TC4606

TC4606 FUMAN | Alldatasheet

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深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. TC4606 文件编号 S&CIC 1267 双重增强 型 MOSFET (N- P 沟道 www.superchip.cn 第 页 共 页 V ersion 1.0 N 沟道 V/7A RDS(ON)=1 m Ω typ. @VGS= 4.5 V RDS(ON)= m Ω typ. @VGS= .5V P 沟道 V/-5.5A RDS(ON)= m Ω typ. @VGS= 4.5 V RDS(ON)= m Ω typ. @VGS= 2.5V 特点 超高密度电池设计 可靠耐用 封装形式： SOP-8 工作温度范围： -55 150 产品 应用 用在笔记本电脑 的 电源 管理系统 用在便携式设备和电池 的 供电系统 引脚 示意 A B C D D C B A Titl e Nu mber Rev ision Size B Date: 11-Apr-2 015 Sheet o f File: C:\\Do cuments an d Set tings\\Ad minis trator\\ 桌面 \\1.ddb Drawn B y: SOP-8 A B C D D C B A Titl e Nu mber Rev ision Size B Date: 15-Apr-2 015 Sheet o f File: C:\\Do cuments an d Set tings\\Ad minis trator\\ 桌面 \\1.ddb Drawn B y: N Channel P Channel 绝对最大额定值 (TA=25 除非另有说明 符号 参数 N 沟道 P 沟道 单位 V DSS 漏 源 电压 V I D 漏极 连续电流 -5.5 A I DM 漏极 脉冲电流 -22 T J 工作 结最高温度 150 T STG 储存温度范围 -55 150 P D 功耗 T A =25 W T A =100 0.8 R θ JA T hermal R esistance unction to A mbient 62.5

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. TC4606 文件编号 S&CIC 1267 双重增强 型 MOSFET (N- P 沟道 www.superchip.cn 第 页 共 页 V ersion 1.0 电 气 特性 TA=25 ，除非另有说明） 二极管 V SD 二极管正向 电压 I SD =2A,V GS =0V N-CH 0.7 1.3 V I SD =-2.3A,V GS =0V P-CH -1.7 -1.3 动态 R G 栅极电阻 V GS =0V,V DS =0V,F=1MHZ N-CH Ω P-CH C ISS 输入电容 N-Channel V GS =0V V DS =25V F=1MHZ P-Channel V GS =0V V DS =-25V F=1MHZ N-CH 835 pF P-CH 950 C OSS 输出电容 N-CH 145 P-CH 160 C rSS 反向传输电 容 N-CH P-CH 110 t d(on) 打开延时时 间 N-Channel V DD =15V,R L =15 Ω N-CH ns P-CH 符号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 静态 BV DSS 漏极击穿电 压 V GS =0V,I DS =250uF N-CH V V GS =0V,I DS =-250uF P-CH -20 I DSS 零栅极电压 漏极电流 V DS =24V,V GS =0V N-CH uA V DS= -24V,V GS =0V P-CH V GS(TH) 栅极阈值电 压 V DS GS DS =250uA N-CH 0.5 0.7 1.1 V V DS GS DS =-250uA P-CH -0.4 -0.7 -1.0 I GSS 栅极漏电流 V GS 12V,V DS =0V N-CH 100 nA P-CH 100 R DS(ON) 漏源导通电 阻 V GS =4.5V,I DS =1A N-CH m Ω V GS =-4.5V,I DS =-1A P-CH V GS =2.5V,I DS =0.5A N-CH V GS =-2.5V,I DS= -0.5A P-CH

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. TC4606 文件编号 S&CIC 1267 双重增强 型 MOSFET (N- P 沟道 www.superchip.cn 第 页 共 页 V ersion 1.0 I DS =1A,V GEN =10V R G Ω P-Channel V DD =-15V,R L =-15 Ω I DS =-1A,V GEN =-10V R G Ω T r 打开上升时 间 N-CH P-CH T d(off) 关掉延时时 间 N-CH P-CH T f 关掉下降时 间 N-CH P-CH 栅极电荷 Q g 栅极总电荷 N-Channel V DS =15V,V GS =10V, I DS =7A P-Channel V DS =-15V,V GS =-10V, I DS =-5.5A N-CH nC P-CH Q gs 栅极源极电 荷 N-CH 1.6 P-CH Q gd 栅极漏极电 荷 N-CH 3.6 P-CH 典型特征 N 沟道

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. TC4606 文件编号 S&CIC 1267 双重增强 型 MOSFET (N- P 沟道 www.superchip.cn 第 页 共 页 V ersion 1.0

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. TC4606 文件编号 S&CIC 1267 双重增强 型 MOSFET (N- P 沟道 www.superchip.cn 第 页 共 页 V ersion 1.0

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. TC4606 文件编号 S&CIC 1267 双重增强 型 MOSFET (N- P 沟道 www.superchip.cn 第 页 共 页 V ersion 1.0 典型特性 P 沟道

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. TC4606 文件编号 S&CIC 1267 双重增强 型 MOSFET (N- P 沟道 www.superchip.cn 第 页 共 页 V ersion 1.0

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. TC4606 文件编号 S&CIC 1267 双重增强 型 MOSFET (N- P 沟道 www.superchip.cn 第 页 共 页 V ersion 1.0

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. TC4606 文件编号 S&CIC 1267 双重增强 型 MOSFET (N- P 沟道 www.superchip.cn 第 页 共 页 V ersion 1.0 封装信息 DIM 毫米 英寸 最小值 最大值 最小值 最大值 A 1.35 1.75 0.053 0.069 0.10 0.25 0.004 0.010 D 4.80 5.00 0.189 0.197 E 3.80 4.00 0.150 0.157 H 5.80 6.20 0.228 0.244 L 0.40 1.27 0.016 0.050 0.33 0.51 0.013 0.020 E 1.27BSC 0.5BSC ф º º