TC4953 FUMAN | Alldatasheet
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深圳市富满电子 集团股份 有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC 4953 文件编号 S&CIC0750) 20V P 沟道增强型 MOS 场效应管 www.superchip.cn 第 页 共 页 Version VDS= RDS(ON), Vgs@- 4.5 Ids@-3A m Ω @TYP RDS(ON), Vgs@- .5V, Ids@- A m Ω @TYP A B C D D C B A Titl e Nu mber Rev ision Size B Date: 20-Feb-2 014 Sheet o f File: E:\\E 盘 规格书 规格图 规格图 -0\\ZB O\\495 3.ddb Drawn B y: SOP-8 特点 先进的沟道工艺技术 高密度超低电阻设计 改良的成形工艺 最大额定值和热特性 (TA ，除非另有说明 参数 符号 值 单位 漏源电压 V DS V 栅源电压 V GS 漏极电流 I D A 漏极脉冲电流 I DM 工作结温和存储温度范围 T J T stg -50 to 150 注：重复性极限值：脉冲宽度由最高结温限制。 A B C D D C B A Titl e Nu mber Rev ision Size B Date: 16-Oct-2 009 Sheet o f File: E:\\ 规格书 规格图 规格图 -0\\ZB O\\495 3.ddb Drawn B y : Source Drain Gate Internal Schemaic Diagram P-Channel MOSFET
深圳市富满电子 集团股份 有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC 4953 文件编号 S&CIC0750) 20V P 沟道增强型 MOS 场效应管 www.superchip.cn 第 页 共 页 Version 电特性 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 静电 漏源击穿电压 B VDSS V GS 0V, I D -250uA -23 V 漏源电阻 R DS(on) V GS -4.5V, I D A 62.0 90.0 m Ω R DS(on) V GS 2.5 I D -3A 0.0 栅极阈值电压 V GS(th) V DS V GS I D -250uA 0.4 0.7 V 漏极到源极的漏电流 I DSS V DS V GS T J uA 栅极到源极的漏电流 I GSS V GS V 100 uA 漏极持续电流 ID A 温度 VS R DS(ON) GS(th) R DS(ON) vs 结温 V GS(th) vs 结温
深圳市富满电子 集团股份 有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC 4953 文件编号 S&CIC0750) 20V P 沟道增强型 MOS 场效应管 www.superchip.cn 第 页 共 页 Version 封装信息 SOP-8 符号 毫米 最小值 典型值 最大值 A 1.50 1.55 0.10 0.15 1.35 1.40 1.45 0.55 0.60 0.65 b 0.35 0.40 0.45 c 0.17 0.22 0.25 D 4.85 4.90 4.95 E 5.90 6.00 6.10 3.80 3.90 4.00 e 1.27BSC L 0.60 0.65 0.70 1.05BSC θ º º º