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深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. TC2309(文件编号：S&CIC1053) 12V 高密度 P 沟道 MOS 管 www.superchip.cn 第 1 页共 1 页 Version 1.1 一、 特点 12V 高密度设计的P 沟道 MOS 管 超低导通电阻 RDS(ON)=50mΩ ,T Y P @ VGS= -4.5V RDS(ON)=68mΩ, TYP@V GS= -2.5V 二、 产品应用 笔记本电脑的电源管理、便携式设备和电池供电系统 SOP-8 三、 电特性 符号 参数 额定值 单位 VDSS 漏源极电压 -12 V VGSS 栅源极电压 ± 8 V ID 连续漏电流 -4.5 A IDM 脉冲漏电流 -15 A IS 二极管连续正向电流 -1 A TJ 最高结温 150 ℃ TSTG 贮存温度 -55~150 ℃ 符号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 BVDSS 漏源极击穿电压 VGS=0V, IDS=250uA -12 V IDSS 漏极电压漏电流 VDS=-12V, VGS=0V 1 uA TA=85℃ 10 uA VGS(th) 门阈值电压 VDS=VGS,I DS=250uA -0.5 -0.7 -1.4 V IGSS 栅极漏电流 VGS=±8V, VDS=0V ±100 nA RDS(ON) 漏源极导通电阻 VGS=-1.8V, IDS=-1A 110 120 m Ω VGS=-2.5V, IDS=-3.5A 68 78 m Ω VGS=-4.5V, IDS=-4.5A 50 62 m Ω VSD 二极管正向电压 ISD=-1A, VGS=0V -1.3 V RG 栅极输入电阻 VGS=0V;VDS=0V Frequency=1MHZ 6 Ω S S GD D D D