TP83

TP83 YONGFUKANG | Alldatasheet

Document overview

• Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
• PDF pages: 10

Technical content

（TP83 升压系列） http://www.szczkjgs.com TEL:0755-82863877 13242913995 E-MAIL:panxia168@126.com

DC/DC升压变换芯片 —TP83 系列 一、 概述 TP83 系列芯片是采用CMOS 工艺制造的静态电流极低的VFM 开关型DC/DC 升压转换器。 该芯片由振荡器、VFM 模式控制电路、Lx 开关驱动晶体管、基准电压单元、误差比较放大器、电压 采样电阻及VLX 限幅电路等组成。 TP83 系列升压转换器采用变频的方式，因此较国内外同类产品具有更低的纹波、更强的驱动能力、 效率高等特点，应用时外围只需接三个元件(电感、电容及二极管各一个)。 输入电压最低0.8V,并且可以根据要求调整输出电压3V—6V 可选。 二、 芯片特性及主要参数 该设计产品 TP83 系列 DC/DC 升压转换器芯片在应用中具有优越的性能： 1. 外接元件少： 需肖特基管、电感及电容各一个；外接元件建议选择: 低直流电阻电感20～220μH，钽电容47～ 200μF，肖特基二极管。 2. 极低的静态电流： 4uA 3. 低噪声及低纹波： 纹波典型值为100mV 4. 驱动能力强： Vtyp=3.3V, Vin=1.0V 时，Iout=100mA Vtyp=3.3V, Vin=3.0V 时，Iout=750mA 5. 启动工作电压低：最大 0.8V 6. 高效率： 85%(Typ) 7. 封装体积小： SOT89，SOT23（窄体） 三、 应用范围 TP83 系列芯片适用于要求大驱动能力、低静态电流、低电磁辐射的电池供电设备： 1、电池供电设备的电源部分。 2、玩具、照相机、摄像机、PDA 及手持电话等便携式设备的电源部分。 3、要求提供电压比电池所能提供电压高的设备的电源部分。 四、 命名规则 内置MOS 管命名： 外置MOS 管命名：

五、 芯片模型及引脚介绍 本设计芯片封装样式如下图，其引脚说明亦如下表所示 引脚说明： Vss:接地引脚 Lx:开关引脚(或Ext 外置Tr) OUT:升压输出引脚 封装 PIN1 PIN2 PIN3 SOT89 Vss OUT Lx（Ext） SOT23（窄体，见封装 结构尺寸） Vss Lx（Ext） OUT 六、 极限参数 对地输入电压VIN 10V 输出电流Iout 800mA 功耗Pd SOT-23 0.25W SOT-89 0.50 工作温度TA -40℃～145℃ 导线焊接温度（10 秒） 260℃ 七、 工作原理 利用电感对能量的存储，并通过其与输入端电源共同的泄放作用，从而获得高于输入电压的输出电压。 如图：

八、 电性能参数 其主要参数测试如下表： 测试条件：VIN=2.2V，Vss=0V，Iload=10mA，Topt= 25℃，Cout=100 µF(胆电容或使用100uF 电解电容和 0.1uF-1uF 陶瓷电容并联)，L= 47 µH（内阻0.1 欧姆）。有特别说明除外。 TP8330（电路见图一）： 参数 符号 测试状态 最小值 典型值 最大值 单位 输出电压 Vout 2.925 3.000 3.075 V 开启电压 Vstart IL=1mA VIN：0→0.98V 0.5 0.8 0.9 V 保持电压 Vhold IL=1mA VIN：0.98→0V 0.3 0.5 0.6 V 无负载输入电流 IIN1 VIN=2.2V 空载 6 10 25 µA 静态输入电流 IIN2 2 4 8 µA 开关管导通电流 ILX VLX=0.4V 450 mA 开关管漏电流 ILxleak VLX=6V 1 µA 振荡频率 FOSC 150 200 250 kHz 占空比 Dty 80 % 效率 η 85 % TP8333： 参数 符号 测试状态 最小值 典型值 最大值 单位 输出电压 Vout 3.217 3.300 3.383 V 开启电压 Vstart IL=1mA VIN：0→0.98V 0.5 0.8 0.9 V 保持电压 Vhold IL=1mA VIN：0.98→0V 0.3 0.5 0.6 V 无负载输入电流 IIN1 VIN=2.2V 空载 8 10 25 µA 静态输入电流 IIN2 2 4 8 µA 开关管导通电流 ILX VLX=0.4V 450 mA 开关管漏电流 ILxleak VLX=6V 1 µA 振荡频率 FOSC 150 200 250 kHz 占空比 Dty 80 % 效率 η 85 %

TP8350： 参数 符号 测试状态 最小值 典型值 最大值 单位 输出电压 Vout 4.875 5.000 5.125 V 开启电压 Vstart IL=1mA VIN：0→0.98V 0.5 0.8 0.9 V 保持电压 Vhold IL=1mA VIN：0.98→0V 0.5 0.6 V 无负载输入电流 IIN1 VIN=2.2V 空载 8 15 25 µA 静态输入电流 IIN2 2 4 8 µA 开关管导通电流 ILX VLX=0.4V 570 mA 开关管漏电流 ILxleak VLX=6V 1 µA 振荡频率 FOSC 150 200 250 kHz 占空比 Dty 80 % 效率 η 85 % TP8356X（电路见图二）： 参数 符号 测试状态 最小值 典型值 最大值 单位 输出电压 Vout 5.460 5.600 5.740 V 无负载输入电流 IIN1 VIN=2.2V 空载 8 15 25 µA 静态输入电流 IIN2 1 4 8 µA IEXT N VDS=0.4V 22 mA CMOS 驱动输出管 导通电流 IEXT P VDS=-0.4V 20 mA 振荡频率 FOSC 150 200 250 kHz 占空比 Dty 80 % 工作特性曲线如下： 测试条件：L=47uH(内阻0.1 欧姆) Cout=100uF(胆电容或使用100uF 电解电容和0.1uF-1uF 陶瓷电容并联)

九、 TP83 系列升压芯片应用实例 典型应用电路： L=47uH（内阻0.1ohm）、Cout=100uF 电解电容并接0.1uF 陶瓷电容、Diode 为肖特基二极管 TP8330 典型应用电路（TP8350、TP8356 电路见附件）： （测试输入电流时，输入电容Cin=47uF 必须接入） 图一：TP8330 典型应用电路 TP8356X 典型应用电路（外置NMOS 管为低阈值开启电压，例GE2300）： 图二：TP8356X 典型应用电路

升压/降压电路: 降压电路 注:以上电路中的启动电路 十、 使用注意事项 外围电路对TP83 系列升压转换芯片性能影响很大，需合理选择外部器件： 1) 外接电容值不宜小于47μF（电容值过小将导致输出纹波过大），同时要有良好的频率特性（最好 使用钽电容或高频电容）。此外，由于LX 开关驱动晶体管关断时会产生一尖峰电压，电容的容压值至少 为设计输出电压的3 倍；（普通的铝电解电容ESR 值过高,所以可选购专门应用于开关式DC/DC 转换器的 铝电解电容）。 2) 外接电感值要足够小以便即使在最低输入电压和最短的 LX 开关时间内能够存储足够的能量，同 时，电感值又要足够大从而防止在最高输入电压和最长的LX 开关时间时ILXMAX 超出最大额定值。此外， 外接电感的直流阻抗要小、容流值要高且工作时不至于达到磁饱和。 3) 外接二极管宜选择具有较高切换速度的肖特基二极管。 4) 客户若驱动大电流负载（大于150mA），而纹波要求不高，则可以减小电感（22uH 左右）； 客户若驱动小电流负载(小于50mA)并想得到低纹波的输出电压，则可增大电感值

注意事项： 1)该芯片为驱动大负载而设计，所以外围元器件与芯片距离越小越好，连线越短越好。特别是接到OUT 端的元器件应尽量减短与电容的连线长度； 2）特别建议使用钽电容；如果在芯片OUT 和Vss 两端并接电解电容时需要并接0.1-1µ的陶瓷电容。 3)Vss 端应充分接地，否则芯片内部的零电位会随开关电流而变化，造成工作状态不稳定。 十一、封装结构尺寸图示

SOT-23（窄体）

附件： 内置MOS 管TP8350、TP8356 驱动大电流高效率方案 输入电源为锂电池（3.2v≤Vin≤4.2v） 1．驱动负载150mA≤Io≤500mA （1）TP8350 典型应用电路 锂电池输入条件下TP8350 驱动大负载电路 建议各器件参数 L=47uH（内阻<0.1ohm），Cin=47uF（实际应用中可不接该电容）， Diode=1N5817\\1N5818\\1N5819， Cout 为20uF 电解电容（或20uF 胆电容串联0.5 欧姆电阻）和0.1uF 陶瓷电容并联。 驱动400mA 负载下，效率高于80% （2）TP8356 典型应用电路 锂电池输入条件下TP8350 驱动大负载电路 建议各器件参数 L=100uH（内阻<0.1ohm），Cin=47uF（实际应用中可不接该电容）， Diode=1N5817\\1N5818\\1N5819， Cout 为20uF 电容（不分电解电容、胆电容）串联0.5 欧姆电阻和0.1uF 陶瓷电容并联。 驱动400mA 负载下，效率高于80% 2． 驱动负载Io<150mA 时 TP8350、TP8356 外围器件参数参照TP83 规格书中典型应用电路的参数。 注意：TP8350、TP8356 应用中陶瓷电容0.1uF~1uF 必须接上，并且靠近芯片输出端。