T640N INFINEON | Alldatasheet
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N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T640N IFBIP D AEC / 2010-01-13, H.Sandmann A 01/10 1/10 Seite/page enndaten Elektrische Eigenschaften Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung repetitive peak forward off-state and reverse voltages Tvj = -40°C... Tvj max V DRM,VRRM 1200 1400 1600 1800 V V Vorwärts-Stossspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage Tvj = -40°C... Tvj max V DSM 1200 1400 1600 1800 V V Rückwärts-Stossspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Tvj = +25°C... Tvj max V RSM 1300 1500 1700 1900 V V Durchlassstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current I TRMSM 1250 A Dauergrenzstrom average on-state current TC = 85 °C ITAVM 644 A Dauergrenzstrom average on-state current TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms I TAVM 920 A Durchlaßstrom-Effektivwert RMS on-state current I TRMS 1450 A Stossstrom-Grenzwert surge current Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms ITSM 9400 8000 A A Grenzlastintegral I²t-value Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms I²t 442 320 10³ A²s 10³ A²s Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 60747-6 f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs (diT/dt)cr 200 A/µs Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM 5.Kennbuchstabe / 5 th letter F (dvD/dt)cr 1000 V/µs Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlassspannung on-state voltage Tvj = Tvj max, iT = 2400 A Tvj = Tvj max, i T = 600 A vT max. max. 2,15 1,19 V V Schleusenspannung threshold voltage Tvj = Tvj max V (TO) 0,8 V Ersatzwiderstand slope resistance Tvj = Tvj max r T 0,5 m Ω Durchlasskennlinie 200 A ≤ iT ≤ 3200 A on-state characteristic TTTT iD1)i(lnCiBAv ⋅++⋅+⋅+= Tvj = Tvj max A= 9,775E-01 2,642E-04 -8,379E-02 2,424E-02 Zündstrom gate trigger current Tvj = 25 °C, vD = 12V I GT max. 250 mA Zündspannung gate trigger voltage Tvj = 25 °C, vD = 12V V GT max. 2,2 V Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current Tvj = Tvj max, vD = 12V Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM IGD max. max. mA mA Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage T vj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM V GD max. 0,25 V Haltestrom holding current Tvj = 25°C, vD = 12V I H max. 300 mA Einraststrom latching current Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10 Ω iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs IL max. 1200 mA Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse current Tvj = Tvj max vD = VDRM, vR = VRRM iD, iR max. 50 mA Zündverzug gate controlled delay time DIN IEC 60747-6 Tvj = 25 °C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs tgd max. 4 µs prepared by: H.Sandmann date of publication: 2010-01-13 approved by: M.Leifeld revision: 3.1
N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T640N IFBIP D AEC / 2010-01-13, H.Sandmann A 01/10 2/10 Seite/page Thermische Eigenschaften Mechanische Eigenschaften Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs 4.Kennbuchstabe / 4 th letter O tq typ. 250 µs Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, θ = 180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, θ = 180°sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, θ = 180°sin Kathode / cathode, DC R thJC max. max. max. max. max. max. 0,039 0,035 0,062 0,058 0,092 0,089 °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sides einseiti g / single-sides RthCH max. max. 0,007 0,014 °C/W °C/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature T vj max 125 °C Betriebstemperatur operating temperature T c op -40...+125 °C Lagertemperatur storage temperature T stg -40...+150 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex Seite 3 page 3 Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpresskraft clamping force F 6...12 kN Steueranschlüsse control terminals Gate (flat) Gate (round, based on AMP 60598) Kathode / cathode A 2,8x0,5 Ø 1,5 A 4,8x0,5 mm mm mm Gewicht weight G typ. 110 g Kriechstrecke creepage distance 6 mm Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T640N IFBIP D AEC / 2010-01-13, H.Sandmann A 01/10 3/10 Seite/page Massbild 4 5 1: Anode / Anode 2: Kathode / Cathode 4: Gate 5: Hilfskathode/ Auxiliary Cathode
N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T640N IFBIP D AEC / 2010-01-13, H.Sandmann A 01/10 4/10 Seite/page R,t – Werte Diagramme Diagramme Trans. Wärmewid. beidseitig Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC Kühlung / Cooling Pos. n 1 2 3 4 5 6 7 Rthn [°C/W] 0,00043 0,00557 0,019 0,01 - - - beidseitig two-sided τn [s] 0,00027 0,00221 0,085 0,36 - - - Rthn [°C/W] 0,00034 0,0054 0,00486 0,0234 0,024 - - anodenseitig anode-sided τn [s] 0,00024 0,0021 0,03760 0,1580 2,470 - - Rthn [°C/W] 0,00026 0,00524 0,0132 0,0346 0,0357 - - kathodenseitig cathode-sided τn [s] 0,00019 0,00192 0,0562 0,6500 2,9100 - - Analytische Funktion / Analytical function: Σ −= τ maxn n=1 thnthJC n e1RZ b c a 0,00 0,01 0,02 0,03 0,04 0,05 0,06 0,07 0,08 0,09 0,10 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t [s] ZthJC [°C/W] Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC Z thJC = f(t) a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T640N IFBIP D AEC / 2010-01-13, H.Sandmann A 01/10 5/10 Seite/page Durchlasskennlinie Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ ∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin Kühlung / Cooling Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30° ∆Zth Θ rec [°C/W] 0,00714 0,01288 0,01760 0,02477 0,03693 beidseitig two-sided ∆Zth Θ sin [°C/W] 0,00365 0,00617 0,00989 0,01635 0,02873 ∆Zth Θ rec [°C/W] 0,00708 0,01274 0,01743 0,02456 0,03659 anodenseitig anode-sided ∆Zth Θ sin [°C/W] 0,00363 0,00611 0,00981 0,01630 0,02873 ∆Zth Θ rec [°C/W] 0,00694 0,01253 0,01725 0,02456 0,03698 kathodenseitig cathode-sided ∆Zth Θ sin [°C/W] 0,00336 0,00576 0,00944 0,01608 0,02906 Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin Tvj = Tvj ma x 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 0 , 511 , 522 , 53 vT [V] iT [A] Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT) Tvj = Tvj max
N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T640N IFBIP D AEC / 2010-01-13, H.Sandmann A 01/10 6/10 Seite/page Durchlassverluste 180° 120° 90° 60° θ = 30° 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 I TA V [A] PTAV [W] 0° 0 180° Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV) Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ 100 120 140 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 I TAV [A] TC [°C] 0° 0 180° Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV) Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T640N IFBIP D AEC / 2010-01-13, H.Sandmann A 01/10 7/10 Seite/page Tc DC θ = 30° 180° 60° 120°90° 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 I TAV [A] PTAV [W] 0° 0 180° Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV) Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ 100 120 140 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 I TAV [A] TC [°C] 0° 0 180° Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV) Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T640N IFBIP D AEC / 2010-01-13, H.Sandmann A 01/10 8/10 Seite/page Steuerkennlinie Zündverzug 0,1 100 10 100 1000 10000 iG [mA] vG [V] Tvj = +125°C Tvj = -40 °C Tvj = +25°C a b c Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) : a - 20W / 10ms b - 40W / 1ms c - 60W / 0,5ms 100 1000 10000 11 0 1 0 0 -di/dt [A/µs] Qr [µAs] 20A 50A 100A iTM = 1000A 200A 500A Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt) Tvj= Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM Parameter: Durchlassstrom / On-state current iTM
N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T640N IFBIP D AEC / 2010-01-13, H.Sandmann A 01/10 9/10 Seite/page 0-50V 0,33 VRRM 0,67 VRRM 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 01 11 21 31 41 51 61 7 Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves IT(OV) M [kA] Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM IT(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax
N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T640N IFBIP D AEC / 2010-01-13, H.Sandmann A 01/10 10/10 Seite/page Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved.