TC8P53

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深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC8P53 (文件编号：S&CIC1051) 8 位 OTP ROM 微控制器 第 1 页 共 29 页 1. 概括描述 TC8P53 是采用低功耗高速CMOS 工艺设计开发的8 位微控制器。其内部有1024*13 位一次性可编 程只读存储器 (OTP-ROM)。它提供一个保护用于防止用户在 OTP-ROM 中的程序被盗取；拥有 15 个 代码选项位以满足用户定制代码功能的需要。 利用其OTP-ROM 特性，TC8P53 可以使用户方便的开发和校验程序. 2. 产品特性  CPU 配置  1K×13 位片内ROM  32×8 位片内寄存器（SRAM，通用寄存器）  5 级堆栈用于子程序嵌套  小于 1.5mA @5V/4MHz  典型值为15uA,@3V/32KHz  休眠模式下的典型值为1uA  I/O 端口配置  1 组双向I/O 端口：P6  6 个 I/O 引脚  唤醒端口：P6  3 个可编程下拉I/O 引脚  5 个可编程上拉I/O 引脚  5 个可编程漏极开路I/O 引脚  外部中断：P60  工作电压范围：  OPT 版本： 工作电压范围：2.3V~5.5V  工作频率范围(基于2 个时钟周期)：  晶体模式： DC~20MHz/2clks@5V;DC~100ns inst. cycle@5V DC~8MHz/2clks@3V;DC~250ns inst. cycle@3V DC~4MHz/2clks@2.3V;DC~500ns inst. cycle@2.3V HXT 系统频率与LXT 系统频率的临界点为400KHz.  ERC 模式： DC~4MHz/2clks@5V;DC~500ns inst. cycle@5V DC~4MHz/2clks@3V;DC~500ns inst. cycle@3V DC~4MHz/2clks@2.3V;DC~500ns inst. cycle@2.3V  IRC 模式： 振荡模式：4MHZ, 8MHZ,1MHZ,455KHZ 制程漂移：TYP± 5.5%~± 6%

深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC8P53 (文件编号：S&CIC1051) 8 位 OTP ROM 微控制器 第 2 页 共 29 页  外设配置  8 位实时时钟/计数器（TCC） ，可编程选择其信号源、触发边沿，溢出产生中断  三种中断源：  TCC 溢出中断  输入端口状态改变中断（可使微控制器从休眠模式唤醒）  外部中断  专有特性  自由运行的可编程看门狗定时器  省电模式（休眠模式）  可选振荡模式  其它  可编程振荡器启动时间的预分频比  具备一个保护寄存器以防止PTO ROM 中的程序代码被窃取  具备一个配置寄存器以满足用户的需求  一个指令周期包含两个时钟周期  封装类型：  DIP-8、SOP-8 3. 引脚分配 1 2 3 4 5 6 A B C D 654321 D C B A Titl e Nu mber Rev isionSize B Date: 27-Dec-2012 Sheet o f File: E:\\E盘\\规 格 书\\规 格 图\\规 格 图-0\\ZB O\\TC 8P53.ddbDrawn B y: 4 5 8VDD VSS P60 P61 P62P63 P64 P65 4 5 8VDD VSS P60 P61 P62P63 P64 P65 DIP-8 SOP-8

深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC8P53 (文件编号：S&CIC1051) 8 位 OTP ROM 微控制器 第 3 页 共 29 页 4.引脚描述 表 1 TC8P53 引脚描述 符号 I/O 类型 功能 P65/OSCI I/O *通用 I/O 引脚 *外部时钟信号输入 *XT 振荡器输入引脚 *上拉/漏极开路 *引脚状态变化将单片机从休眠模式唤醒 P64/OSCO I/O *通用 I/O 引脚 *外部时钟信号输入 *XT 振荡器输入引脚 *上拉/漏极开路 *引脚状态变化将单片机从休眠模式唤醒 P63//RESET/Vpp I *置为/RESET 时低点平引起复位 *编程电压输入引脚 *引脚状态变化将单片机从休眠模式唤醒 *正常模式下电压不得高于Vdd *置为/RESET 时有上拉 P62/TCC I/O *通用 I/O 引脚 *上拉/下拉/漏极开路 *引脚状态变化将单片机从休眠模式唤醒 *外部时钟/计数器信号输入引脚 P61 I/O *通用 I/O 引脚 *上拉/下拉/漏极开路 *引脚状态变化将单片机从休眠模式唤醒 *编程模式下斯密特触发输入 P60/INT I/O *通用 I/O 引脚 *上拉/下拉/漏极开路 *引脚状态变化将单片机从休眠模式唤醒 *编程模式下施密特触发输入 *下降沿触发的外部中断输入引脚 VDD - 电源正极 VSS - *电源地

深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC8P53 (文件编号：S&CIC1051) 8 位 OTP ROM 微控制器 第 4 页 共 29 页 5. 功能描述 5.1.操作寄存器

5.1.1 RO（简介寻址寄存器）

RO 并非实际存在的寄存器。它的主要功能是作为间接寻址指针。任何以 RO 为指针的指令，实际 上是对RAM 选择寄存器R4 所指向地址的数据内容进行操作。

5.1.2 R1（定时/计数器）

 TCC 引脚上的外部信号边沿或内部指令周期时钟触发（由 CONT 寄存器的 TE 位设定） ，会使 TCC 寄存器加1.  像其他寄存器一样可读/写。  通过复位PAB 位（CONT-3）设定。  如果PAB bit （CONT-3）被复位，预分频器分配给TCC.  写入一个值到TCC 寄存器后，TCC 计数器的内容会被刷新。

5.1.3 R2（程序计数器 PC）和堆栈

 根据具体的器件类型，R2 和硬件堆栈为10 位宽。图3 描绘了相关结构图。  生成1024×13 位程序指令代码的片内OTP ROM 地址。一个程序页为1024 字长。  "JMP" 指令直接加载程序计数器的低10 位。因此，"JMP" 允许PC 跳转到一个程序页的任何位置。  "CALL" 指令首先加载PC 的低10 位，然后将PC+1 推入堆栈。因此，子程序的入口地址可位于一个 程序页的任何位置。  "ADD R2,A" 允许将 A 存器的值加到当前 PC，PC 的第9 和第10 位清0。  "MOV R2,A" 允许从A 寄存器中加载一个地址值到PC 的低8 位，PC 的第9 和第10 位保持不变。  任何向R2 写入的指令 (例如. "ADD R2,A", "MOV R2,A", "BC R2,6", 等) 将会使PC 的第九和第十位

深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC8P53 (文件编号：S&CIC1051) 8 位 OTP ROM 微控制器 第 5 页 共 29 页 (A8~A9)清零。因此，经计算后的跳转位置只能位于一个程序存储器页的头256 地址空间中。  所有指令均是单指令周期指令(fclk/2 或 fclk/4)，但会改变R2 寄存器内容的指令除外， 这些指令的执行需要一个或多个指令周期。 1 2 3 4 5 6 A B C D 654321 D C B A Title Num ber Rev isionSize B Date : 21-M ar-201 2 Shee t of File: C:\\Doc uments and Settings\\Adm inistrator\\ 桌面\\新建文件夹 (2)\\78P153.ddbDra wn By : PC ( A9~A0 ) 堆栈级1 堆栈级2 堆栈级3 堆栈级4 堆栈级5 用户程序存储空间 3FFH 000H 008H 片内程序存储器 复 位向 量 中 断向 量 图5-2 程序计数器结构图 地址 R PAGE 寄存器 IOC PAGE 寄存器

00 R0 （简洁寻址寄存器） 保留

01 R1 （定时/计数器） CONT (控制寄存器)

02 R2 （程序计数器） 保留

03 R3 （状态寄存器） 保留

04 R4 （RAM 选择寄存器） 保留

05 R5 (Port5)保留 IOC5 (I/O 端口控制寄存器)

06 R6 (Port6) IOC6 (I/O 端口控制寄存器)

07 保留 保留 08 保留 保留 09 保留 保留 0A 保留 保留 0B 保留 IOCB （下拉控制寄存器） 0C 保留 IOCC (漏极开路控制寄存器) 0D 保留 IOCD （上拉控制寄存器） 0E 保留 IOCE （看门狗定时器控制寄存器） 0F RF （中断转台寄存器） IOCF （中断屏蔽寄存器） 通用寄存器 图5-3 数据存储器配置

5.1.4 R3（状态寄存器）

深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC8P53 (文件编号：S&CIC1051) 8 位 OTP ROM 微控制器 第 6 页 共 29 页 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 RST GP1 GPO T P Z DC C  Bit 7（RST）:复位类型位 0: 代表其它复位类型引发唤醒复位方式 1: 代表引脚状态改变引发控制器从休眠模式唤醒方式  Bit 4（T）: 时间溢出标志位，执行SLEP 或WDTC 指令或上电后置1，WDT 溢出是清0.  Bit 2 (Z): 零标志位。当算术或逻辑运算的结果为 0 时置“1”。  Bit 1 (DC): 辅助进位标志位  Bit 0 (C): 进位标志位 5.1.5. R4(RAM 选择寄存器)  Bits 7 ~ 6: 为通用读/写位 见图 4 数据存储器配置  Bits 5 ~ 0: 在间接寻址模式下，用于选择寄存器(地址:10F~2F) 参见图4 所示数据存储器结构。

5.1.6 R6 (Port 6)

R6 为 I/O 寄存器 P63 仅用作输入引脚

5.1.7 RF（中断状态寄存器）

Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 - - - - - EXIF ICIF TCIF  Bits 7 ~ 3: 未用  Bit 2 (EXIF): 外部中断标志位。由/INT 引脚信号的下降沿触发置1，由软件清零  Bit 1 (ICIF): Port 6 输入状态改变中断标志位。 Port 6 输入状态改变时触发置1，由软件清零  Bit 0 (TCIF): TCC 溢出中断标志位。TCC 溢出时置1，由软件清零  RF 寄存器可由指令清零，但不由指令置 1  IOCF 寄存器为中断屏蔽寄存器 注意：从 RF 寄存器中的读取值为 RF 值和 IOCF 值的“逻辑与”的结果。

5.1.8 R10~R2F 通用寄存器

5.2. 特殊功能寄存器

5.2.1 A（累加器）用于内部数据传输，或指令操作数保持。不可寻址。

5.2.2 CONT（控制寄存器）

Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 - /INT TS TE PAB PSR2 PSR1 PSR0

深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC8P53 (文件编号：S&CIC1051) 8 位 OTP ROM 微控制器 第 7 页 共 29 页  Bit 7: 未使用。  Bit 6 (INT): 中断使能标志位. 0: 被 DISI 或硬件中断屏蔽 1: 被ENI/RETI 指令使能  Bit 5 (TS): TCC 信号源选择位 0: 内部指令周期时钟，P62 为双向I/O 引脚。1: TCC 引脚的跳变信号  Bit 4 (TE): TCC 信号边沿选择位 0: TCC 引脚信号由低变到高时TCC 计数器加1 1: TCC 引脚信号由高 变到 低时 TCC 计数器加1  Bit 3 (PAB): 预分频器分配位 0: TCC 1: WDT  Bit 2 (PSR2) ~ 0 (PSR0): TCC/WDT 预分频比选择位 PSR2 PSR1 PSR0 TCC RATE WDT RATE 0 0 0 1: 2 1: 1 0 0 1 1: 4 1: 2 0 1 0 1: 8 1: 4 0 1 1 1: 16 1: 8 1 0 0 1: 32 1: 16 1 0 1 1: 64 1: 32 1 1 0 1: 128 1: 64 1 1 1 1: 256 1: 128  CONT 寄存器可读写

5.2.3 IOC6 (I/O 控制寄存器)

 IOC6 均为可读/写寄存器。

5.2.4 IOCB（下拉控制寄存器）

Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0  Bit 7: 未使用。 0: 使能内部下拉功能 1: 禁止内部下拉功能  Bit 6 (/PD6): P62 引脚下拉功能使能控制位  Bit 5 (/PD5): P61 引脚下拉功能使能控制位  Bit 4 (/PD4): P60 引脚下拉功能使能控制位  Bit 3: 未使用  Bit 2 : 未使用  Bit 1: 未使用  Bit 0: 未使用  IOCB 为可读/写寄存器。

5.2.5 IOCC (漏极开路控制寄存器)

Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 -- -- OD5 OD4 - OD2 OD1 OD0  Bit 7 : 未使用. 0: 禁止漏极开路输出 1: 使能漏极开路输出  Bit 6 : 未使用  Bit 5 (OD5): P65 引脚漏极开路功能使能控制位  Bit 4 (OD4): P64 引脚漏极开路功能使能控制位  Bit 3: 未使用。  Bit 2 (OD2): P62 引脚漏极开路功能使能控制位

深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC8P53 (文件编号：S&CIC1051) 8 位 OTP ROM 微控制器 第 8 页 共 29 页  Bit 1 (OD1): P61 引脚漏极开路功能使能控制位  Bit 0 (OD0): P60 引脚漏极开路功能使能控制位  IOCC 为可读/写寄存器。

5.2.6 IOCD ( 上拉控制寄存器)

Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 -- -- /PH5 /PH4 - /PH2 /PH1 /PH0  Bit 7: 未使用0: 使能内部上拉功能 1: 禁止内部上拉功能  Bit 6 : 未使用  Bit 5 (/PH5): P65 引脚上拉功能使能控制位  Bit 4 (/PH4): P64 引脚上拉功能使能控制位  Bit 3: 未使用。  Bit 2 (/PH2): P62 引脚上拉功能使能控制位  Bit 1 (/PH1): P61 引脚上拉功能使能控制位  Bit 0 (/PH0): P60 引脚上拉功能使能控制位  IOCD 为可读/写寄存器。

5.2.7 IOCE (WDT 控制寄存器)

Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 WDTE EIS - - - - - -  Bit 7 (WDTE): 看门狗定时器使能控制位 0: 禁止 WDT. 1: 使能 WDT. WDTE 为可读/写位。  Bit 6 (EIS): 定义P60(/INT)引脚功能的控制位。 0: P60， 双向I/O 引脚 1: /INT，外部中断输入引脚。在此情况下，P60 引脚的I/O 控制位(IOC6 的 bit 0)必须置为“1”。 当 EIS 位为“0”，/INT 通道被屏蔽。当EIS 为“1”，/INT 引脚状态也可通 过读Port 6 (R6)寄存器的方式来读取。参考图 7。  EIS 为可读/写位。  Bit 5 ~ 0: 未使用。

5.2.8 IOCF ( 中断屏蔽寄存器)

Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 - - - - - EXIE ICIE TCIE  Bit 7 ~ 3: 未使用。 各中断可通过设置 IOCF 寄存器的相应控制位为“1”使能。 全局中断可通过执行 ENI 指令使能，通过执行 DISI 指令禁止。参考图 9 。  Bit 2 (EXIE): EXIF 中断使能位. 0: 禁止EXIF 中断 1: 使能 EXIF 中断  Bit 1 (ICIE): ICIF 中断使能位 0: 禁止 ICIF 中断 1: 使能ICIF 中断  Bit 0 (TCIE): TCIF 中断使能位 0: 禁止 TCIF 中断 1: 使能TCIF 中断  IOCF 为可读/写寄存器。 5.3. TCC/WDT 预分频器 TCC 和WDT 共用一个由 8 位计数器构成的预分频器。 在某一时刻， 预分频器只能分配给WTD 和 TCC 两者之一。由 CONT 寄存器的 PAB 位设置预分频器的分配情况，PSR0~PSR2 设置预分 频比。在 TCC 模式下，每次向 TCC 寄存器写入值都会刷新 TCC 计数器。在 WDT 模式下，看门

深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC8P53 (文件编号：S&CIC1051) 8 位 OTP ROM 微控制器 第 9 页 共 29 页 狗定时器由“WDTC”指令清零。图 5-4 描绘了 TCC/WDT 的电路图。  R1 (TCC) 为 8 位定时器/计数器。TCC 时钟源可为内部时钟或外部时钟（由TCC 引脚输入，触发沿可 选择） 。如果是内部时钟，每个指令周期TCC 加1（无预分频器） 。由图5 可知，指令周期是2 个还是4 个时钟周期由代买选择寄存器CLKS 位决定。CLKS=0 则CLK=Fosc/2, CLKS= Fosc/4.如果是外部时钟， 则 TCC 由外部信号边沿触发。  WDT 是一个自由运行的片内 RC 振荡器。当振荡驱动器关闭后，WDT 依然运行，如在休眠模式下即如 此。WDT 溢出将引起复位（若WDT 使能） 。在正常工作下，WDT 可由软件设置IOCE 寄存器的WDTE 位来使能或禁止。在没有预分频情况下，WDT 溢出周期约为18ms. 5.4. I/O 端口 I/O 端口PORT6 均为双向三态I/O 口。P6 口除了P63 外都可由软件设置为内部上拉或漏极开路输出。P6 口 具有输入状态变化中断（或唤醒）功能。P60~P62 可由软件设置为下拉。除P63 外，各I/O 引脚可由I/O 控制寄 存器设置为输入或输出。I/O 寄存器和I/O 控制寄存器均可读写。I/O 接口电路如图6、7、8.

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深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC8P53 (文件编号：S&CIC1051) 8 位 OTP ROM 微控制器 第 12 页 共 29 页 表 1 Port 6 输入状态改变唤醒/中断功能的用法 Port6 输入状态改变唤醒/中断功能的用法 （Ⅰ）Port 6 输入状态改变触发唤醒 （Ⅱ）Port 6 输入状态改变中断 (a) 休眠前 1.读Port 6 1.禁止WDT 2.执行“ENI” 2.读 Port 6 3.使能中断（置1I OCF.1） 3.执行“ENI”或“DISI”指令 4.如果Port 6 输入状态改变（中断） 4.使能中断（置1LOCF.1） →中断向量（008H） 5.执行“SLEP”指令 (b)唤醒后 2.如果“DISI” →下一条指令 5.5. 复位与唤醒 5.5.1 复位与唤醒功能 复位可由下面情况引发： （1）上电复位 （2）/RESET 引脚输入为低 （3）WDT 溢出（若WDT 使能） 检测到复位状态后，器件将保持在周期为大约18ms2（振荡器起振时间周期）的复位状态下。。一旦发生复 位，以下操作将被执行，参考图 10.  振荡器运行或起振（休眠模式下） 。  程序计 (R2) 所有位都设置为“0”。  所有I/O 端口引脚被配置为输入模式(高阻态)。  看门狗定时器和预分频器清零。  上电后，R3 寄存器的高3 位清零。  CONT 寄存器中，除Bit 6 (INT 标志位)外，其它所有位都置为“1”。  IOCB 寄存器的所有位置为“1”。  IOCC 寄存器清零。  IOCD 寄存器的所有位置为“1”。  IOCE 寄存器的Bit 7 置“1”，Bit 4 和 Bit 6 清零。  RF 寄存器的 Bits 0~2 和 IOCF 寄存器的bits 0~2 清零。 执行 SLEP 指令可进入休眠模式（省电模式） 。进入休眠模式时，WDT（若使能）清0 但继续运行.微控制 器可被如下情况唤醒： A） /RESET 引脚的外部复位信号输入。 B） WDT 溢出（若使能） 。 C） PORT6 端口输入状态改变（若使能）。 前两种情况引起TC8P53 复位。R3 的T、P 标志可用于确定复位源。第3 种情况下唤醒后程序继续执行， 由中断状态来决定程序是否装入中断处理程序。如果在SLEP 指令执行前执行ENI 指令，程序将从地址0X08 处 执行中断处理。如果在执行SLEP 指令前执行DISI 指令，程序将从SLEP 指令后继续执行。

深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC8P53 (文件编号：S&CIC1051) 8 位 OTP ROM 微控制器 第 13 页 共 29 页 进入休眠状态前，B、C 两种情况只有一种可被使能。即 ⅰ. 如果休眠前PORT6输入唤醒使能， 则WDT 应由软件禁止 （代码选择寄存器中WDT 仍为使能） 。 因此，TC8P53 可被A、C 两种情况唤醒。 ⅱ. 如果WDT 使能，则PORT6 输入唤醒应禁止。因此，TC8P53 可被A、B 两种情况唤醒。 如果PORT6 输入编号中断呗用于唤醒单片机，则如下指令在SLEP 指令前执行： MOV A, @0BXX000110 ; 选择TCC 内部时钟 CONTW CLR R1 ; TCC 和预分频器清0 MOV A, @0BXXXX1110 ； 选择WDT 预分频 CONTW WDTC ; 清WDT 和预分频器 MOV A, @0B0XXXXXXX ; WDT 禁止 IOW RE MOV R6, R6 ; 读PORT6 端口 MOV A, @0B00000X1X ; 使能 PORT6 输入变化中断 IOW RF ENI (OR DISI ) ; 使能（或禁止）全局中断 SLEP ; 进入休眠模式 注意： 1. 从休眠模式唤醒后，WDT 被自动使能。所以在从休眠模式唤醒后，应该在程序中合理的定义WDT 使能 /禁止操作 2.为防止在Port 6 输入状态改变中断进入中断向量或被用作唤醒MCU 时产生复位，WDT 预分频比必须设 置为大于1:1。 5.5.2. 寄存器初值总结 Address Name Reset Type Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 N/A IOC5（保 Bit Name x x x x C53 C52 C51 C50 Power-on 0 0 0 0 1 1 1 1 /RESET and WDT 0 0 0 0 1 1 1 1 Wake-up from Pin Changed 0 0 0 0 P P P P N/A IOC6 Bit Name C67 C66 C65 C64 C63 C62 C61 C60 Power-on 1 1 1 1 1 1 1 1 /RESET and WDT 1 1 1 1 1 1 1 1 Wake-up from Pin Changed P P P P P P P P 0x05 P5 （保 Bit Name X X X X P53 P52 P51 P50 Power-on 1 1 1 1 1 1 1 1 /RESET and WDT P P P P P P P P Wake-up from Pin Changed P P P P P P P P

深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC8P53 (文件编号：S&CIC1051) 8 位 OTP ROM 微控制器 第 14 页 共 29 页 0x06 Bit Name P67 P66 P65 P64 P63 P62 P61 P60 Power-on 1 1 1 1 1 1 1 1 /RESET and WDT P P P P P P P P Wake-up from Pin Changed P P P P P P P P N/A CONT Bit Name X /INT TS TE PAB PSR PSR PSR0 Power-on 0 0 1 1 1 1 1 1 /RESET and WDT 0 0 1 1 1 1 1 1 Wake-up from Pin Changed

0 P P P P P P P

R0(IAR) Bit Name - - - - - - - - Power-on U U U U U U U U /RESET and WDT P P P P P P P P Wake-up from Pin Changed P P P P P P P P 0x01 R1(TCC) Bit Name - - - - - - - - Power-on 0 0 0 0 0 0 0 0 /RESET and WDT 0 0 0 0 0 0 0 0 Wake-up from Pin Changed P P P P P P P P 0x02 R2(PC) Bit Name - - - - - - - - Power-on 0 0 0 0 0 0 0 0 /RESET and WDT 0 0 0 0 0 0 0 0 Wake-up from Pin Changed 0x03 R3(SR) Bit Name RST GP1 GP0 T P Z DC C Power-on 0 U U 1 1 U U U /RESET and WDT 1 P P t t P P P Wake-up from Pin Changed

1 P P t t P P P

R4(RSR) Bit Name GP2 GP1 GP0 - - - - - Power-on U U U U U U U U /RESET and WDT P P P P P P P P Wake-up from Pin Changed P P P P P P P P 0x0F RF(ISR Bit Name X X X X X EXI F ICIF TCIF Power-on 0 0 0 0 0 0 0 0 /RESET and WDT 0 0 0 0 0 0 0 0

深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC8P53 (文件编号：S&CIC1051) 8 位 OTP ROM 微控制器 第 15 页 共 29 页 Wake-up from Pin Changed 0 0 0 0 0 P P P 0x0B IOCB Bit Name X PD6 PD5 PD4 X PD2 PD2 PD0 Power-on 1 1 1 1 1 1 1 1 /RESET and WDT 1 1 1 1 1 1 1 Wake-up from Pin Changed P P P P P P P P 0x0C IOCC Bit Name OD7 OD6 OD5 OD4 X OD2 OD1 OD0 Power-on 0 0 0 0 0 0 0 0 /RESET and WDT 0 0 0 0 0 0 0 0 Wake-up from Pin Changed P P P P P P P P 0x0D IOCD Bit Name /PH7 /PH6 /PH5 /PH4 X /PH2 /PH1 /PH0 Power-on 1 1 1 1 1 1 1 1 /RESET and WDT 1 1 1 1 1 1 1 Wake-up from Pin Changed P P P P P P P P 0x0E IOCE Bit Name WDT C EIS X X X X X X Power-on 1 0 1 1 1 1 1 1 /RESET and WDT 1 0 1 1 1 1 1 1 Wake-up from Pin Changed P P 1 1 1 1 1 1 0x0F IOCF Bit Name X X X X X EXIE ICIE TCIE Power-on 1 1 1 1 1 0 0 0 /RESET and WDT 1 1 1 1 1 0 0 0 Wake-up from Pin Changed 1 1 1 1 P P P P 0x10~0 x2F R10~R2F Bit Name - - - - - - - - Power-on U U U U U U U U /RESET and WDT P P P P P P P P Wake-up from Pin Changed P P P P P P P P 惯例: X: 未使用。 U: 未知或不用关心。 -: 未定义。 P: 复位前的值 * 参考下节表格(5.5.3 节). 5.5.3 状态寄存器的 RST,T 和 P 的状态 复位可由以下事件引发： 1. 上电, 2. /RESET 引脚上的高-低-高信号脉冲. 3. 看门狗定时器溢出。 可用表 4 中的 RST、T 和 P 标志位的取值判断唤醒处理器的事件源 。

深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC8P53 (文件编号：S&CIC1051) 8 位 OTP ROM 微控制器 第 16 页 共 29 页 表 5 显示了可能会影响 RST、T 和 P 标志位状态的事件。 表 2 复位后RST、T 和 P 标志位的值 复位类型 RST T P 上电 0 1 1 正常模式下的/RESET 引脚信号引发复位 0 *P *P 休眠模式下/RESET 引脚信号触发唤醒 0 1 0 正常模式下的WDT 溢出复位 0 0 P 休眠模式下的WDT 溢出唤醒 0 0 0 休眠模式下的引脚输入状态改变触发唤醒 1 1 0 *P: 复位前的值 表 3 事件发生后RST、T 和 P 的状态 事件 RST T P 上电 0 1 1 WDTC 指令 *P 1 1 WDT 溢出 0 0 *P SLEP 指令 *P 1 0 休眠模式下引脚状态改变触发唤醒 1 1 0 *P: 复位前的值 图 5-9 控制器复位结构图 5.6. 中 断 TC8P53 有如下三种下降沿触发中断源： (1) TCC 溢出中断 (2) Port 6 输入状态改变中断 (3) 外部中断 [(P60, /INT) 引脚]

深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC8P53 (文件编号：S&CIC1051) 8 位 OTP ROM 微控制器 第 17 页 共 29 页 在使能 Port 6 输入状态改变中断前，读Port 6 端口状态(例如："MOV R6,R6")是必要的。当引脚状态改变 时，Port 6 的每个引脚均具有此特性。但当引脚被配置为输出或P60 引脚配置为/INT 时，相应引脚则失去此功 能特性。当通过执行 SLEP 指令使控制器进入休眠模式前，Port 6 输入状态改变功能被使能，则 Port 6 输入状 态改变中断可使 TC8P53 从休眠模式唤醒。器件唤醒后，如果全局中断被禁止，控制器将从 SLEP 指令的下一 条指令处开始执行；如果全局中断被使能，控制器将跳转到中断向量 008H 处开始执行。 RF 寄存器是中断状态寄存器，它的相应标志位记录对应的中断请求。IOCF 寄存器是中断屏蔽寄存器。全 局中断可通过执行 ENI 指令使能，通过执行 DISI 指令禁止。当产生某个中断（若使能） ，程序计数器将跳转到 地址 008H 处。在中断服务子程序中，可通过查询 RF 寄存器的标志位的状态判断中断源。在离开中断服务子程 序前，必须通过指令清除中断标志位，这样可避免中断嵌套。 当有中断请求时，不管其相应中断屏蔽位的状态如何或者是否执行了 ENI 指令使能全局中断，中断状态寄 存器（RF）中的相应标志位（ICIF 位除外）都将被置 1。注意，从 RF 寄存器读取的值是 RF 和 IOCF 的逻辑 与的结果（参考图 5-10）。RETI 指令结束中断服务子程序并使能全局中断（执行 ENI）。 当中断是由外部中断源 INT 产生（若使能） ，程序计数器将会跳转到001 地址处。 图5-10 中断输入电路 5.7. 振荡器 5.7.1 振荡模式 TC8P53 可运行在四种不同的振荡模式下，即：内部 RC 振荡模式(IRC)、外部 RC 振荡模式(ERC)、 高频晶振模式(HXT)和低频晶振模式(LXT)。 用户可通过编程设置代码选项寄存器的 OSC1 和 OSC2 位选择某种 振荡模式。下表显示了这四种模式的定义方式。 表 5-4 由 OSC 定义的振荡器模式 振荡模式 OSC1 OSC2

深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC8P53 (文件编号：S&CIC1051) 8 位 OTP ROM 微控制器 第 18 页 共 29 页 IRC ( 内部RC 振荡器模式) 1 1 ERC ( 外部RC 振荡器模式) 1 0 HXT ( 高频晶振模式) 0 1 LXT ( 低频晶振模式) 0 0 注: HXT 和LXT 的系统频率临界点为400kHz. 下表列出了晶体/谐振器在不同 VDD 条件下的最大工作频率。 表 5-5 最大工作频率总结 条 件 Vdd ( V ) 最高频率（ MHz ） 1 个指令周期包含2 个时钟周期 2. 3 4. 0 3. 0 8. 0 5. 0 20. 0 5.7.2 晶体振荡器/陶瓷谐振器（XTAL） TC8P53 可由通过OSCI 引脚输入的外部时钟信号驱动，如下图所示。 图5-11 外部时钟输入电路 在大多数应用中，引脚OSCO 和 OSCI 引脚通常连接一个晶体或陶瓷谐振器来产生振荡，图5-12 描绘 了一个这样的电路。HXT 模式和 LXT 模式都是以此种方式产生振荡。 如图 5-12-1 在陶瓷振荡模式电路中必须在OSCI 与 OSCO 之间串接阻值 1MΩ 的电阻R1. 图5-12 晶体谐振器电路

深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC8P53 (文件编号：S&CIC1051) 8 位 OTP ROM 微控制器 第 19 页 共 29 页 1 2 3 4 5 6 A B C D 654321 D C B A Title Num ber Rev isionSize B Date : 12-A pr-201 2 Shee t of File: C:\\Doc uments and Settings\\Adm inistrator\\ 桌面\\报销单\\78P153\\78P153.ddbDra wn By : OSC I OSC O 78P1 53A Reso nator 图5-12-1 陶瓷谐振器电路 表 8 中提供了 C1 和 C2 的参考建议值。因为每个谐振器都有它自己的属性，用户应参考它的用户手册以选 择合适的C1 和C2。对于AT strip cut 型警惕或低频模式，可能需要一个串接电阻RS。 表 5-6 晶体振荡器或陶瓷谐振器匹配电容选择指南 振荡模式 频率模式 频率 C1 ( PF ) C2 ( PF ) 陶瓷谐振腔 HXT 455KHz 100~200 100~150 2. 0MHz 20~40 20~40 4. 0 MHz 10~30 10~30 晶体振荡器 LXT 32. 768 KHz 25 15

100 KHz 25 25

200 KHz 25 25

455 KHz 20~40 20~150

1. 0 MHz 15~30 15~30 2. 0 MHz 15 15 3. 0 MHz 15 15 注: C1 和 C2 值仅供参考 5.7.3 外部 RC 振荡模式 对于一些不需要精确计时的应用，RC 振荡器(图 5-13)提供了一种大幅节省成本的方案。然而，应该注意 到，RC 振荡器的频率会受供电电压、电阻(Rext)、电容(Cext)甚至工作温度的影响。另外，因为生产过程的差异， 一个器件的频率与另外一个器件的频率也会存在细微的差别。 为了维持在一个稳定的系统频率下，Cext 值应该大于20 pF，Rext 值不高于1 M 。如果它们不在此范围 内，系统频率很容易受噪声、湿度和漏电流的影响。 在 RC 振荡模式中，Rext 值越小，其振荡频率越快。相反，对一个非常小的 Rext 值，例如 1 K ，振荡 器将变得不稳定。因为 NMOS 不能及时的释放电容电荷。 基于以上原因，必须时刻牢记，供电电压、工作温度、RC 振荡器的元件特性、封装类型、PCB layout 等 因素都会对系统频率产生影响。

深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC8P53 (文件编号：S&CIC1051) 8 位 OTP ROM 微控制器 第 20 页 共 29 页 1 2 3 4 5 6 A B C D 654321 D C B A Title Num ber Rev isionSize B Date : 12-A pr-201 2 Shee t of File: C:\\Doc uments and Settings\\Adm inistrator\\ 桌面\\报销单\\78P153\\78P153.ddbDra wn By : OSC I 78P 153 VCC Rex t Cex t 图5-13 图5-13 外部RC 振荡模式电路 表 5-7 RC 振荡频率 电容 电阻 平均 Fosc 5V,25 ℃ 平均 Fosc 3V, 25℃ ) 20PF 3.3K 3. 92 MHz 3. 63 MHz 5.1K 2. 67 MHz 2. 6 MHz 10K 1.4 MHz 1.4 MHz 100K 150 KHz 156 KHz 100PF 3.3K 1. 4 MHz 1. 33 MHz 5.1K 940 KHz 917 KHz 10K 476 KHz 480 KHz 100K 50 KHz 52 KHz 300PF 3.3K 595 KHz 570 KHz 5.1K 400 KHz 384 KHz 10K 200 KHz 203 KHz 100K 20. 9 KHz 20 KHz 注 : 1 : 数据在DIP 封装类型上测量 2: 以上数据仅用作设计参考 3: 频率偏移为±30%. 5.7.4 内部 RC 振荡模式 TC8P53 提供了种通用的内部RC 模式其默认频率为4MHz。内部RC 振荡模式还有其它频率值:8MHz、 1MHz 和455KHz，可通过编程设置代码选项位RCM1 和RCM0 选择内部RC 振荡模式的四个频率值。这四个主 频均可通过编程代码选项位CAL0~CAL2 进行校准。表 5-8 描述了 TC8P53 随供电电压、温度和制程变化的内 部 RC 频率偏移率。 表 5-8 内部RC 频率偏移率(Ta=25℃ , VDD=5 V± 5%, VSS=0V)

深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC8P53 (文件编号：S&CIC1051) 8 位 OTP ROM 微控制器 第 21 页 共 29 页 内部RC 偏移率 温度 电压 （2.3V~5.5V） 制程 总计 注：以上数据为理论值，仅用作设计参考。实际值可能随实际支出而有所不同。 5.8 代码选项寄存器 TC8P53 有一个代码选项字，它不位于用户程序存储空间。在执行用户程序时，这些位不可被存取。 代码选项寄存器和用户 ID 寄存器组织如下： Word0 Word1 Word2 Bit12~ Bit0 Bit1~ Bit0 Bit12~ Bit0 5.8.1 代码选项寄存器(Word 0) Word0 Bit 12 Bit 11 Bit 10 Bit 9 Bit 8 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 RESET /ENWDT CLK OSC1 OSC2 CS SUT1 SUTO TYPE RCOUT C2 C1 C0 Bit 12 (/RESET): 定义引脚7 为复位引脚 0: 使能/RESET 1: 禁止/RESET Bit 11 (/ENWTD): 看门狗定时器使能位 0: 使能 1: 禁止 注意： 当应用 port 6 引脚状态变化唤醒功能时，此位必须使能，但WDTE 位(IOCE 寄存器的 bit 6) 必 须禁止。 Bit 10 (CLKS): 指令周期选择位 0: 两个振荡周期 1: 四个振荡周期 Bit 9 and Bit 8 ( OSC1 and OSC0 ): 振荡模式选择位 表 5-9 由OSC1 和 OSC0 定义的振荡模式 振荡模式 OSC1 OSC2 IRC（内部RC 振荡器模式） 1 1 ERC（外部RC 振荡器模式） 1 0 HXT（高频XTAL 振荡器模式） 0 1 LXT（低频XTAL 振荡器模式） 0 0 注: HXT 和 LXT 系统频率的临界点为 400kHz. Bit 7 (CS): 代码保护位 0: 开启保护 1: 关闭保护 Bit 6 与 Bit 5 ( SUT1 and SUT0 ): 器件启动时间选择位 表 5-10 器件启动时间选择位 SUT1 SUT0 *启动时间

深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC8P53 (文件编号：S&CIC1051) 8 位 OTP ROM 微控制器 第 22 页 共 29 页 1 1 18ms 1 0 4.5 ms 0 1 288 ms 0 0 72ms * 表中数据为理论值， 仅供参考 Bit 4 (Type):TC8P53 器件类型选择位 类型 系列

0 TC8P53

Bit 3 (RCOUT): P64/OSCO 复用引脚用作振荡输出或I/O 端口选择位 RCOUT 引脚功能

0 P64

1 OSCO

Bit 2, Bit 1 和 Bit 0 ( C2, C1, C 0 ): 内部RC 模式频率校准位 C2,C1,C0 必须设置为“1”。 代码选项寄存器 (Word 1) WORD1 Bit1 Bit0 RCM1 RCM0 Bit 1, and Bit 0 ( RCM1, RCM0): RC 模式选择位 RCM1 RCM0 *频率（MHz） 1 1 4 1 0 8 0 1 1 0 0 455KHz 用户 ID 寄存器 (Word 2) Bit12~ Bit0 XXXXXXXXXXXXX Bit 12~ 0: 用户的ID 代码 5.9 上电探讨 在供电电压达到稳定状态前，任何微控制器都不能确保正常工作。在用户应用中，当电源关闭，Vdd 在电源再次开启前，必须降到 1.8V 以下并保持在关断状态大约 10us。这样 TC8P53 将会复位并正常工作。如 果 Vdd 上升得非常快(50 ms 或更少)，额外的外部复位电路将工作的非常好。但是在涉及到关键应用的大多数 情况下，可能需要额外的器件来辅助解决上电问题。 5.10 编程设置振荡器启动时间 代码选项字中的 SUT0 和 SUT1 可定义振荡器的启动时间。 理论上， 启动时间范围在4.5ms 到 72ms。

深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC8P53 (文件编号：S&CIC1051) 8 位 OTP ROM 微控制器 第 23 页 共 29 页 对于大多振器，工作频率越低，所需的启动时间越长。表 12 显示了振荡器启动时间值。 5.11 外部上电复位电路 下图提供了一个利用外部 RC 电路产生复位脉冲的电路。 脉冲宽度(时间常数)应该足够长以使 Vdd 达到 最低工作电压。此电路用在供电电压上升很慢的情况。因为/RESET 引脚的漏电流大约为±5 mA，因此建议R 值 不要大于 40 K Ω。此时，/RESET 引脚电压保持在 0.2V 以下。二极管(D)在掉电时作为短路回路。电容 C 将快 速充分放电。限流电阻Rin 可防止高电流或 ESD（静电释放）灌入/RESET 引脚。 1 2 3 4 5 6 A B C D 654321 D C B A Title Num ber Rev isionSize B Date : 13-A pr-201 2 Shee t of File: C:\\Doc uments and Settings\\Adm inistrator\\ 桌面\\报销单\\78P153\\78P153.ddbDra wn By : VDD /RES ET 78P1 53 R C D Rin 图 5-14 外部上电复位电路 5.12 残留电压保护 更换电池时，器件电源(Vdd)关断，但仍会存在残留电压。残留电压可能会掉到低于最小工作电压 Vdd，但 不为零。此条件可能触发一个不良上电复位。下面两图显示了怎样为TC8P53 简历残留电压保护电路。 1 2 3 4 5 6 A B C D 654321 D C B A Title Num ber Rev isionSize B Date : 13-A pr-201 2 Shee t of File: C:\\Doc uments and Settings\\Adm inistrator\\ 桌面\\报销单\\78P153\\78P153.ddbDra wn By : VDD /RES ET 78P1 53 VDD 10K 33K 100K IN46 84 图5-15 残留电压保护电路1

深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC8P53 (文件编号：S&CIC1051) 8 位 OTP ROM 微控制器 第 24 页 共 29 页 1 2 3 4 5 6 A B C D 654321 D C B A Title Num ber Rev isionSize B Date : 13-A pr-201 2 Shee t of File: C:\\Doc uments and Settings\\Adm inistrator\\ 桌面\\报销单\\78P153\\78P153.ddbDra wn By : VDD /RES ET 78P1 53 VDD Q1 R1 R2R3 图5-16 残留电压保护电路2 注: * 图 5-15 和 图 5-16 所示电路在设计上应该保证/RESET 引脚电压高于VIH(min). 5.13 指令集 指令集中的每条指令均是 13 位。指令分为一个操作码和一个或多个操作。一般情况下，除非指令的执 行改变了程序计数器的值("MOV R2,A", "ADD R2,A")或者对 R2 的算术或逻辑操作 (例如. "SUB R2,A", "BS (C) R2,6", "CLR R2",……).，否则执行所有的指令都只占用单个指令周期（一个指令周期包含 2 个振荡周期） 。对于 前面两种特殊的指令，执行指令需要两个指令周期。 如果由于某种原因，指令周期不适合特定应用，可尝试做如下修改： （A) 改变指令周期为包含 4 个振荡周期。 (B) 在两个指令周期内执行，"JMP", "CALL", "RET", "RETL", "RETI"或条件测试结果为“真”的条件转移指令 ("JBS", "JBC", "JZ", "JZA", "DJZ", "DJZA")和向程序计数器写入的指令的执行均占用两个指令周期。 事件(A) 可通过设置代码选项位——CLK 来选择，如果 CLK 为“0”，则一个指令周期包含两个振荡周期；如 果 CLK 为“1”，则一个指令周期包含 4 个振荡周期。 注意：一旦在事件(A)中选择一个指令周期包含 4 个振荡周期，TCC 的内部时钟源应为 CLK=Fosc/4，而 不是图 5 所示的 Fosc / 2。 另外，指令集具有如下特性： (1) 任何寄存器的每个位都可被置 1、清零或直接测试。 (2) I/O 寄存器可被当作通用寄存器。也就是，相同的指令可操作 I/O 寄存器。 符号“R”表示一个寄存器指示符，用来指定指令操作哪个寄存器（包括操作寄存器和通用寄存器） 。“b”表示 一个位指示符，指定位于 R 寄存器中会影响操作的位。“K”代表一个 8 位或 10 位常数或立即数。 二进制指令 十六进制 助记符 操作 受影响标志位 0 0000 0000 0000 0000 NOP 空操作 无 0 0000 0000 0001 0001 DAA A 累加器十进制调整 C 0 0000 0000 0010 0002 CONTW A→CONT 无 0 0000 0000 0011 0003 SLEP 0→WDT, 振荡器停振 T,P 0 0000 0000 0100 0004 WDTC 0→WDT T,P 0 0000 0000 rrrr 000r IOWR A→IOCR 无1 0 0000 0001 0000 0010 ENI 使能全局中断 无 0 0000 0001 0001 0011 DISI 禁止全局中断 无

深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC8P53 (文件编号：S&CIC1051) 8 位 OTP ROM 微控制器 第 25 页 共 29 页 0 0000 0001 0010 0012 RET [栈顶] →PC 无 0 0000 0001 0011 0013 RETI 栈顶] →PC, 使能全局中断 无 0 0000 0001 0100 0014 CONTR CONT→A 无 0 0000 0001 rrrr 001r IOR R IOCR→A 无1 0 0000 01rr rrrr 00rr MOV R,A A→R 无 0 0000 1000 0000 0080 CLAR 0→A Z 0 0001 11rr rrrr 00rr CLR R 0→R Z 0 0001 00rr rrrr 01rr SUB A,R R-A→A Z,C,DC 0 0001 01rr rrrr 01rr SUB R, A R-A→R Z,C,DC 0 0001 10rr rrrr 01rr DECA R R-1→A Z 0 0001 11rr rrrr 01rr DEC R R-1→R Z 0 0010 00rr rrrr 02rr OR A,R A→VR→A Z 0 0010 01rr rrrr 02rr OR R,A A→VR→R Z 0 0010 10rr rrrr 02rr AND A,R A & R→A Z 0 0010 11rr rrrr 02rr AND R,A A & R→R 0 0011 00rr rrrr 03rr XOR A,R A⊕R→A Z 0 0011 01rr rrrr 03rr XOR R,A A⊕R→R Z 0 0011 10rr rrrr 03rr ADD A,R A + R→A Z.C,DC 0 0011 11rr rrrr 03rr ADD R,A A + R→R Z,C,DC 0 0100 00rr rrrr 04rr MOV A,R R→A Z 0 0100 01rr rrrr 04rr MOV R,R R→R Z 0 0100 10rr rrrr 04rr COMA R /R→A Z 0 0100 11rr rrrr 04rr COM R /R→R Z 0 0101 00rr rrrr 05rr INCA R R+1→A Z 0 0101 01rr rrrr 05rr INC R R+1→R Z 0 0101 10rr rrrr 05rr DJZA R R-1→A, 值为零则跳过下条指令 无 0 0101 11rr rrrr 05rr DJZ R R-1→R, 值为零则跳过下条指令 无 0 0110 00rr rrrr 06rr RRCA R R(n) →A(n-1),R(0) →C, C→A(7) C 0 0110 01rr rrrr 06rr RRC R R(n) →R(n-1),R(0) →C, C→R(7) C 0 0110 10rr rrrr 06rr RLCA R R(n) →A(n+1),R(7) →C, C→A(0) C 0 0110 11rr rrrr 06rr RLC R R(n) →R(n+1),R(7) →C, C→R(0) C 0 0111 00rr rrrr 07rr SWAPA R R(0-3) →A(4-7),R(4-7) →A(0-3) 无 0 0111 01rr rrrr 07rr SWAP R R(0-3)←→R(4-7) 无 0 0111 10rr rrrr 07rr JZA R R+1→A, 值为零则跳过下条指令 无 0 0111 11rr rrrr 07rr JZ R R+1→R, 值为零则跳过下条指令 无 0 100b bbrr rrrr 0xxx BC R,b 0→R(b) 无2 0 101b bbrr rrrr 0xxx BS R,b 1→R(b) 无3 0 110b bbrr rrrr 0xxx JBC R,b 如果 R(b)=0, 跳过下条指令 无 0 111b bbrr rrrr 0xxx JBS R,b 如果R(b)=1, 跳过下条指令 无 1 00kk kkkk kkkk 1kkk CALL k PC+1→[SP],(Page, k) →PC 无

深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC8P53 (文件编号：S&CIC1051) 8 位 OTP ROM 微控制器 第 26 页 共 29 页 1 01kk kkkk kkkk 1kkk JMP k (Page, k) →PC 无 1 1000 kkkk kkkk 18kk MOV A,k k→A 无 1 1001 kkkk kkkk 19kk OR A,k A∨k→A Z 1 1010 kkkk kkkk 1Akk AND A,k A & k→A Z 1 1011 kkkk kkkk 1Bkk XOR A,k A⊕k→A Z 1 1100 kkkk kkkk 1Ckk RETL k k→A,[ 栈顶] →PC 无 1 1101 kkkk kkkk 1Dkk SUB A,k k-A→A Z.C,DC 1 1110 0000 0001 1E01 INT PC+1→[SP],001H→PC 无 1 1111 kkkk kkkk 1Fkk ADD A,k k+A→A Z.C,DC 注: 1 此指令仅适用于IOC5~IOC6, IOCB ~ IOCF 2 指令不建议用于操作RF 寄存器 3 此指令不能操作RF 寄存器 6． 最大绝对值 项目 范围 温度范围 0℃到70℃ 存储温度 -65℃到150℃ 输入电压 -0.3V 到+6.0V 输出电压 -0.3V 到+6.0V 7. 电气特性 7.1. 直流电气特性（Ta=0℃~70℃,VDD=5.0V± 5%,VSS=0V） 符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 Fxt XTAL: VDD 到 2.3V 1 条指令周期为2 个时钟周期 DC 4.0 MHz Fxt XTAL: VDD 到 3V 1 条指令周期为2 个时钟周期 DC 8.0 MHz Fxt XTAL: VDD 到 5V 1 条指令周期为2 个时钟周期 DC 20.0 MHz ERC RC: VDD 到 5V R: 5K , C: 39 pF F-30% 1500 F+30% KHz IIL 输入引脚输入漏电流 VIN = VDD, VSS ±1 µA VIHI 输入高电压(VDD=5.0V) Ports 5, 6 2.0 V VILI 输入低电压(VDD=5.0V) Ports 5, 6 0.8 V VIHTI 输入高临界电压(VDD=5.0V) /RESET, TCC (施密特触发) 2.0 V VILTI 输入低临界电压(VDD=5.0V) /RESET, TCC (施密特触发) 0.8 V VIHXI 时钟输入高电压(VDD=5.0V) OSCI 2.5 V VILXI 时钟输入低电压(VDD=5.0V) OSCI 1.0 V VIH2 输入高电压(VDD=3.0V) Ports 5, 6 1.5 V

深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC8P53 (文件编号：S&CIC1051) 8 位 OTP ROM 微控制器 第 27 页 共 29 页 VIL2 输入低电压(VDD=3.0V) Ports 5, 6 0.4 V VIHT2 输入高临界电压(VDD=3.0V) /RESET, TCC (施密特触发) 1.5 V VILT2 输入低临界电压(VDD=3.0V) /RESET, TCC (施密特触发) 0.4 V VIHX2 时钟输入高电压 (VDD=3.0V) OSCI 1.5 V VILX2 时钟输入低电压(VDD=3.0V) OSCI 0.6 V VOH1 输出高电压(Ports 6) (P60~P63, 为施密特触发) IOH = -12.0 mA 2.4 V VOL1 输 出 低 电 压(P60~P63), (P60~P63 为施密特触发) IOL = 12.0 mA 0.4 V VOL2 输出低电压(P64,P65) IOL = 16.0 mA 0 0 0.4 V IPH 上拉电流 激活上拉，输入引脚接VSS -50 -100 -240 mA IPD 下拉电流 激活下拉，输入引脚接VDD 20 50 120 µA ISB1 省电电流 所有输入引脚和 I/O 引脚接 VDD,输出引脚悬空,WDT 禁止 1 µA ISB2 省电电流 所有输入引脚和 I/O 引脚接 VDD,输出引脚悬空,WDT 使能 10 µA ICC1 工作供电电流(VDD=3V) 在2 个 CLKS /RESET= ' 高', Fosc=32KHz (晶振类型,CLKS="0"), 输出引脚悬空, WDT 禁止 15 15 30 µA ICC2 工作供电电流(VDD=3V) 在2 个 CLKS /RESET= '高', Fosc=32KHz (晶振类型,CLKS="0"), 输出引脚悬空, WDT 使能 19 35 µA ICC3 工作供电电流(VDD=5.0V) 在2 个 CLKS /RESET= '高', Fosc=4MHz (晶振类型, CLKS="0"), 输出引脚悬空 2.0 mA ICC4 工作供电电流(VDD=5.0V) 在2 个 CLKS /RESET= '高', Fosc=10MHz ICC4 ( 晶振类型, CLKS="0"), 输出引脚悬空 4.0 mA 注:* 这些参数为特性值并已经过测试。 7.2 交流电气特性(Ta=0 ℃~ 70℃, VDD=5V ±5%, VSS=0V) 符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 Dclk 输入时钟的占空比 45 50 55 % Tins 指令周期 (CLKS="0") 晶振类型 100 DC ns RC 类型 500 DC ns Ttcc TCC 输入时间周期 (Tins+20)/N* ns Tdrh 器件复位持续时间 Ta = 25℃ TXAL,SUT1,SUT0=1,1 Trst /RESET 脉冲宽度 Ta = 25℃ 2000 ns *Twdt1* 看门狗定时器时间周期 Ta = 25℃ SUT1,SUT0=1,1

深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC8P53 (文件编号：S&CIC1051) 8 位 OTP ROM 微控制器 第 28 页 共 29 页 *Twdt2* 看门狗定时器时间周期 Ta = 25℃ SUT1,SUT0=1,0 *Twdt3* 看门狗定时器时间周期 Ta = 25℃ SUT1,SUT0=0,1 288-30% 288 288+30% ms *Twdt4* 看门狗定时器时间周期 Ta = 25℃ SUT1,SUT0=0，0 72-30% 72 72+30% ms Tset 输入引脚启动时间 0 ns Thold 输入引脚保持时间 20 ns Tdelay 输出引脚延迟时间 Cload=20pF 50 ns 注: 这些参数为理论值，未经测试 看门狗定时器的持续时间有代码选项(Bit 6, Bit 5)定义 *N = 所选预分频比 *Twdt1: 代码选项字 (SUT1,SUT0)用于定义振荡器启动时间。在晶振模式下， WDT 溢出周期等于启动时间 (18ms)。 *Twdt2: 代码选项字 (SUT1,SUT0)用于定义振荡器启动时间。在晶振模式下， WDT 溢出周期等于启动时间 (4.5ms)。 *Twdt3: 代码选项字 (SUT1,SUT0)用于定义振荡器启动时间。在晶振模式下， WDT 溢出周期等于启动时间 (288ms)。 *Twdt4: 代码选项字 (SUT1,SUT0)用于定义振荡器启动时间。在晶振模式下， WDT 溢出周期等于启动时间 (72ms)。 8． 时序图 AC 测试输入/输出波形 1 2 3 4 5 6 A B C D 654321 D C B A Title Num ber Rev isionSize B Date : 17-A pr-201 2 Shee t of File: C:\\Doc uments and Settings\\Adm inistrator\\ 桌面\\报销单\\78P153\\78P153.ddbDra wn By : 测 试点 2.0 0.8 0.8 2.0 2.4 0.4 RESET 时序（CLK=“0”） 1 2 3 4 5 6 A B C D 654321 D C B A Title Num ber Rev isionSize B Date : 17-A pr-201 2 Shee t of File: C:\\Doc uments and Settings\\Adm inistrator\\ 桌面\\报销单\\78P153\\78P153.ddbDra wn By : Tdrh /RESET CLK NOP 执 行指 令1

深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC8P53 (文件编号：S&CIC1051) 8 位 OTP ROM 微控制器 第 29 页 共 29 页 TCC 输入时序（CLKS=“0”） 1 2 3 4 5 6 A B C D 654321 D C B A Title Num ber Rev isionSize B Date : 21-A ug-201 2 Shee t of File: C:\\Doc uments and Settings\\Adm inistrator\\ 桌面\\待做的规格书\\78P153\\78P153.ddbDra wn By : Ttcc TCC CLK Tins