TP5188 TPOWER | Alldatasheet
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同步整流升压 IC Ver1.0 Shenzhen TPOWER Semiconductor 1 深圳市天源中芯半导体有限公司 1 概述 TP5188 是一款同步升压芯片,主要应用于电池供电的便携 式设备,内部集成了功率MOS,外部应用电路非常简单。 TP5188 内置输出短路保护,输出短路后IC 将电池与输出 切断,等待120mS 后重新侦测输出状态,如果输出短路状 态解除,则芯片自动回复正常工作,如果短路状态仍然存 在,则会每隔120mS 检测一次直到输出短路状态解除。 TP5188 为PWM 工作模式,工作频率为550KHz,5V 输 出时最大输出电流为2.1A,当输出轻载时TP5188 工作在 打嗝模式以减小电池损耗。 特点 放电电流:最大2.1A(VOUT=5V) 输入电压:2.8V~5V 效率91% (输入3.7V,输出5V/2A) 同步整流,无需整流二极管 集成输出短路保护 集成输出重载保护 集成过温保护 EN=0 时待机电流小于1uA 封装形式:ESOP8 应用 移动电源 USB 充电应用 便携式设备电源 典型应用电路
同步整流升压 IC Ver1.0 Shenzhen TPOWER Semiconductor 2 深圳市天源中芯半导体有限公司 2 管脚 管脚描述 管脚号 管脚名称 描述
1 SW 升压与整流端
2 SW 升压与整流端
3 BAT 电池正极
4 EN 使能控制端,默认为低电平,工作需接高电平
5 GND 模拟地
6 FB 输出电压设定端
7 VOUT 输出电压正极
8 VOUT 输出电压正极
PAD PGND 功率地,此散热片须与PCB 有良好焊接 极限参数(注 1) 参数 额定值 单位 PGND to GND 电压 -0.3~+0.3 V 其它引脚电压 -0.3~+7 V 放电电流 2.4 A 储存环境温度 -50~+150 ℃ 工作结温范围 -40~150 ℃ HBM 2000 V MM 200 V 注1:最大极限值是指超出该工作范围芯片可能会损坏。推荐工作范围是指在该范围内芯片工作正常,但不完全保证满足 个别性能指标。 电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电气参数规范。 对 于未给定的上下限参数,该规范不予保证其精度,但其典型值合理反映了器件性能。
同步整流升压 IC Ver1.0 Shenzhen TPOWER Semiconductor 3 深圳市天源中芯半导体有限公司 3 电气参数 无特殊说明, VBAT=3.7V,VOUT=5V,Ta=25℃ 符号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 VBAT 输入电压 2.8 5 V UVLO_ON VBAT 上升 2.8 V UVLO_OFF VBAT 下降 2.4 V IQC 静态工作电流 VBAT=3.7V,VFB=3.7V 180 250 uA ISD 关断电流 VBAT=3.7V,VEN=0V 0.1 1 uA VFB FB 反馈电压 0.985 1 1.015 V FOSC 工作频率 450 550 650 KHz TSD 过温保护阈值 温度上升 140 ℃ THYS 过温保护滞回 30 ℃ RON_NMOS NMOS 导通电阻 40 mΩ RON_PMOS PMOS 导通电阻 40 mΩ ILIM 输入峰值电流限定值 4 A ISW_LK SW 漏电流 VSW=5V,RFB 断开 0.1 1 uA IVOUT_LK VOUT 漏电流 VOUT=5V,RFB 断开 0.1 1 uA VEN_H EN 逻辑高电平 1.5 5 V VEN_L EN 逻辑低电平 0 0.5 V REN EN 下拉电阻阻值 250 KΩ 应用说明 工作模式 TP5188 工作在PWM 模式, 工作频率为550KHz,当输出 轻载时,为降低电池损耗,IC 工作在打嗝模式。 最大输出电流 TP5188 输入限流值为4A,当输入电压为3V,输出电压 5V 时,最大输出电流为2A。 输出电压设定 输出电压可以通过FB 的分压电阻设定, 如典型应用中的 R1、R2,FB 的反馈电压为1V,输出电压设定关系如下 )21( R RRVOUT 建议R1=75K 输出短路保护 TP5188 内置输出短路保护,输出短路后IC 将电池与输 出切断,等待120mS 后重新侦测输出状态,如果输出短 路状态解除,则芯片自动回复正常工作,如果短路状态 仍然存在,则会每隔120mS 检测一次直到输出短路状态 解除。 过温保护 工作时如果芯片温度升高到140℃,则芯片停止工作,等 到温度降低到110℃后再自动恢复工作。 元件选择 1、输出电容 C2 选择质量较好的低 ESR 的贴片电容,否 则会影响输出纹波; 2、输入电容C1 选择贴片电容; 3、电感L1 的饱和电流需大于4A,否则因电感饱和可能 会导致芯片工作不正常; PCB 设计参考 1、IC 下面敷铜散热,散热面积尽量大且散热的地方留一 些通孔增强散热以及方便贴片; 2、输入电容需靠近IC; 3、芯片底部散热焊盘同时也是芯片的GND,需与PCB 有良好焊接。
同步整流升压 IC Ver1.0 Shenzhen TPOWER Semiconductor 4 深圳市天源中芯半导体有限公司 4 封装外形尺寸 ESOP8L 注明:本公司对本文档有修改的权利,本公司对本文档的修改恕不另行通知。