制 IC V1.3 Shen Zhen TPOWER Semiconductor 4 封装形式 SOT-23-6L